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[发明专利]基板处理装置-CN201910659458.0有效
发明人： 浅川钢儿;笹尾典克;杉村忍 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：根据一种实施方式，是一种高分子材料，其在对被加工膜进行如下加工时使用，所述加工是使用所述高分子材料在具有被加工膜的基板的所述被加工膜上形成有机膜并进行了图案形成，然后以使金属化合物含浸于所述有机膜而得的复合膜作为掩模图案，对所述被加工膜进行的加工，所述高分子材料含有包含第1单体单元的聚合物，所述第1单体单元的侧链具有非共享电子对和芳香环。
处理装置

[发明专利]图案形成材料、图案形成用组合物、图案形成方法及半导体装置的制造方法-CN201910823585.X有效
发明人：笹尾典克;浅川钢儿;杉村忍 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C08F220/10 文献下载
摘要：根据一种实施方式，是一种图案形成材料，其在对被加工膜进行如下加工时使用，所述加工是在具有被加工膜的基板的上述被加工膜上，使用图案形成材料形成有机膜并进行了图案形成，然后以使金属化合物含浸于上述有机膜而得的复合膜作为掩模图案，对上述被加工膜进行的加工，所述图案形成材料含有：包含在侧链具有非共享电子对和芳香环的第1单体单元的聚合物。
图案形成材料组合方法半导体装置制造

[发明专利]化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法-CN202110095900.9在审
发明人：笹尾典克;浅川钢儿;杉村忍 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C07C69/76 文献下载
摘要：本申请发明涉及一种化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法。本发明的图案形成材料在如下情况下使用，即，在具有被加工膜的衬底的被加工膜上，使用图案形成材料形成有机膜并进行图案化之后，将使金属化合物含浸在有机膜中所得的复合膜作为掩模图案而对被加工膜进行加工时，且本发明的图案形成材料含有包含下述通式(3)所表示的单体单元的聚合物。[化1]其中，R1是H或CH3，R2是α碳为伯碳、仲碳或叔碳的C2‑14的烃基，Q是氢原子可以被卤素原子取代的C1‑20的烃基、或者在氢原子可以被卤素原子取代的C1‑20的烃基的碳‑碳原子间或键末端含有氧原子、氮原子或硫原子的有机基，X及Y分别独立地是氢原子或C1‑4的烃基，其中至少1个为C1‑4的烃基。
化合物聚合物图案形成材料方法半导体装置制造

[发明专利]化合物、聚合物、图案形成材料、图案形成方法及半导体装置的制造方法-CN202010122116.8在审
发明人：笹尾典克;浅川钢儿;杉村忍 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C07C69/76 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够制作作为图案形成材料有用的聚合物的聚合性化合物、使用该化合物所获得的聚合物。进而，本发明的实施方式提供一种能够制作包含具有较高蚀刻耐受性的含金属有机膜的掩模图案的图案形成材料、使用该图案形成材料的图案形成方法及半导体装置的制造方法。实施方式的化合物由下述通式(1)所表示。其中，所述通式(1)中，R5为氢原子或甲基，R6分别独立为乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、或仲丁基。
化合物聚合物图案形成材料方法半导体装置制造

[发明专利]基板处理装置-CN201910654560.1在审
发明人：笹尾典克;浅川钢儿;杉村忍 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，使用包含聚丙烯腈的嵌段单元的聚合物在具有被加工膜的基板的上述被加工膜上形成有机膜，向上述有机膜供给金属化合物而形成复合膜，将上述复合膜部分地除去而形成图案，然后进行加热，将上述加热后的复合膜作为掩模对上述被加工膜进行加工。
处理装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201510552750.4有效
发明人：服部繁树;多田宰;寺井胜哉;西泽秀之;浅川钢儿;福住嘉晃 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。
非易失性半导体存储装置控制栅极电极有机分子层半导体层电荷保持特性分子结构有机分子

[发明专利]有机分子存储器-CN201280009970.7有效
发明人：西沢秀之;服部繁树;寺井胜哉;御子柴智;浅川钢儿;多田宰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
有机分子存储器

[发明专利]半导体发光元件-CN201310096239.9无效
发明人：中村健二;藤本明;中西务;北川良太;浅川钢儿;镰仓孝信;布谷伸仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。
半导体发光元件

