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[实用新型]沉积蒸发系统及沉积蒸发传动装置-CN201520433342.2有效
发明人：乐仲;孙福河;闻永祥;曹永辉 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沉积蒸发系统以及沉积蒸发系统的传动装置，沉积蒸发系统用于对基片进行倾斜蒸发沉积，包括动力机构、沉积蒸发传动装置和真空蒸发器，所述动力机构与所述沉积蒸发传动装置相连接，用于驱动所述沉积蒸发传动装置转动；所述真空蒸发器位于所述沉积蒸发传动装置的下方；所述真空蒸发器的蒸发源面向所述沉积蒸发传动装置放置，所述蒸发源的纵向中心线与基片所在平面平行。本实用新型提供的沉积蒸发系统具有多片蒸发、基片旋转等优点，可有利于产能提升和生产成本的降低，更适用于倾斜角蒸发纳米结构薄膜的批量生产。
沉积蒸发系统传动装置

[发明专利]形成膜层的方法-CN97117185.8无效
发明人：本田和义;小田桐优;高桥喜代司;越后纪康;砂流伸树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-05-21 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种形成膜层的方法，包括下列步骤：蒸发液态的沉积材料；该蒸发后的沉积材料加到一可旋转的加热表面上从而使该蒸发后的沉积材料沉积到该加热表面上；加热和蒸发位于，旋转的加热表面上的该已沉积的沉积材料，同时将该已沉积的沉积材料移动；以及将在旋转的加热表面上被蒸发的沉积材料沉积在沉积表面上，将该沉积材料加到加热表面上的使在蒸发步骤中蒸发的沉积材料不能线性地到达沉积表面的位置处。
形成方法

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201310697963.7有效
发明人：梁皓植;卞柱舜 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜沉积装置，更详细的说根据沉积物质的蒸发，在基板形成薄膜的薄膜沉积装置。本发明公开了薄膜沉积装置的特征在于，根据薄膜沉积装置，包括：工序腔室；一个以上的蒸发源，使沉积物质蒸发，使搬运至所述工序腔室的基板上沉积薄膜；与一个以上的开关板，屏蔽在所述蒸发源蒸发的沉积物质，所述开关板，包括：基座部，沉积蒸发的沉积物质；至少一个热屏蔽部件，层叠在所述基座部上部，屏蔽在所述蒸发源蒸发沉积物质时发生的热辐射。
薄膜沉积装置沉积蒸发蒸发源工序腔室基座部开关板屏蔽基板热屏蔽部件沉积薄膜蒸发沉积热辐射薄膜搬运

[发明专利]金属复合材料制备装置及其制备方法-CN201711371285.X在审
发明人：张晓琨;闫宗楷 -专利权人：成都亦道科技合伙企业（有限合伙）
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及锂电池领域，特别涉及一种金属复合材料制备装置及其制备方法，所述金属复合材料制备装置包括沉积腔体和独立设置于所述沉积腔体内的基台及多个独立设置且气压可调的蒸发腔；所述蒸发腔内设置有放置蒸料的蒸发位，所述基台上用于放置待沉积基底，所述蒸料由蒸发位蒸发并沉积在所述待沉积基底之上。所述制备方法中，通过调节蒸发腔的气体排出速率与所述蒸发位的蒸发速率，使原子由蒸发腔进入沉积腔体内，并于以所需沉积速率在基底上沉积。基于上述方法可提高多元材料共蒸发的可控性，从而更精准地控制金属或金属化合物蒸料的蒸发速率，以提高所述蒸发沉积的沉积物中蒸料比例范围及蒸发沉积的均匀度。
金属复合材料制备装置及其方法

