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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片加工方法-CN201310408381.2在审
发明人：内田文雄 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：晶片加工方法，能减小晶片上形成的间隔道的宽度，能在器件不产生缺损的情况下进行分割。该晶片加工方法针对在由间隔道划分成的多个区域中形成有器件的晶片，沿着间隔道对晶片进行分割，所述间隔道以格子状形成在晶片正面，该晶片加工方法包括：保护部件粘贴工序，在晶片正面粘贴保护部件；分割槽形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道定位切削刀具，在与间隔道对应的区域中，以保留预定厚度的方式形成未到达正面的分割槽；晶片支承工序，将实施了分割槽形成工序后的晶片的背面粘贴到安装于环状框架的划片带上，并剥离保护部件；晶片分割工序，对实施了晶片支承工序且粘贴于划片带上的晶片施加外力，沿着形成有分割槽的间隔道将晶片分割成各个器件。
晶片加工方法

[发明专利]一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法和抗光衰处理设备-CN202011181317.1在审
发明人：徐建方;王凤连;王莉霞 -专利权人：宁波初创产品设计有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： B65G47/22 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能硅晶片生产技术领域，尤其涉及一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法和太阳能硅晶片抗光衰设备。该装置包括上料输送带、硅晶片限位机构和硅晶片搬移机构；上料输送带和硅晶片限位机构都固定在工作台上，上料输送带输出端与太阳能硅晶片下表面相接触；硅晶片限位机构输出端与太阳能硅晶片两端面相接触；硅晶片搬移机构输出端与太阳能硅晶片上表面相接触，并且硅晶片搬移机构输出端分别与上料输送带和硅晶片输送装置输入端相衔接；该装置通过设置硅晶片限位机构提高整个设备的适用性，保证太阳能硅晶片的精确限位。
一种太阳能晶片抗光衰处理装置方法设备

[发明专利]基准部过滤自动晶片居中工艺和相关系统-CN201980059362.9在审
发明人：本杰明·W·莫瑞;达蒙·蒂龙·格内蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：传感器阵列中的每一传感器检测晶片的边缘何时通过机械手的晶片搬运部件上的传感器并发出信号。确定若干(N)个被检测的晶片边缘位置。每一被检测的晶片边缘位置是晶片搬运部件的坐标系统中的一组坐标(x，y)。针对所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的每一唯一组(N‑1)个被检测的晶片边缘位置，确定基本上使性能指数值最小化的估计晶片偏移量。估计晶片偏移量是从晶片搬运部件的坐标系统的中心延伸至晶片的估计中心位置的向量。最终晶片偏移量被识别为具有最小的对应性能指数值的估计晶片偏移量。最终晶片偏移量用于使晶片在目标工作站居中。
基准过滤自动晶片居中工艺相关系统

[发明专利]一种高精度压电式传感器用石英晶片制备方法-CN202111076917.6在审
发明人：李立志;徐红金 -专利权人：江苏天企奥科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度压电式传感器用石英晶片制备方法，包括如下步骤：将石英晶片放入镀膜机，溅射金属保护膜；将晶片通过通过激光去除加工部位的金属膜；对石英晶片进行晶片腐蚀处理；在X光定向仪上按所需晶向进行定向，用多线切割的方式将镂空晶体板切割；将切割后的晶片进行倒边、粗磨、改圆，然后晶片进行细磨；对加工成型的晶片进行金属腐蚀、抛光处理，去除保护膜并消除应力；对晶片进行角度筛选，确保晶片角度集中。加工中，晶片主体被保护膜进行保护，避免损伤，最终对加工成型的晶片进行金属腐蚀、抛光处理，去除保护膜并消除应力，进行角度筛选，确保晶片角度集中，从而得到高精度晶片，晶片加工效率和精度高，具有推广价值。
一种高精度压电传感器用石英晶片制备方法

[发明专利]一种晶圆级功率模组及其制作方法-CN202210612515.1在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级功率模组及其制作方法，包括晶片和被动元件，晶片包括一晶片功能区，晶片功能区位于晶片的第一表面；被动元件包括至少一功率引脚，被动元件堆叠于晶片的第二表面上，晶片功能区通过一导电通路从晶片的第一表面电性连接至晶片的第二表面，并与被动元件的功率引脚电性连接；导电通路依附于晶片。本发明直接在晶片上连接一被动元件，相比现有技术，该晶片未经过埋入工序，省去了晶片封装带来的高度尺寸的浪费，本发明省去了嵌埋晶片封装的尺寸，使得除被动元件之外的厚度降低了至少50％；本发明对晶圆进行切割形成功率模组，功率模组的平面尺寸与晶圆切割后的晶片平面尺寸相同，省去了埋入工序带来的平面尺寸的浪费。
一种晶圆级功率模组及其制作方法

