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[发明专利]一种半导体封装结构的开封方法-CN202110226516.8在审
发明人：徐静 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装结构的开封方法，半导体封装结构包括基板、晶粒堆叠结构和封装材料层；晶粒堆叠结构包括依次堆叠设置在基板上的多个晶粒；多个晶粒包括目标晶粒；开封方法包括以下步骤：对半导体封装结构远离基板的一侧沿纵向进行减薄处理，直至距离目标晶粒的上表面预设距离的减薄停止面，使半导体封装结构保留位于目标晶粒的上表面与减薄停止面之间的减薄剩余材料，以及位于减薄停止面下方且位于目标晶粒四周的减薄后封装材料层；以及移除减薄剩余材料以及位于减薄停止面下方且位于目标晶粒四周的部分减薄后封装材料层，以使目标晶粒的上表面凸出于剩余的封装材料层。
一种半导体封装结构开封方法

[发明专利]一种对InP材料进行减薄和抛光的方法-CN201310068641.6有效
发明人：汪宁;苏永波;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。利用本发明，大大提高了减薄效果，实现了无污染，低损伤，高效率，镜面效果的减薄抛光衬底，解决了InP MMIC后道的工艺难题。
一种 inp 材料进行抛光方法

[发明专利]一种硅片减薄方法-CN201310425797.5有效
发明人：王思亮;胡强;张世勇;樱井建弥 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种硅片减薄方法。步骤1，将保护材料设置在硅片的正面；步骤2，用分阶段研磨的方式对所述硅片进行背面减薄，具体减薄过程分为两个阶段；步骤3，将研磨减薄后的硅片放入腐蚀液中，用磨砂轮以腐蚀速率v3进行湿法腐蚀；步骤4，将保护材料从硅片上去除本发明减少了硅片在减薄过程中产生的缺陷，既保证了硅片减薄的批量化进行，又能有效地减少因为减薄所带来的背面缺陷和损伤层，并对个减薄和腐蚀过程中的厚度比例以及速率有精细的控制，所以减薄过程中硅片表面不会产生较多的缺陷和损伤，并通过减薄后的离子注入验证了缺陷减少的效果。
一种硅片方法

[发明专利]一种蓝宝石复合衬底及其制作方法-CN202010497900.7在审
发明人：余金隆;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石复合衬底及其制作方法，所述复合衬底包括减薄蓝宝石衬底、设于减薄蓝宝石衬底正面的缺陷阻挡层、防止减薄蓝宝石衬底弯曲的增厚层、以及将增厚层粘接在减薄蓝宝石衬底背面的粘接层；所述缺陷阻挡层设有若干个开孔，所述缺陷阻挡层由透明不导电材料制成，所述透明不导电材料的晶格与外延层的晶格相配，所述增厚层由导热材料制成。本发明在减薄蓝宝石衬底上形成设有若干个开孔的缺陷阻挡层，有效减少氮化镓外延材料的位错密度，减少晶格缺陷；在减薄蓝宝石衬底的背面形成增厚层，可以减少衬底发生翘曲。
一种蓝宝石复合衬底及其制作方法

[发明专利]锂离子电池正极片及其制备方法以及锂离子电池-CN202010708643.7有效
发明人：韦世超;彭冲;李俊义;徐廷铭 -专利权人：珠海冠宇电池股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池正极片及其制备方法以及锂离子电池，所述锂离子电池正极片包括集流体和涂敷于集流体的至少一表面的活性材料层，活性材料层由位于集流体表面两侧边缘处的减薄区和与两侧边缘处减薄区相连的未减薄区组成，减薄区的活性材料的面密度小于未减薄区的活性材料的面密度；减薄区沿集流体的长度方向逐渐变宽且其最宽处位于集流体靠近极耳的一端。
锂离子电池正极及其制备方法以及