[发明专利]沉积蒸发系统-CN201510349888.4在审
发明人：乐仲;孙福河;闻永祥;曹永辉 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积蒸发系统，用于对基片进行倾斜蒸发沉积，包括动力机构、沉积蒸发传动装置和真空蒸发器，所述动力机构与所述沉积蒸发传动装置相连接，用于驱动所述沉积蒸发传动装置转动；所述真空蒸发器位于所述沉积蒸发传动装置的下方；所述真空蒸发器的蒸发源面向所述沉积蒸发传动装置放置，所述蒸发源的纵向中心线与基片所在平面平行，所述沉积蒸发传动装置包括旋转架、基片载具和轨道，所述蒸发源的纵向中心线经过所述轨道所在圆的圆心。本发明提供的沉积蒸发系统具有多片蒸发、每个基片旋转速度可调和每个基片的倾斜角度可调等优点，可有利于产能提升和生产成本的降低，更适用于倾斜角蒸发纳米结构薄膜的批量生产。
沉积蒸发系统

[发明专利]真空沉积装置-CN201280013425.5无效
发明人：宫川展幸;西森泰辅;安食高志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：提供了一种可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计且可提高沉积膜厚度的测量精度的真空沉积装置。在真空室（1）中布置有被沉积体（4）和多个蒸发源（2），所述真空室包括包围被沉积体（4）和多个蒸发源（2）之间的空间的筒状体（3）、以及膜厚度计（10）。所述装置被构造成使得从多个蒸发源（2）蒸发的沉积材料（9）穿过筒状体（3）内部，到达被沉积体（4）的表面，并且沉积在该表面上。在膜厚度计（10）与所述多个蒸发源（2）中的至少一个蒸发源（2）之间布置有导管（7），所述导管用于将从所述蒸发源（2）蒸发的沉积材料（9）引导至膜厚度计（10）。导管（7）在蒸发源（2）一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源（2）的开口表面大致相同的表面上或者所述蒸发源（2）的内部。
真空沉积装置

[发明专利]一种钙钛矿薄膜的蒸发设备及其使用方法和应用-CN201610721602.5在审
发明人：姚冀众;颜步一 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿薄膜的蒸发设备及其使用方法和应用，包括分开设置的蒸发系统和沉积系统，蒸发系统和沉积系统通过蒸汽通道相互连通，蒸发系统包括沉积腔体，在沉积腔体内设置有放置待沉积基板的沉积支架，在沉积腔体的蒸汽通道进入口与待沉积基板之间设置有网筛，在网筛上设置有多个便于蒸汽通过的通孔，蒸发系统蒸发的蒸汽通过蒸汽通道进入沉积腔体，并经过网筛的通孔后均匀地分布在待沉积基板的表面上。本发明将蒸发系统和沉积系统分置于不同的腔室，且可以单独控制蒸发系统和基板所在沉积系统的腔室温度。另一方面，在沉积腔体里设置了网筛，使进入沉积腔体的蒸汽均匀分布，使每个基板接触到的气流相同，改善了成膜质量。
一种钙钛矿薄膜蒸发设备及其使用方法应用

[实用新型]金属复合材料制备装置-CN201721777617.X有效
发明人：张晓琨;闫宗楷 -专利权人：成都亦道科技合伙企业（有限合伙）
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及锂电池领域，特别涉及一种金属复合材料制备装置，所述金属复合材料制备装置包括沉积腔体和独立设置于所述沉积腔体内的基台及多个独立设置且气压可调的蒸发腔；所述蒸发腔内设置有放置蒸料的蒸发位，所述基台上用于放置待沉积基底，所述蒸料由蒸发位蒸发并沉积在所述待沉积基底之上。利用上述可金属复合材料制备装置，提高多元材料共蒸发的可控性，从而更精准地控制金属或金属化合物蒸料的蒸发速率，以提高所述蒸发沉积的沉积物中蒸料比例范围及蒸发沉积的均匀度。
金属复合材料制备装置蒸料蒸发沉积独立设置蒸发沉积蒸发腔基底沉积物本实用新型金属化合物沉积腔体多元材料气压可调沉积腔共蒸发均匀度可控性锂电池基台体内金属

[发明专利]用于金属和陶瓷材料沉积的增材制造系统和方法-CN201880088787.8在审
发明人： P·莫尔斯 -专利权人：亚利桑那薄膜研究有限责任公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本公开涉及减少或消除由增材制造过程产生的本体沉积材料微结构中缺陷的增材制造系统和方法。增材制造系统包括使沉积材料蒸发以形成蒸发的沉积材料，以及使蒸发的沉积材料电离，以形成电离的沉积材料通量。在形成电离的沉积材料通量之后，引导电离的沉积材料通量通过孔，加速至受控动能水平并沉积到基材的表面上。孔机构可以包括物理、电、或磁的孔机构。沉积材料的蒸发可以利用蒸发机构来进行，所述蒸发机构包括电阻加热、感应加热、热辐射、电子加热和电弧源加热。
用于金属陶瓷材料沉积制造系统方法

