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[发明专利]一种基于超短脉冲激光实现极深亚波长周期性结构的方法-CN202011519009.5在审
发明人：邓国亮;肖垚;杨火木 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B23K26/0622 文献下载
摘要：我们提出了一种基于超短脉冲激光实现极深亚波长周期性结构的方法。该方法通过薄膜辅助，可以实现极深亚波长周期性结构的制备，其操作过程简单，制造成本低廉，可加工材料广泛，尤其是解决了对透明及超脆材料难以加工难题（可以极大的降低材料加工阈值），可实现入射激光波长四十分之一的极深亚波长周期性结构的制造
一种基于超短脉冲激光实现极深亚波长周期性结构方法

[发明专利]一种金纳米孔薄膜电离式氟化亚硫酰传感器-CN201610629251.5有效
发明人：张勇;潘志刚;张健鹏;张嘉祥;程珍珍;陈麒宇;童佳明;梁冰点;史京辉;张晶园;贺永宁;李昕;王小华;刘定新;杨爱军;荣命哲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N27/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米孔薄膜电离式氟化亚硫酰传感器，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜的金属膜基底以及设有小透气孔的电极构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由板面设有小深槽的收集极构成；三电极分别通过绝缘支柱相互隔离；小透气孔的孔径为0.6～4mm、小引出孔的孔径为1～6mm，小深槽的边长和孔深分别为1×1～6×8mm和50～200μm；三电极之间的极间距按照小透气孔和小引出孔的孔径及小深槽的边长和孔深设定该金纳米孔薄膜电离式氟化亚硫酰传感器根据电流检测氟化亚硫酰浓度，工作电压小，收集极电流大，灵敏度高，可检测六氟化硫背景气体中的氟化亚硫酰。
氟化纳米孔薄膜小透气孔电离式引出孔传感器深槽第三电极三电极收集极边长孔深背景气体第二电极第一电极电流检测工作电压绝缘支柱六氟化硫蒸发沉积金属膜可检测灵敏度内表面引出极电极板面附着基底隔离生长

[发明专利]与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器及制备方法-CN201210231255.X有效
发明人：方英娇 -专利权人：无锡来燕微电子有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入式动态存储器及制备方法，尤其是一种与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器及制备方法，属于集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器，包括半导体基板及位于所述半导体基板内的至少一个存储单元，所述存储单元包括MOS晶体管及存储电容；所述MOS晶体管包括晶体管源极区及晶体管漏极区；所述晶体管源极区内有且仅有源极重掺杂区域，且晶体管漏极区内有且仅有漏极重掺杂区域。本发明结构紧凑，能与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容，提高嵌入式动态存储器的数据保留时间，降低嵌入式动态存储器的使用成本，安全可靠。
微米 cmos 逻辑工艺兼容嵌入式动态存储器制备方法

[发明专利]一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器-CN201811250230.8有效
发明人：白春风;乔东海;赵鹤鸣;司大千 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器，包括差分电流缓冲级、源极耦合差分跨导级主电路和源极耦合差分跨导级从电路。本发明具有适用深亚微米CMOS工艺电源电压低、高频性能好的特点，基于本发明搭建的电阻网络负反馈放大器在实现宽带、大输出摆幅的同时仍能维持与基于运算跨导放大器搭建的电阻网络负反馈放大器相当的共模抑制比性能
一种适用于微米 cmos 工艺运算电流放大器

[发明专利]一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件-CN201210204468.3无效
发明人：颜丙勇;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件，其中，包括一衬底，所述衬底上具有栅极、漏极和源极，所述衬底还包括有两侧的Poly边缘，在所述Poly边缘的两侧区域和所述漏极的边缘局部区域进行静电释放离子注入使用本发明的一种改善深亚微米NMOS器件静电释放保护能力的器件，通过在Poly边缘的两侧区域和漏极靠近AA边缘局部区域进行静电释放（ESD）离子注入，有效地减少45nm静电释放（ESD）的NMOS器件的结漏电流
一种改善微米 nmos 器件静电释放保护能力

[发明专利]利用双层多晶硅器件结构自对准制备微波功率器件的方法-CN201010243993.7有效
发明人：黄伟;徐湘海;王胜;万清;胡南中 -专利权人：无锡晶凯科技有限公司
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法采用了深槽隔离技术与非均匀热设计，实现了多子胞结构，利用外基区复合版进行光刻，垂直刻蚀氧化硅介质层和外基极多晶硅，获得长度等比例变化的外基区窗口，在外基区窗口中自对准形成可调制发射极长度的复合L型侧墙利用发射极多晶硅复合版进行光刻，自对准垂直刻蚀发射极多晶硅和介质层，结合有选择性的侧墙保护技术，在深亚微米尺度下自对准实现低薄膜电阻率的多晶硅难熔金属镍硅化物，既可避免两种多晶硅引线短路连接，又能减少互连引线的寄生成分在亚微米、深亚微米图形尺度下对微波功率器件特性提升的制约，从而改善微波器件的整体性能及其微波性能。
利用双层多晶器件结构对准制备微波功率方法