[实用新型]一种蓝宝石复合衬底-CN202021009022.1有效
发明人：余金隆;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝宝石复合衬底，包括减薄蓝宝石衬底、设于减薄蓝宝石衬底正面的缺陷阻挡层、防止减薄蓝宝石衬底弯曲的增厚层、以及将增厚层粘接在减薄蓝宝石衬底背面的粘接层；所述缺陷阻挡层设有若干个开孔，所述缺陷阻挡层由透明不导电材料制成，所述透明不导电材料的晶格与外延层的晶格相配，所述增厚层由导热材料制成。本实用新型在减薄蓝宝石衬底上形成设有若干个开孔的缺陷阻挡层，有效减少氮化镓外延材料的位错密度，减少晶格缺陷；在减薄蓝宝石衬底的背面形成增厚层，可以减少衬底发生翘曲。
一种蓝宝石复合衬底

[发明专利]用于碳化硅晶圆的减薄砂轮制备方法-CN202310882814.1在审
发明人：尹韶辉;周仁宸;康宁;王哲;吉佛涛;杨远航 -专利权人：无锡市锡山区半导体先进制造创新中心;湖南大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅晶圆的减薄砂轮制备方法，包括：根据预定配方对多种原材料进行均匀混合，得到减薄砂轮模块成型料，多种原材料包括细粒度金刚石磨料、辅助磨料、陶瓷结合剂、造孔剂、粘结剂、分散剂、润滑剂；对减薄砂轮模块成型料进行冷压成型得到减薄砂轮磨块生坯，对该生坯进行烧结，其中，按照预定升温曲线进行升温至烧结温度，在烧结完成后进行冷却，得到减薄砂轮磨块熟坯；对该熟坯进行表面处理，得到减薄砂轮磨块；获取砂轮基体并进行去油清洗及干燥处理；将减薄砂轮磨块垂直粘贴在砂轮基体的沟槽内，并进行固化成型及修整处理，以得到减薄砂轮。根据本发明制备的减薄砂轮减薄后可获得超平坦、无缺陷及无损伤的碳化硅晶圆表面。
用于碳化硅砂轮制备方法

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法-CN201810390559.8有效
发明人：刘碧录;任洁 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C30B29/64 文献下载
摘要：本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，所述减薄方法为：将层状过渡金属硫族化合物材料首先在氯金酸溶液中浸泡一定时间，之后将其取出，在水中浸泡一定时间。去除样品表面的残留水分后，即得到减薄后的过渡金属硫族化合物材料原子晶体。所述减薄方法采用氯金酸对层状材料进行处理，能够快速地对其进行减薄，所述方法具有操作简单、减薄速度快、可控性好、对样品质量无损等优点，能够制备出薄层大面积渡金属硫族化合物二维原子晶体。
减薄过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控金属硫族化合物氯金酸溶液材料原子层状材料水中浸泡样品表面可控性氯金酸薄层去除无损制备浸泡取出残留

[发明专利]硬质材料减薄抛光的工艺方法-CN201410347525.2在审
发明人：朱孟奎 -专利权人：上海百兰朵电子科技有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种硬质材料减薄抛光的工艺方法，其特征是利用合成铜盘研磨盘和研磨液；硬质材料的待减薄抛光面与合成铜盘研磨盘充分接触，对硬质材料进行加重；合成铜盘研磨盘转动对硬质材料进行减薄抛光；合成铜盘研磨盘转动时本工艺方法中对硬质材料进行减薄和抛光，使产品的表面平整度可以有效控制在5μm以内，产品去除率达2-3.5μm/min，产品表面粗糙度＜0.2μm。
硬质材料抛光工艺方法

[发明专利]基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片减薄方法-CN201611198428.7有效
发明人：冯雪;蔡世生;张长兴;李海成;张迎超;韩志远 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片纯机械无化学式减薄方法，属于柔性可延展光子/电子器件、半导体以及微电子技术领域。本发明方法利用纳米金刚石颗粒作为磨削材料纯机械无化学式减薄各种芯片材料(电子、光子芯片等)；在减薄过程中，通过改变纳米金刚石的粒径来调控粗糙、中度、精细研磨以及抛光；通过调控芯片托盘的芯片槽的大小来实现不同尺寸芯片的大规模减薄本发明方法适用于各种芯片材料大规模的减薄，同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可达到10μm左右，能够很好地契合柔性可延展光子/电子器件所需的器件厚度。
基于纳米金刚石颗粒大规模芯片方法

