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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510116089.9有效
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古川忍
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株式会社半导体能源研究所
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2005-10-28
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2006-05-31
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H01L51/40
- 本发明提供了一种方法，在制造具有分子取向的有机半导体中，该方法能够通过摩擦使有机半导体层中的分子定向，从而使有机半导体层中的分子定向而不损坏有机半导体层，并且该方法通过摩擦栅极绝缘膜使有机半导体层中的分子定向，而不损失栅极绝缘膜与有机半导体层之间界面的平坦性。本发明的一个特征是，在制造半导体器件中，通过将具有定向膜的第二衬底提供给具有栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极和有机半导体层的第一衬底使得定向膜与有机半导体层接触，然后加热，在加热之后快速或慢速冷却，从而高度定向有机半导体层中的分子。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03801738.5无效
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和田胜;近藤真一郎;安田亮一
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索尼株式会社
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2003-07-02
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2005-03-30
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H01L29/78
- 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]制备尺寸可控的高取向有机小分子半导体单晶图案的方法-CN201410196018.3有效
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王哲;高明圆;吴君辉;袁艺
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北京航空航天大学
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2014-05-09
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2018-03-02
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H01L51/00
- 本发明公开了一种制备尺寸可控的高取向有机小分子半导体单晶图案的方法，本发明基于毛细力刻蚀和聚合物辅助有机蒸汽处理，与传统的毛细力刻蚀不同的是，本发明采用溶剂软化样品。在聚合物辅助有机蒸汽处理毛细力刻蚀过程中，将与模板紧密接触的有机小分子半导体/聚合物混合膜暴露在饱和有机蒸汽中，使其软化甚至部分溶解。在毛细力的作用下，聚合物带动有机小分子半导体沿模板侧壁攀升，填充入模板与基底形成的沟槽中，有机小分子半导体在模板图案限制和毛细力的双重作用下取向重结晶，最终在聚合物上形成高取向的有机小分子半导体单晶微结构有机蒸汽和聚合物为有机小分子半导体重结晶提供了媒介。本发明通过调控聚合物种类、混合溶液浓度、有机溶剂种类以及蒸汽压，可以在聚合物表面上形成大面积、尺寸均一、高取向的有机小分子半导体单晶图案。
- 制备尺寸可控取向有机分子半导体图案方法
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