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[发明专利]一种高精度电流检测方法及其芯片模组-CN202210571509.6有效
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度电流检测方法及其芯片模组，高精度电流检测方法包括至少两个保护开关，在至少一个保护开关上并联设置采样桥臂，采样桥臂包括串联连接的至少一个电流采样开关和至少一个信号处理单元，电流采样开关至少为相互并联的两个和/或对应的保护开关至少为相互并联的两个；电流采样开关使用镜像电流法获取电流采样信号Is；信号处理单元根据电流采样信号Is生成保护开关电流信号Ip。采用本发明所公开的高精度电流检测方法，信噪比得到进一步提升，对运放的需求也会有所降低，同时也提升了采样精度。在大电流工况下也可以在满足采样精度的情况下降低导通损耗，又可以降低系统成本。
一种高精度电流检测方法及其芯片模组

[发明专利]一种晶圆级功率模组及其制作方法-CN202310626027.0在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级功率模组及其制作方法，包括晶片和被动元件，晶片包括一晶片功能区，晶片功能区位于晶片的第一表面；被动元件包括至少一功率引脚，被动元件堆叠于晶片的第二表面上，晶片功能区通过一导电通路从晶片的第一表面电性连接至晶片的第二表面，并与被动元件的功率引脚电性连接；导电通路依附于晶片。本发明直接在晶片上连接一被动元件，相比现有技术，该晶片未经过埋入工序，省去了晶片封装带来的高度尺寸的浪费，本发明省去了嵌埋晶片封装的尺寸，使得除被动元件之外的厚度降低了至少50％；本发明对晶圆进行切割形成功率模组，功率模组的平面尺寸与晶圆切割后的晶片平面尺寸相同，省去了埋入工序带来的平面尺寸的浪费。
一种晶圆级功率模组及其制作方法

[发明专利]一种电源变换器、内埋集成器件单元、高散热高频功率模组及其制作方法-CN202310555038.4在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高散热高频功率模组及其制作方法，包括：嵌入式电路板、至少一个高频电容和绝缘导热材料，至少两个半导体功率器件的功率电极串联连接，以形成至少一功率变换桥臂；嵌入式电路板表面引出的半导体功率器件的功率电极布线与半导体功率器件投影重叠的面积相对半导体功率器件的面积比超过60％；功率变换桥臂就近与高频电容并联连接，以实现低回路电感互联。本发明可以实现高频大电流特性，具有单面高散热能力以及近乎理想的双面高散热能力。由于本发明极佳的回路处理，由两个每10平方毫米半导体功率器件组成的桥臂回路电感有机会小于2nH甚至1nH以下，适合频率MHz需求，远高于当下低于100KHz的主流频率。
一种电源变换器集成器件单元散热高频功率模组及其制作方法

[发明专利]一种高频大功率封装模组、模组的制作方法及混合基板-CN202310266865.1在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频大功率封装模组、模组的制作方法及混合基板，包括至少一个功率变换桥臂、至少一个高频电容、电路层、绝缘导热板以及塑封体，半导体功率器件的正面与电路层的第一表面电连接，半导体功率器件的背面与绝缘导热板的下表面热连接或电热连接，高频电容与电路层的第一表面或电路层的第二表面或绝缘导热板的下表面电连接，高频电容的至少一个电极通过内层电连接层与至少一个半导体功率器件的至少一个电极电连接。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，充分发挥了第三代半导体的优势，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频大功率封装模组制作方法混合

[发明专利]一种高频高功率密度模块电源、并联组合、制作方法及软硬结合组件-CN202310464146.0在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频高功率密度模块电源及其制作方法，包括一载体元件，载体元件的至少一个表面具有表面功率引脚；一软硬结合组件，软硬结合组件包括至少一硬质部分及至少一柔质部分，至少一硬质部分包括功率半导体组件，硬质部分与柔质部分电性连接；软硬结合组件至少有一处与载体元件的表面功率引脚电性连接；软硬结合组件以载体元件的表面为载体进行折弯，折弯处为柔质部分；硬质部分和柔质部分通过同一柔性部件互连而成，至少一硬质部分和/或柔性部件具有至少一功率引脚。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频功率密度模块电源并联组合制作方法软硬结合组件