[发明专利]一种玻璃减薄工艺-CN202011324555.3在审
发明人：杨建文;陈振宇;朱思伟;黄伊震;吕君南;叶健新 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了本发明的技术方案是：一种玻璃减薄工艺，包括第一步：适当减薄玻璃，依据玻璃自身的材料特性，使用相关玻璃减薄方法，将厚度为0.05mm‑2.0mm的玻璃减薄到厚度为0.030mm‑0.3mm；第二步：强化处理，使用相关玻璃强化工艺，将经过第一步处理后的玻璃进行强化处理；第三步：再次减薄玻璃，再次依据玻璃自身的材料特性，将经过第二步处理后的玻璃进行减薄；第四步：减薄至需要厚度，循环第二步和第三步，直到将玻璃厚度减薄至0.005mm‑0.100mm，最后一步停留在第二步强化处理或第三步再次减薄玻璃。本发明解决了现有玻璃在减薄过程中因刚性和强度下降所带来的一系列问题。
一种玻璃工艺

[发明专利]一种晶圆减薄方法及减薄装置-CN202211694359.4在审
发明人：李森;刘远航;赵德文;路新春 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄方法及减薄装置，所述晶圆减薄方法在减薄装置中进行，所述减薄装置包括转台，所述转台的表面配置有六个工位，分别包括多个装卸工位、多个粗磨工位和多个精磨工位；所述晶圆减薄方法包括：提供至少一片晶圆，由所述装卸工位上片；所述转台带动晶圆转动进入各所述粗磨工位，进行多次粗磨减薄；所述转台继续带动晶圆转动进入各所述精磨工位，进行多次精磨减薄。本发明提供的减薄装置配置了6加工工位，可采用不同的加工模式兼容不同硬度材料的减薄工艺，节省了加工时间，大幅提升了晶圆减薄的产能和设备利用率。
一种晶圆减薄方法装置

[发明专利]一种基于施加脉冲磁场的铁电材料减薄加工方法-CN201611096365.4在审
发明人：杭伟;周立波;袁巨龙;赵军;吕冰海;邓乾发 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：一种基于施加脉冲磁场的铁电材料减薄加工方法，铁电材料表面减薄加工时施加脉冲磁场，所述方法包括以下步骤(1)表面加工铁电材料，砂轮以ns的转速，f的进给速度对铁电材料进行加工，铁电材料的转速是nw；(2)本发明提供一种提高加工效率的基于施加脉冲磁场的铁电材料减薄加工方法。
一种基于施加脉冲磁场材料加工方法

[发明专利]一种低能光激励的材料无损减薄方法-CN202011420585.4有效
发明人：黎松林;邱利鹏;徐宁 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低能光激励的材料无损减薄方法，包括以下步骤：将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上；对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度；控制合适的刻蚀条件；在待减薄材料上施加刻蚀激励本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力；减薄后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性；减薄精度达到原子级控制水平；本发明实现了原位定向刻蚀能力，与微电子工艺兼容；采用低功率刻蚀激励，提高工艺可控性
一种低能激励材料无损方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作、减薄方法-CN202011409672.X在审
发明人：胡川;卢瀚仑;陈志涛;王垚 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作、减薄方法，涉及半导体材料加工技术领域。该半导体结构包括衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层，衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层逐层连接；且衬底与目标刻蚀液的刻蚀速率大于或等于减薄功能层与目标刻蚀液的刻蚀速率的2倍。本申请提供的半导体结构及其制作、减薄方法具有减薄效率快且质量更好的效果。
一种半导体结构及其制作方法

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