[发明专利]一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法-CN201110195846.1有效
发明人：刘奎伟 -专利权人：北京兆易创新科技有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法，该非易失性存储单元包括晶体管，所述晶体管包括：漏极、源极、栅极和衬底，其中，所述栅极与字线连接；所述漏极与位线连接；所述源极与源线连接；所述衬底与衬底线连接本发明所述的非易失性存储单元及其制造方法，与现有逻辑工艺尤其是深亚微米逻辑工艺完全兼容，存储单元的面积能够随逻辑工艺的缩小而缩小。
一种非易失性存储单元及其数据编程读取擦除方法

[发明专利]一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法-CN201110030053.4无效
发明人：刘奎伟;张赛 -专利权人：北京兆易创新科技有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法，该非易失性存储单元包括晶体管，所述晶体管包括：漏极、源极、栅极和衬底，其中，所述栅极与字线连接；所述漏极与位线连接；所述源极与源线连接；所述衬底与衬底线连接本发明所述的非易失性存储单元及其制造方法，与现有逻辑工艺尤其是深亚微米逻辑工艺完全兼容，存储单元的面积能够随逻辑工艺的缩小而缩小。
一种非易失性存储单元及其数据编程读取擦除方法

[发明专利]用于负载开关和直流-直流器件的高密度MOSFET的器件结构及其制备方法-CN201310675735.X有效
发明人：哈姆扎·耶尔马兹;马督儿·博德;常虹;李亦衡;丹尼尔·卡拉夫特;金钟五;雷燮光;陈军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿栅极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物。二阶栅极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
用于负载开关直流器件高密度 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法-CN202310287791.X在审
发明人：宋坤;王英民;曹磊;刘存生;陈宝忠;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所述P阱表面和栅极两侧沿与沟道平行方向设置有N型LDD区；所述栅极的两侧设置有侧墙；所述侧墙两侧沿与沟道平行方向的N型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的源极和漏极；所述器件沿与沟道垂直方向两端的P型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的体引出极；本申请不需要增加额外的制造工序，结构中由于寄生栅下方介质厚度的增加，寄生栅电容显著降低，提高逻辑单元的工作速度，对抗辐射深亚微米集成电路性能的提升具有重要意义。
一种高速辐射加固微米 soi 器件结构方法

[发明专利]一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法-CN201610458124.3有效
发明人：毛明明;张杨;黄鸿;王青;马涤非;杨翠柏 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，该方法主要是利用传统步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米侧壁图形保留，并进行转移，形成栅脚；而后采用传统光刻工艺方法，形成栅帽，制备出深亚微米级的T型栅。通过本发明方法可以有效克服电子束光刻产能低，而步进光刻机传统制备工艺线宽受限，不能加工深亚微米图形的不足与缺点，同时兼顾栅长及产能。
一种利用常规光刻技术实现微米制备方法

[发明专利]一种深亚波长尺寸声源定向传感器件-CN201510623734.X有效
发明人：祝雪丰;梁彬;程建春;邹欣晔 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01S3/781 文献下载
摘要：本发明公开了一种深亚波长尺寸声源定向传感器件，所述传感器件为核壳结构，核为刚性核，壳为声学超表面，在核壳界面处安装有微型麦克风，所述声学超表面包含若干个圆周均布的折叠槽，折叠槽远离核的一端开口，靠近核的一端封闭本发明的深亚波长尺寸声源定向传感器件，巧妙地利用了封闭声学超表面与入射平面波强相互作用下形成双极子形貌回音壁共振模式，不仅实现对远场声源精确灵敏定向，而且对测量声场不产生明显干扰，形成有效隐身保护。
一种波长尺寸声源定向传感器件

[发明专利]具有深亚微米孔结构的数字微液滴驱动器及制作方法-CN200910051290.1有效
发明人：李铁;皋华敏;刘翔;周萍;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有深亚微米孔结构的数字微液滴驱动器结构及方法，其特征在于所述的数字液滴驱动器包括双极板和单极板两种结构：所述的双极板的结构的下层极板由绝缘衬底、驱动电极阵列、介质层、深亚微米孔结构和疏水膜层构成，上层极板包括绝缘基板、参考电极层、深亚微米孔结构和疏水膜层，上层极板和下层极板由支撑结构进行连接；驱动电极呈阵列状均布于绝缘衬底上，介质层覆盖在驱动电极阵列上，深亚微米孔结构和疏水膜层组成超疏水膜层，采用深亚微米级结构有效增强疏水膜层的疏水性能，有效减小结构的厚度，降低驱力电压。
具有微米结构数字微液滴驱动器制作方法

[发明专利]一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法-CN201110403893.0有效
发明人：张正选;刘张李;胡志远;宁冰旭;毕大炜;陈明;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
一种用于分析微米器件剂量辐射效应方法

[发明专利]利用复合掩模版制备微波功率器件的方法-CN200910263949.X有效
发明人：邓建国;刘英坤;胡顺欣 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法采用选择性氧化技术和表面平坦化技术实现芯片场区和有源区处于同一焦平面，实现等平面结构；采用同一块复合掩模版进行光刻，刻蚀形成发射区和基极欧姆接触区的掺杂窗口，然后完成发射区和基极欧姆接触区掺杂，同时结合侧墙保护技术实现双极器件芯片发射极和基极自对准该方法实现了亚微米、深亚微米图形的光刻工艺，并且通过一次光刻工艺使得发射区和基极欧姆接触区的间距相等，从而达到提高微波功率器件的微波性能目的。
利用复合模版制备微波功率器件方法

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