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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示面板残影风险评估方法及显示面板-CN202110284315.3在审
发明人：罗国仁 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板残影风险评估方法及显示面板，该显示面板残影风险评估方法通过测量显示面板中液晶的介电系数，确定介电系数是否小于或等于介电阈值，在介电系数小于或等于介电阈值时，判定该显示面板存在残影风险，从而对显示面板的残影风险进行有效预测，为改善产品良率提供指导；本申请通过将显示面板中液晶的介电系数控制为大于介电阈值，大大降低了显示面板出现残影缺陷的风险，提高了产品品质和良率。
显示面板风险评估方法

[发明专利]形成介电结构的方法以及半导体结构-CN200810005454.2无效
发明人：陈奕伊;蔡方文;吴振诚;包天一;郑双铭;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。
形成结构方法以及半导体

[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法-CN01129301.2无效
发明人：蔡正原;罗应聪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-06-11 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双重金属镶嵌结构的制造方法，在基底上形成复合介电层，再在复合介电层中形成双重金属镶嵌结构。复合介电层是由依序形成在基底上的第一介电层和第二介电层所组成，且第一介电层的杨氏系数和硬度较第二介电层大，第一介电层的热膨胀系数与铜的差异较第二介电层小，并且第二介电层的介电常数较第一介电层小。能够增加双重金属镶嵌结构的抗热形变、机械强度，且不会影响有效介电常数值。
双重金属镶嵌结构制造方法

[发明专利]高介电系数的天线基板及其天线-CN200610000269.5无效
发明人：卓威明;陈昌升 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-01-10 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01Q1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电系数的天线基板，包括有一第一介电层以及一第二介电层。其中第一介电层具有一第一介电系数；第二介电层形成于第一介电层的一侧，具有一第二介电系数，其中第二介电系数低于第一介电系数。另外，可选择性地设置第一金属层与第二金属层，分别形成于第一介电层的同一侧或两侧，以形成一电容。
高介电系数天线及其

[发明专利]集成电路结构-CN200810149643.7有效
发明人：刘中伟;林耕竹;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路结构，包括：半导体基底、第一低介电系数材料层、第二低介电系数材料层、第一反射金属垫以及焊垫。第一低介电系数材料层位于半导体基底之上，其中第一低介电系数材料层是一种上方低介电系数材料层。低介电系数材料层直接位于第一低介电系数材料层下方。第一反射金属垫位于第二低介电系数材料层之中，且第一反射金属垫具有浮动电性。焊垫位于第一反射金属垫上方，其中焊垫以及第一反射金属垫是垂直地相互对准。
集成电路结构

[发明专利]于低介电系数介电层上形成孔洞的方法-CN200710106933.9有效
发明人：蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明是关于一种利用多晶硅罩幕，而非习知技术所使用的金属硬罩幕，在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。一多晶硅硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上，以及一光阻层被形成于此多晶硅硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶硅硬罩幕以制造低介电系数介电层的暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除，以免破坏低介电系数介电层。
低介电系数介电层上形成孔洞方法

[发明专利]一种层叠栅极制作方法-CN201010507064.2无效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种层叠栅极制作方法，提供具有N阱、P阱和STI的硅衬底的晶片，在所述晶片器件面依次制作层间栅氧化层和高介电系数栅极电介质层，该方法包括，先在沉积的第一高介电系数栅介质覆盖层表面形成第一二氧化硅层，在P阱上方依次刻蚀形成第一保护层和n型高介电系数栅介质覆盖层后第一灰化去除第一保护层上残留的光刻胶；接着在在N阱上方形成第二保护层和p型高介电系数栅介质覆盖层后第二灰化去除光刻胶，然后湿法刻蚀去除第一本发明在灰化去除光刻胶的过程中，由第一、第二保护层作为p型和n型高介电系数栅介质覆盖层的保护层，有效避免了光刻胶去除过程对p型高介电系数栅介质覆盖层和n型高介电系数栅介质覆盖层的破坏，减小了高介电系数栅极电介质
一种层叠栅极制作方法

[实用新型]电介物质介电系数微波测量探头及由其构成的测量装置-CN201420074952.3有效
发明人：黄卡玛;陈倩;杨阳;刘长军;闫丽萍;赵翔;陈星;郭庆功;杨晓庆 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电介物质介电系数微波测量探头及由其构成的测量装置，所述电介物质介电系数微波测量探头包括同轴结构的外导体、内导体及位于内外导体之间的绝缘介质，探头插入待测介电系数物质的测试终端为斜切口结构所述物质介电系数微波测量装置，包括以上所述结构的探头和盛装待测介电系数物质的密闭金属容器，所述密闭金属容器由容器罐体和容器罐盖构成，容器罐盖上设计有与探头外导体外柱面相匹配的插入孔。采用由本实用新型构成的微波测量系统测量物质介电系数，解决了现有技术微波测量装置测量物质介电系数精度不高，难以满足宽带在线测量要求的等问题。
物质系数微波测量探头构成装置