[发明专利]一种使用于太空环境的水推进器和卫星-CN202211591091.1在审
发明人：刘汝兵;陈顺燊;曾剑鸿;张皓;林麒;高扬 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： F02K7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种使用于太空环境的水推进器和卫星。其中，水推进器包括供水单元、汽化单元、放电单元和喷射单元。其中，放电单元通过脉冲放电进一步加热从汽化单元中输出的水蒸汽，使水推进器提供更大的喷射压力，从而让卫星能够更有效地利用推进器中储存的水，更有效地变轨或调姿。
一种使用太空环境推进器卫星

[发明专利]控制方法及功率电路的封装结构-CN201810834426.5有效
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：一种控制方法及功率电路的封装结构在此揭露。控制方法应用于一准级联功率单元，该准级联功率单元包含一控制单元以及串联连接的一常通式开关及一常闭式开关，该控制单元电性耦接至该常通式开关及该常闭式开关，该控制方法包含：在一第一时段内，控制该常闭式开关关断及该常通式开关导通；在一第二时段内，控制该常闭式开关及该常通式开关关断；在一第三时段内，控制该常闭式开关导通及该常通式开关工作在一高频开关状态；在一第四时段内，控制该常闭式开关及该常通式开关关断；以及在一第五时段内，控制该常闭式开关关断及该常通式开关导通。
控制方法功率电路封装结构

[发明专利]变压器模块及功率模块-CN202110657236.2有效
发明人：蔡超峰;辛晓妮;曾剑鸿;洪守玉;吴睿;叶浩屹;叶益青;周锦平;付志恒;周敏;郭玉京;潘同升;林文玉 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本申请提供一种变压器模块及功率模块，变压器模块包含第一金属绕组，箔绕于所述磁芯，包含形成于所述第一布线层的第一段绕组和形成于所述第二布线层的第二段绕组，所述第一段绕组的第一端通过第一连接件电性连接至第一引脚，所述第一段绕组的第二端通过第二连接件电性连接至第二引脚，所述第一连接件和第二连接件均穿过所述第一绝缘层，所述第二段绕组的第一端形成第三引脚，所述第一引脚和所述第三引脚均位于所述变压器模块的第一面，所述第二段绕组的第二端形成第四引脚，所述第二引脚和所述第四引脚均位于所述变压器模块的第二面，进而降低了引脚的损耗，并且变压器模块采用箔绕结构的绕组，从而达到绕组电流分布均匀的效果。
变压器模块功率

[发明专利]一种高频大功率封装模组及其制作方法-CN202210822506.5在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司;上海晓本技术服务有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频大功率封装模组及其制作方法，包括至少一个功率变换桥臂、至少一个高频电容、多层线路板、绝缘导热板以及塑封体，半导体功率器件的正面与多层线路板的第一表面电连接，半导体功率器件的背面与绝缘导热板的下表面热连接或电热连接，高频电容与多层线路板的第一表面或多层线路板的第二表面或绝缘导热板的下表面电连接，高频电容的至少一个电极通过内层电连接层与至少一个半导体功率器件的至少一个电极电连接。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，充分发挥了第三代半导体的优势，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频大功率封装模组及其制作方法

[发明专利]变压器模块及功率模块-CN202211202572.9在审
发明人：蔡超峰;辛晓妮;曾剑鸿;洪守玉;吴睿;叶浩屹;叶益青;周锦平;付志恒;周敏;郭玉京;潘同升;林文玉 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本申请提供一种变压器模块及功率模块，变压器模块包含第一金属绕组，箔绕于所述磁芯，包含形成于所述第一布线层的第一段绕组和形成于所述第二布线层的第二段绕组，所述第一段绕组的第一端通过第一连接件电性连接至第一引脚，所述第一段绕组的第二端通过第二连接件电性连接至第二引脚，所述第一连接件和第二连接件均穿过所述第一绝缘层，所述第二段绕组的第一端形成第三引脚，所述第一引脚和所述第三引脚均位于所述变压器模块的第一面，所述第二段绕组的第二端形成第四引脚，所述第二引脚和所述第四引脚均位于所述变压器模块的第二面，进而降低了引脚的损耗，并且变压器模块采用箔绕结构的绕组，从而达到绕组电流分布均匀的效果。
变压器模块功率