[发明专利]沉积有机化合物的设备和方法以及具有该设备的基底处理装置-CN200680041455.1有效
发明人：卢一镐;崔硕珉;郑领哲 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明提供了沉积有机化合物的设备，以在基底上沉积预定的有机膜。该设备包括沉积室、设置在沉积室内部并且支撑基底以使基底的沉积表面朝下的支撑构件、在其中安装有有机蒸发器以将有机化合物蒸镀到基底的沉积表面上的蒸发器安装部分，以及与蒸发器安装部分相邻设置的用以更换有机蒸发器的蒸发器更换部分根据该设备，蒸发有机化合物的有机蒸发器自动更换。
沉积有机化合物设备方法以及具有基底处理装置

[发明专利]直流等离子体化学气相沉积设备-CN200710031822.6无效
发明人：邵庆益 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C23C16/503 文献下载
摘要：本发明是一种直流等离子体化学气相沉积设备。包括沉积反应室、两端分别与沉积反应室相通及与抽气系统连接的管道、衬底支架、源气体激活装置，源气体激活装置包含上电极、下电极、电极冷却管道及分别与上电极及下电极连接的直流电源，上电极及下电极分别置于沉积反应室的上部及下部，其中上电极和衬底之间设有平行放置的热蒸发装置，热蒸发装置包括热蒸发丝及对热蒸发丝供电的热蒸发丝电源，热蒸发丝固定于沉积反应室底座上的热蒸发支架上，热蒸发丝通过沉积反应室上的接线柱与置于沉积反应室外的热蒸发丝电源相接本发明既可进行直流等离子体化学气相沉积处理，又可同时进行热蒸发处理，具有直流等离子体和热蒸发处理组合功能的优点。
直流等离子体化学沉积设备

[发明专利]半导体装置-CN201110321129.9有效
发明人：荒泽亮;岩渊友幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200710006161.1有效
发明人：荒泽亮;岩渊友幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。
半导体装置

[发明专利]沉积蒸发源-CN201010149792.0无效
发明人：雷智;邹志杰 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积蒸发源，其包括加热装置、放置于该加热装置上方的加热板和放置于所述加热板上的蒸发材料，其中所述加热板上均匀地设有贯穿所述加热板的通道。根据本发明的沉积蒸发源能够有效地解决由在蒸发过程中蒸发物质所处的工作气氛不一致而导致沉积薄膜的光电特性欠佳的问题。根据本发明的沉积蒸发源能够使得沉积薄膜的结构、光电特性一致，从而获得高品质的沉积薄膜。
沉积蒸发

[发明专利]用于沉积蒸发的材料的沉积源、沉积装置及其方法-CN201880098803.1有效
发明人：斯里尼瓦斯·萨鲁古;安德烈亚斯·穆勒;塞巴斯蒂安·弗兰克;安德烈亚斯·勒普;乌韦·许斯勒;朱利安·奥巴赫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：描述了一种用于沉积蒸发的材料的沉积源。所述沉积源(100)包括分配布置(110)，所述分配布置具有多个出口(111)以用于在主沉积方向(101)上提供蒸发的第一材料(A)和蒸发的第二材料(B)。另外，所述沉积源包括测量组件(120)，所述测量组件用于测量所述蒸发的第一材料(A)的第一沉积速率并用于测量所述蒸发的第二材料(B)的第二沉积速率。所述测量组件(120)具有处于与所述主沉积方向(101)交叉的方向上的主检测方向(102)。此外，所述沉积源(100)包括分离元件(130)，所述分离元件用于在与所述主检测方向(102)交叉的方向上分离所述蒸发的第一材料(A)和所述蒸发的第二材料(B)。
用于沉积蒸发材料装置及其方法

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