[实用新型]结合高介电系数材料改善耦合损耗的天线-CN201620813250.1有效
发明人：张南;王亚丽;林家正;周浩;陈威谕 -专利权人：杭州禾声科技有限公司
申请日： 2016-07-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种结合高介电系数材料改善耦合损耗的天线，包括耳机地线弹片、绝缘板和高介电系数材料片，所述高介电系数材料片设置在所述绝缘板上，所述绝缘板贴附在所述耳机地线弹片上，所述绝缘板将所述高介电系数材料片本实用新型的有益效果是通过绝缘板将高介电系数材料片、耳机地线弹片分离，避免高介电系数材料片与耳机地线弹片直接电性连接，来改善因相互共振耦合产生的干扰。
结合高介电系数材料改善耦合损耗天线

[发明专利]基于基片集成波导的介电系数测量探头及测量系统-CN201810989450.6有效
发明人：陈倩;刘长军;黄卡玛 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及介电系数测量技术。本发明公开了一种基于基片集成波导的介电系数测量探头及测量系统。本发明基于基片集成波导的介电系数测量探头，包括基片集成波导，所述基片集成波导宽壁上设置有测量孔。本发明的介电系数测量系统，包括上述基于基片集成波导的介电系数测量探头以及测量仪；所述介电系数测量探头通过传输线与测量仪连接；所述测量仪为矢量网络分析仪，基于人工神经网络，根据S参数计算被测介质的介电系数本发明的有益效果是，基片集成波导结构易于加工，实测模型与仿真模型一致性好，可利用神经网络对微波测量仪的测量数据进行反演，直接得到待测物的介电系数及相关参数，测试具有实时、准确的特点。
基于集成波导系数测量探头系统

[发明专利]控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法-CN201110298914.7无效
发明人：陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：将反应气体通入到排气管道直到其稳定；先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；进行介电抗反射薄膜沉积；以及先关反应气体然后再关闭电浆。与已有技术相比，本发明的有益效果在于：先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
控制电抗反射薄膜反射率系数方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201610876433.2在审
发明人：邓志霖;蔡荣训;郑凱方;黄心岩;陈海清;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括于基板上形成多个高介电系数金属栅极结构。高介电系数金属栅极结构被多个间隙所隔开。高介电系数金属栅极结构各包含第一介电层于高介电系数金属栅极结构的上表面。于高介电系数金属栅极结构上且于第一导电材料上形成金属氧化层。于金属氧化层上形成第二介电层。在第二介电层中蚀刻开口。开口被蚀刻贯穿第二介电层且贯穿金属氧化层。以第二导电材料填充开口。
制造半导体装置方法

[发明专利]包括氮化层的半导体器件-CN03123129.2无效
发明人：井上真雄;寺本章伸;土本淳一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：n型半导体衬底(1)，其主表面上含有源极区(20)和漏极区(21)；高介电系数绝缘膜(2)，含有高介电系数材料而形成，覆盖夹在源极区(20)和漏极区(21)之间的区域的上部；掺硼栅极电极(6)，形成在高介电系数绝缘膜(2)的上部；以及高介电系数氮化层(4)，形成在高介电系数绝缘膜(2)和掺硼栅极电极(6)之间。
包括氮化半导体器件

[发明专利]单片微波集成电路-CN98102322.3无效
发明人：山口佳子;岩田直高 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-06-02 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种单片微波集成电路，它包括：螺旋电感；螺旋电感的一开口，开口被设置为由螺旋电感围绕；螺旋电感的第一端；螺旋电感的第二端，第二端设置开口中；设置在开口中的接合盘；设置在开口中的高介电系数薄膜；设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第一高介电系数薄膜电容器，它的一端与接合盘连接，它的另一端与螺旋电感的第二端连接；以及设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第二高介电系数薄膜电容器，它的一端与第一高介电系数薄膜电容器的另一端和螺旋电感的所述第二端连接，它的另一端与地连接；第一高介电系数薄膜电容器和第二高介电系数薄膜电容器共用同一层高介电系数薄膜。
单片微波集成电路

[发明专利]封装基板-CN201510207796.2在审
发明人：姚进财;杨志仁;黄富堂 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种封装基板，包括：包含第一介电部与第二介电部的介电结构、以及设于该介电结构上的线路层，藉由该第一介电部的热膨胀系数不同于该第二介电部的热膨胀系数，故于封装过程中，该封装基板于温度循环时，该第一与第二介电部的伸缩量不同，藉以平衡该封装基板与晶片之间的热膨胀系数差异，以减少该封装基板翘曲的形变量。
封装

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