[发明专利]供电系统-CN202010018822.8有效
发明人：季鹏凯;洪守玉;叶浩屹;曾剑鸿 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种供电系统，包括系统主板、第一封装体和第二封装体、以及桥接部件。系统主板电连接负载。第一封装体和第二封装体设置于系统主板上侧。桥接部件设置于第一封装体和第二封装体上侧，桥接部件包括被动元件，并用于第一封装体和第二封装体之间的功率耦合。其中，第一封装体和第二封装体在系统主板上的垂直投影均与桥接部件在系统主板上的垂直投影有交叠，第一封装体和第二封装体内封装有开关管，第一封装体和第二封装体的上表面的端子电连接桥接部件，下表面的端子电连接系统主板。本发明的供电系统可以兼顾小的占地面积和高效率，可以兼顾多样需要与减少封装体种类，并利于降低成本和提高灵活性。
供电系统

[发明专利]一种表面设置有金属凸点结构的载板的制作方法及其应用-CN202210499059.4在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面设置有金属凸点结构的载板的制作方法及其应用，包括载板及芯片；载板包括载板上表面、内层电连接层、载板下表面及垂直电连接通路，载板上表面设置有布线层，布线层上设置有金属凸点结构；芯片倒装焊接在金属凸点结构上，芯片的至少一个电极与金属凸点结构电连接。本发明提供了一种表面设置有金属凸点结构的载板，以减少系统集成时对多个芯片表面进行处理带来的高成本、长开发周期的缺点。而且，由于金属凸块结构和基板的膨胀系数的匹配性远高于芯片和金属凸块结构的匹配性，由此可以进一步提高凸块面积及密度，可以进一步降低连接阻抗，及寄生电感，从而降低系统损耗，提高器件可靠性。
一种表面设置金属结构制作方法及其应用

[发明专利]一种双面散热高频大功率模组及其制作方法-CN202210544881.8在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热高频大功率模组及其制作方法，包括：嵌入式电路板、至少一个高频电容和绝缘导热材料，至少两个半导体功率器件的功率电极串联连接，以形成至少一功率变换桥臂；嵌入式电路板表面引出的半导体功率器件的功率电极布线与半导体功率器件投影重叠的面积相对半导体功率器件的面积比超过60％；功率变换桥臂就近与高频电容并联连接，以实现低回路电感互联。本发明可以实现高频大电流特性以及近乎理想的双面散热能力。由于本发明极佳的回路处理，由两个每10平方毫米半导体功率器件组成的桥臂回路电感有机会小于2nH甚至1nH以下，适合频率MHZ需求，远高于当下低于100KHZ的主流频率。
一种双面散热高频大功率模组及其制作方法

[发明专利]一种高频高功率密度模块电源及其制作方法-CN202210483027.5在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频高功率密度模块电源及其制作方法，包括一载体元件，载体元件的至少一个表面具有表面功率引脚；一软硬结合组件，软硬结合组件包括至少一硬质部分及至少一柔质部分，至少一硬质部分包括功率半导体组件，硬质部分与柔质部分电性连接；软硬结合组件至少有一处与载体元件的表面功率引脚电性连接；软硬结合组件以载体元件的表面为载体进行折弯，折弯处为柔质部分；硬质部分和柔质部分通过同一柔性部件互连而成，至少一硬质部分和/或柔性部件具有至少一功率引脚。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频功率密度模块电源及其制作方法

[发明专利]一种晶圆级功率模组及其制作方法-CN202210612515.1在审
发明人： 曾剑鸿 -专利权人：上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级功率模组及其制作方法，包括晶片和被动元件，晶片包括一晶片功能区，晶片功能区位于晶片的第一表面；被动元件包括至少一功率引脚，被动元件堆叠于晶片的第二表面上，晶片功能区通过一导电通路从晶片的第一表面电性连接至晶片的第二表面，并与被动元件的功率引脚电性连接；导电通路依附于晶片。本发明直接在晶片上连接一被动元件，相比现有技术，该晶片未经过埋入工序，省去了晶片封装带来的高度尺寸的浪费，本发明省去了嵌埋晶片封装的尺寸，使得除被动元件之外的厚度降低了至少50％；本发明对晶圆进行切割形成功率模组，功率模组的平面尺寸与晶圆切割后的晶片平面尺寸相同，省去了埋入工序带来的平面尺寸的浪费。
一种晶圆级功率模组及其制作方法

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