[发明专利]一种双面抛光晶片的加工方法-CN202210768342.2在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶片加工技术领域的一种双面抛光晶片的加工方法，包括以下步骤：选取经过单面研磨的晶片；其中，晶片经过单面研磨的面为晶片正面；选用抛光液对晶片正面进行超轻压技术抛光；使用研磨液对晶片背面进行深度研磨；选用抛光液对经过深度研磨的晶片的背面进行化学机械抛光，得到双面抛光的晶片。本申请的加工方法将原先走单抛片路线良品的或不良的晶片进行双抛片工艺再生利用加工，而且由于单抛片加工过程已完成晶片其中一侧即晶片正面的研磨工序，在双抛片加工过程中，只需对晶片正面进行调整、修饰的抛光即可，从而从整体上提升了晶片良率，极大节省了对晶片整体双面抛光的加工时间。
一种双面抛光晶片加工方法

[发明专利]一种改善LED晶片翘曲度的切割方法-CN202211003243.1在审
发明人：李法健;吴金凤;吴向龙;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善LED晶片翘曲度的切割方法，涉及LED芯片技术领域，具体一种改善LED晶片翘曲度的切割方法，所述LED晶片翘曲度的切割方法包括有晶片减薄加工、晶片与芯片贴合加工、晶片一次切割加工、晶片蒸镀加工、晶片贴膜加工、晶片二次切割加工、晶片翻膜加工和晶片扩膜加工。该改善LED晶片翘曲度的切割方法，通过降低晶片的翘曲度，实现减少作业过程中的裂片率，降低裂片损失，使得晶片在切割的过程中不损伤背面，减少切割过程中的崩角损失，提高切割良率，同时本发明减少蒸镀N面金属过程中的翘曲度，在蒸镀过程中能使晶片更好的与蒸镀盘面接触，减少蒸镀过程后对AL电极的外观影响。
一种改善 led 晶片曲度切割方法

[发明专利]一种晶圆级功率模组及其制作方法-CN202310626027.0在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级功率模组及其制作方法，包括晶片和被动元件，晶片包括一晶片功能区，晶片功能区位于晶片的第一表面；被动元件包括至少一功率引脚，被动元件堆叠于晶片的第二表面上，晶片功能区通过一导电通路从晶片的第一表面电性连接至晶片的第二表面，并与被动元件的功率引脚电性连接；导电通路依附于晶片。本发明直接在晶片上连接一被动元件，相比现有技术，该晶片未经过埋入工序，省去了晶片封装带来的高度尺寸的浪费，本发明省去了嵌埋晶片封装的尺寸，使得除被动元件之外的厚度降低了至少50％；本发明对晶圆进行切割形成功率模组，功率模组的平面尺寸与晶圆切割后的晶片平面尺寸相同，省去了埋入工序带来的平面尺寸的浪费。
一种晶圆级功率模组及其制作方法

[发明专利]具有晶片对准装置的晶片处理设备-CN200910008024.0有效
发明人：泷泽正浩;诹访田雅荣;赤川真佐之 -专利权人： ASM日本公司
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种半导体处理设备包括：晶片传送室；晶片处理室；晶片传送装置；在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置设置的第一光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片部分地阻挡由第一光电传感器接收的光，并且当晶片在X轴方向从所述准备装载位置朝向晶片处理室移动时，所述晶片基本完全地阻挡由第一光电传感器接收的光；以及在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置放置的第二光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片不阻挡由第二光电传感器接收的光，并且当晶片在X轴方向从准备装载位置朝向晶片处理室移动时，所述晶片部分阻挡由第二光电传感器接收的光。
具有晶片对准装置处理设备

[发明专利]一种彩光LED灯珠及其制备方法-CN201610722902.5有效
发明人：周智明 -专利权人：广东新锐流铭光电有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：该彩光LED灯珠包括四个原色晶片和基板，其中，所述四个原色晶片分别为红色晶片、绿色晶片、第一蓝色晶片和暖白色晶片，所述暖白色晶片由荧光膜片和第二蓝色晶片贴合而成，所述荧光膜片贴在所述第二蓝色晶片的表层，所述四个原色晶片呈田字形设置在所述基板上，且所述红色晶片、暖白色晶片、第一蓝色晶片和绿色晶片按逆时针顺序排布；所述暖白色晶片的色温为2700K‑3000K，显示指数≥80。
一种彩光 led 及其制备方法

