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[发明专利]具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187199.6有效
发明人：帅垚;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡
具有缓冲薄膜制备方法谐振器

[发明专利]一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺-CN202210895503.4在审
发明人：曾龙;李军;夏明许;李建国 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B22D11/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶铜制备工艺，具体涉及一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺，包括如下步骤：S1：制备具有(001)取向的单晶铜棒；S2：将制备得到的具有(001)取向的单晶铜棒制成单晶铜水平连铸牵引杆；S3：利用制得的单晶铜水平连铸牵引杆配合热型水平连铸机进行单晶铜的制备。与现有技术相比，本发明基于外延生长提供一种高品质单晶铜棒/线材制备方法，特别涉及单晶铜棒/线材取向控制方法，不仅可以杜绝单晶铜棒/线材水平连铸制备过程中的柱状晶现象，提高单晶铜水平连铸制备合格率，还可以严格控制水平连铸单晶铜棒/线材的晶体取向，获得(001)取向与轴向完全重合的单晶铜棒/线材，大幅度提高单晶铜的综合性能。
一种超高品质单晶铜水平制备工艺

[发明专利]具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187181.6有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
具有隔离薄膜制备方法谐振器

[发明专利]一种制备大尺寸单晶的方法-CN202010306276.8在审
发明人：王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰;徐森锋;姜剑;刘惠生;孙同年 -专利权人：中国电子科技南湖研究院;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：一种制备大尺寸单晶的方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的方法。包括以下步骤：材料选取：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；拼接面加工：对半导体单晶块的拼接面进行经过定向、抛光、酸洗处理；单晶拼合：将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接；单晶连接：将拼合后的单晶块，在真空洁净环境或者在挥发性气氛下施加特定的压力，完成大尺寸单晶的制备。有益效果：1、将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程控制简单，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
一种制备尺寸方法

[发明专利]含有PbTiO3的单晶的制备方法-CN201780043264.7在审
发明人：越前谷一彦 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供能够高产率地制备防止单晶的组成变动和缺陷的产生、且在生长方向具有均匀特性的单晶的单晶制备方法。在通过垂直布里奇曼法制备含有PbTiO₃的单晶的单晶制备方法中，使坩埚内积存有熔液的熔液层的厚度为30mm以上来制备单晶。
单晶制备单晶制备熔液均匀特性生长方向高产率积存坩埚垂直

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法-CN202010615816.0在审
发明人：陈红荣;胡动力;张华利;宋亚飞 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在坩埚的底部铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，单晶条的缺陷比值大于相邻单晶籽晶的缺陷比值；在单晶籽晶层与至少一根单晶条上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在单晶的生长过程中，单晶条内的缺陷处易吸附杂质，从而降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率。缺陷比值较大的区域可释放硅锭边部的生长应力，减少了缺陷的产生和增值。此外，本发明还涉及一种由上述制备方法制备得到的铸造单晶硅锭。
铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法-CN202210799889.9在审
发明人：薛江丽;茹亚东;高召顺;左婷婷;韩立;肖立业 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法。所述可商业化生产的铜单晶片的制备方法，包括：利用定向凝固技术将多晶高纯铜块，熔炼制备得到大尺寸、横截面为不同晶面的铜单晶棒；将所述的单晶铜棒沿横截面方向进行线切割，得到上千片的铜单晶片；将所述铜单晶片的两面都进行机械与电化学抛光处理，得到取向一致、表面光滑的铜单晶片，包括Cu(111)、Cu(110)和Cu(001)等晶体取向。将得到的Cu(111)单晶片作为催化基底，利用CVD生长技术可以制备出大面积、高质量的单晶石墨烯。本发明所述的铜单晶片的制备方法具有制备工艺简单成熟、造价低、产率高、可商业化生产等特点，以Cu(111)单晶片为催化基底可以制备得到面积大、质量好的石墨烯单晶。
一种晶片晶石制备方法

[发明专利]一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜-CN202010456025.8在审
发明人：潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;胡佳飞;邱伟成;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜，本发明制备方法的实施步骤包括：将单晶基片进行预处理，预处理包括清洗、高温灼烧；在预处理后的单晶基片的外延面上沉积铁磁金属薄膜；将沉积有铁磁金属薄膜的单晶基片退火处理得到(111)或(0001)取向的单晶薄膜。单晶薄膜为基于前述制备方法制备得到的单晶薄膜。本发明能够实现英寸级单晶薄膜的制备，制备得到的单晶薄膜在英寸级范围内具有原子级平整度、超高洁净度和单一晶化特征，能够为实现大面积石墨烯生长以及高性能石墨烯自旋电子器件研制提供技术基础。
一种英寸级单晶薄膜制备方法