[发明专利]图案形成方法和聚合物合金基材-CN201180035598.2有效
发明人：服部繁树;浅川钢儿;中村裕子;北川良太;清野由里子;菅野正洋;比嘉百夏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。
图案形成方法聚合物合金基材

[发明专利]太阳能电池-CN201080065818.1有效
发明人：堤荣史;益永久美;北川良太;中西务;藤本明;浅川钢儿 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构，其中：金属多孔膜位于光辐射侧；金属多孔膜与光电转换层直接接触；金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面；以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极，太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
太阳能电池

[发明专利]光电转换元件及其制造方法-CN201080067177.3无效
发明人：益永久美;藤本明;堤荣史;浅川钢儿;中西务;西泽秀之;北川良太 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：公开了一种使用增强的电场增加载流子激发的高效光电转换元件。所公开的光电转换元件包括光电转换层，所述光电转换层由层叠在两个电极层之间的两个或更多个半导体层形成，并且所述光电转换元件具有在所述光电转换层中的电场增强层，所述电场增强层被夹在所述半导体层之间。所述电场增强层包括金属精细结构体，其中所述金属精细结构体是多孔薄膜或诸如微球体的微小体。
光电转换元件及其制造方法

[发明专利]图案形成用树脂组合物、图案形成方法及发光元件的制造方法-CN201080031490.1有效
发明人： 浅川钢儿;北川良太;藤本明;白江良章;赖末友裕;池田章彦 -专利权人：株式会社东芝;旭化成电子材料株式会社
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供能够直至光的波长程度稳定地形成图案的图案形成用树脂组合物、使用了该组合物的海岛结构图案的形成方法及实现高发光效率特性的发光元件的制造方法。一种图案形成用树脂组合物，其是包含(a)包含含芳香环的聚合物和聚(甲基)丙烯酸酯作为嵌段部分的规定的嵌段共聚物；(b)规定的含芳香环的聚合物的均聚物；以及(c)规定的聚(甲基)丙烯酸酯的均聚物的图案形成用树脂组合物，其中，含芳香环的均聚物(b)和聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为0质量％～90质量％，并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和含芳香环的均聚物(b)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量％～60质量％。
图案形成树脂组合方法发光元件制造

[发明专利]光电转换元件-CN201210054850.0无效
发明人：藤本明;中西务;中村健二;益永久美;浅川钢儿 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种光电转换元件包括光电转换层以包括层叠的第一金属层、半导体层和第二金属层。此外，第一金属层和第二金属层中的至少一个是具有多个通孔的纳米网状金属或者具有多个彼此分开设置于半导体层上的金属点的点状金属。光电转换层包括长波长吸收层，该长波长吸收层包含的杂质不同于用于半导体层的p型掺杂和n型掺杂的杂质。长波长吸收层位于距离纳米网状金属或者点状金属5纳米内的深度。
光电转换元件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201110248634.5无效
发明人：布谷伸仁;小川雅章;浅川钢儿;北川良太;藤本明;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：实施方式涉及的半导体发光元件具备：发光体、第一电极层、第二电极层、焊盘电极和辅助电极部。发光体在一侧设有第一导电型的第一半导体层，在另一侧设有第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层和第二半导体层之间设有发光层。第一电极层在第二半导体层的与第一半导体层相反的一侧设置，且具有金属层和沿从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向贯通上述金属层的多个开口部。第二电极层与第一半导体层导通。焊盘电极与第一电极层导通。辅助电极部与第一电极层导通，且在与第一方向正交的第二方向上延伸。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法-CN201010520326.9有效
发明人：藤本明;北川良太;堤荣史;浅川钢儿 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法。根据实施例的半导体发光器件包括衬底、化合物半导体层、具备特定开口的金属电极层、光提取层以及反电极。光提取层具有20至120nm的厚度，且至少部分地覆盖金属电极层的金属部分；或者光提取层具有褶皱结构，并至少部分地覆盖金属电极层的金属部分。褶皱结构具有凸起，该凸起被设置为它们的顶点之间的间距为100至600nm，且这些顶点从金属电极层的表面起算的高度为200至700nm。
半导体发光器件使用装置以及制造方法

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