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- [发明专利]相变化光盘片-CN200410005932.1无效
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陈宏伦
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精碟科技股份有限公司
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2004-02-24
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2005-08-31
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G11B7/24
- 本发明提供一种相变化光盘片，包含一基板、一第一介电层、一第二介电层、一第三介电层、一记录层、一第四介电层、以及一反射层。其中，第一介电层形成于基板上，第二介电层形成于第一介电层上，第二介电层的折射率(n2)大于第一介电层的折射率(n1)，第三介电层形成于第二介电层上，第三介电层的折射率(n3)小于第二介电层的折射率(n2)，记录层形成于第三介电层上，第四介电层形成于记录层上，反射层形成于第四介电层上。
- 相变盘片
- [发明专利]半导体装置及集成电路装置-CN200610074383.2无效
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鲁定中;陈学忠
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2006-04-14
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2007-04-18
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H01L23/532
- 本发明提供一种半导体装置，包括：基底；第一介电层位于上述基底上，其介电常数小于2.7；及第二介电层，位于上述第一介电层上；介层孔，位于上述第一介电层中；导线，填满于上述沟槽开口内，该导线并电性连接上述介层孔；第三介电层，位于上述第二介电层和上述导线之间；以及第四介电层，位于上述第二介电层上。上述第二介电层优选为具有超低介电常数的多孔性介电层材料，上述第二介电层的第二介电常数小于上述第一介电常数、上述第三介电常数、以及上述第四介电常数。本发明可有效的降低介电层的寄生电容值引发的信号延迟，并且可利用超低介电常数及较高介电常数的介电层材料的组合以提升其机械硬度。
- 半导体装置集成电路
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201410245009.9有效
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杨欢;宋华;王蛟
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无锡华润上华科技有限公司
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2014-06-04
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2017-12-19
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H01L23/525
- 所述方法包括a)提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有布线金属层，布线金属层上形成有介电层，介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中第二介电层的材料不同于第一介电层和第三介电层；b)依次对第三介电层、第二介电层和第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；c)采用湿法刻蚀从第一凹槽向两侧对第二介电层进行刻蚀，以在第一介电层和第三介电层之间形成横向槽，并使第一凹槽暴露布线金属层；以及d)在布线金属层以及第三介电层上形成反射层，且布线金属层上的反射层与第三介电层上的反射层断开。该方法能够使焊垫上的反射层与焊垫外的反射层断开。
- 半导体器件及其制作方法
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