[发明专利]制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构和方法-CN201210100943.2有效
发明人：李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构及方法，其结构是单晶硅衬底上是低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上是高温氮化铝缓冲层；在高温氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上制备高温氮化铝缓冲层；降至室温取出；在高温氮化铝缓冲层上制备碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：通过AlN缓冲层容易制备高质量六方相碳化硅单晶薄膜；低、高温AlN多缓冲层结合使用有助于降低宽禁带单晶薄膜的应力；碳化硅单晶薄膜可通过掺杂形成n或p型；结构简单、工艺可控；表面形貌好；大尺寸低成本
制备尺寸宽禁带单晶薄膜结构方法

[发明专利]镍基单晶合金、其制备方法、用途和热处理方法-CN202110043422.7在审
发明人：赵云松;杨振宇;张辉;刘培元;骆宇时;张剑 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基单晶合金、其制备方法、用途和热处理方法。该镍基单晶合金各组分重量百分比的取值范围包括：Cr：2％～4％；Al：5.55％～5.95％；Ta：8％～10％；Co：7％～10％；Mo：1％～2.5％；Re：5.5％～7％；W：4.5％～6.5％；通过该制备方法能够制备得到该合金。该合金能够用于制备单晶试棒和/或单晶涡轮叶片。该单晶试棒和/或单晶涡轮叶片由该合金制备得到，单晶试棒和/或单晶涡轮叶片能够制备得到该单晶试棒和/或单晶涡轮叶片。
镍基单晶合金制备方法用途热处理

[发明专利]单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材-CN202310686780.9在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材，其中，单晶金刚石基板的制备方法至少包括以下步骤：在一硅基板的上表面制备一层蓝宝石层，且硅基板的上表面的形貌为原子层台阶；在蓝宝石层上生长一层合金膜，硅基板、蓝宝石层和合金膜组成用于生长单晶金刚石基板的基材；在基材上采用微波等离子体化学气相沉积制备单晶金刚石基板；当单晶金刚石厚度达到预设厚度时，停止生长单晶金刚石，并对单晶金刚石基板进行剥离，得到带有合金膜的单晶金刚石基板采用本发明提供的制备方法可以制备大面积的单晶金刚石基板。
金刚石制备方法生长基材

[发明专利]一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜-CN202310420997.5在审
发明人：张腾腾;曹彦伟;张广超;张顺达;张如意 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。
一种制备铪锆氧基单晶薄膜方法

[发明专利]一种氢化锂单晶的制备方法及使用的装置-CN202111545952.8有效
发明人：谢东华;雷洪波;李启寿;杨勇;刘帅帅;甘杰;叶小球;蔡永军;涂昌银 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及氢化锂单晶制备技术领域，尤其涉及一种氢化锂单晶的制备方法及使用的装置。本发明提供了一种氢化锂单晶的制备方法：在氢气的气氛中，处于静止状态的液态氢化锂在移动温度场中生长单晶；所述生长单晶时，固液界面处的液态氢化锂的温度梯度≤10℃/cm，所述移动温度场由加热装置移动形成。本发明提供的制备方法之制备得到的氢化锂单晶晶体缺陷少品质高。由实施例的结果表明，本发明提供的制备方法制备的氢化锂单晶呈半透明状，X射线衍射峰仅有(002)和(004)衍射峰，衍射峰强度高而尖锐，表明氢化锂单晶的阶梯缺陷少，单晶品质高。
一种氢化锂单晶制备方法使用装置

[发明专利]利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法-CN201210100958.9有效
发明人：李忠辉;彭大青;李亮;董逊;倪金玉;张东国 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：单晶硅衬底上制备高V/III比氮化铝缓冲层；在高V/III比氮化铝缓冲层上制备低V/III比氮化铝缓冲层；降至室温取出；在低V/III比氮化铝缓冲层上制备SiC单晶薄膜；在SiC单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜优点：高、低V/III比AlN缓冲层结合有助于缓冲应力；通过AlN缓冲层易制宽禁带单晶薄膜；掺杂形成n或p型SiC单晶薄膜；大尺寸低成本。
利用缓冲制备宽禁带单晶薄膜方法

[发明专利]一种单晶光纤及其制备方法-CN201910504127.X在审
发明人：陶光明;周莹;李攀;向远卓;杨旅云 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C03B37/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶光纤及其制备方法，单晶光纤包括纤芯、内包层和外包层，纤芯为实心单晶纤维。制备方法包括制备内外径匹配的多根管状玻璃的预制棒；对预制棒进行拉丝，得到两层结构的玻璃包层；将实心单晶纤维插入内包层中，进行加热拉锥，得到具有玻璃包层的单晶光纤。本发明采用的管状元件材料、数量、尺寸、位置均可调，其光学和热学性能可最大程度的与单晶材料进行匹配，从而能够确保单晶光纤的模式质量和高功率运转；同时还具有结构简单，制备方便等优点，打破了传统的单晶光纤的包层制备困难这一瓶颈，是单晶光纤理想的包层制备方案。
单晶光纤制备玻璃包层单晶纤维内包层预制棒包层纤芯内外径匹配单晶材料管状玻璃管状元件两层结构热学性能传统的高功率外包层加热可调拉丝拉锥匹配瓶颈运转

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