[发明专利]一种晶片检测装置和晶片检测方法-CN200610023984.0有效
发明人：左仲;王明珠;许俊;赵庆国 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种晶片检测装置(1)，包括主体部(10)和支撑台(11)，主体部包括吸取晶片的机械手(12)、检测晶片(2)的检测器(13)，装有晶片的盒子(3)放置在所述支撑台上，支撑台可沿垂直方向上下移动，支撑台升至最高位置时本发明相应提供一种晶片检测方法，包括步骤：将装有晶片的盒子置于支撑台上；支撑台上升至最高位置；将检测器的位置调整到高于所述盒子的顶面的位置；将支撑台下降到机械手能够吸取晶片的位置；机械手吸取晶片并移动到检测装置的下方；检测器检测晶片尺寸与位置；机械手将晶片放回到晶片盒子中。本发明的晶片检测装置和晶片检测方法有效避免晶片检测过程中造成晶片损坏。
一种晶片检测装置方法

[发明专利]晶片的分离方法及分离装置-CN201110254294.7无效
发明人：高田大辅;末安幸一;西田大辅;宫津匡 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片的分离方法及分离装置，其在从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动运载到规定部位的作业中，通过尽量不对分离的晶片施加因摩擦、变形等而产生的应力而防止破损，由此能够进一步提高晶片的合格率、稳定供给晶片。该晶片的分离装置具有：水槽(2)；配设在水槽(2)的水面附近的位置的喷嘴(3)；保持层叠晶片组(7)、使层叠晶片组(7)向由水面侧的喷嘴产生的水的入水部移动的晶片供给机(4)；保持从层叠晶片组(7)分离的晶片并移动运载到规定部位的晶片移动机
晶片分离方法装置

[发明专利]激光加工装置以及利用该装置的激光加工方法-CN201010574502.7无效
发明人：柳炳韶;金学龙;李炳植;张铉三;郭钟浩 -专利权人： QMC株式会社;柳炳韶
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该激光加工方法包括如下步骤：引出晶片步骤，所述送料机从安装在所述晶片盒升降器上的晶片盒中引出晶片并移送至所述晶片对准器；晶片排列及边缘检测步骤，所述晶片对准器对所述晶片的两侧面施压而排列晶片，然后所述边缘检测器动作而检测被固定在所述晶片对准器上的晶片的外轮廓形状图案；装载晶片步骤，所述转送臂动作，将已结束边缘检测的晶片移送至工作台；以及加工晶片步骤，所述工作台和所述激光加工部动作，加工晶片。
激光加工装置以及利用方法

[发明专利]多晶片双面堆叠方法及其结构-CN200710187377.2无效
发明人：陈锦弟 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种多晶片双面堆叠方法及其结构。依据该方法，设置至少一第一晶片于一晶片载体的一表面，再将一保护垫片设置于该第一晶片的主动面上。接着，翻转该晶片载体并放置于一加热台上，借由该保护垫片以使该加热台不直接接触该第一晶片的主动面。在该翻转之后，设置至少一第二晶片于该晶片载体的另一表面上，再以打线方式电性连接至该晶片载体。相对应的结构中包含一保护垫片，设置于该第一晶片的主动面上。所述第一晶片上的保护垫片可避免第一晶片与加热台的直接接触并可代替第一晶片吸收应力而形成裂缝，可以避免对第二晶片的粘晶与打线时对第一晶片的主动面所造成的损伤。
多晶双面堆叠方法及其结构

[实用新型]一种晶片边缘加工完整度检测装置-CN201420064537.X有效
发明人：廖波;林文杰;李烨 -专利权人：南京京晶光电科技有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G01B21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶片边缘加工完整度检测装置，其包括晶片边缘标记装置与晶片放置装置；所述晶片边缘标记包括机体与滚轴；所述滚轴外侧设置有摩擦轮，摩擦轮与滚轴之间采用固定连接；所述摩擦轮不与机体间发生接触；所述摩擦轮表面附着有晶片着色液；所述晶片放置装置包含有成圆形的晶片放置隔栏，晶片放置隔栏中至少设置有一处采用镂空设计的晶片标记区域，所述摩擦轮的侧表面在晶片标记区域与晶片放置隔栏所在的圆面相接触；上述晶片边缘加工完整度检测装置，其可根据晶片边缘的着色情况，一方面可使得对未加工的晶片在后续加工中确保对其加工均匀，以提升加工精度；同时亦可直观的观察已加工的晶片的加工状况，以确保产品合格率。
一种晶片边缘加工完整检测装置

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