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[实用新型]晶片转移装置-CN202122294523.X有效
发明人：罗会才;黄伟;郎欣林;郭志坚 -专利权人：深圳市丰泰工业科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请属于半导体设备技术领域，涉及一种晶片转移装置。一种晶片转移装置，包括：晶片承载机构和晶片吸附机构，所述晶片承载机构以用于承载晶片，所述晶片吸附机构以用于吸附晶片；所述晶片承载机构包括承载台和安装在所述承载台上的弹性件，所述弹性件以用于承载晶片；所述晶片吸附机构包括吸嘴头和真空吸附件，所述真空吸附件与所述吸嘴头连通，所述真空吸附件以用于为所述吸嘴头提供负压吸附，所述吸嘴头具有多个吸附位，所述吸附位以用于吸附晶片。利用本申请实施例提供的晶片转移装置，通过在承载台上增加弹性件，当吸嘴头吸附晶片并下压转移晶片到弹性件时，弹性件可以提供反向作用力，保证每颗晶片均匀受力，从而平稳地转移到弹性件上。
晶片转移装置

[发明专利]用于搬运晶片的系统和方法-CN201080014631.9有效
发明人：弗雷德里克·里沃利耶;瑞安·丘伯 -专利权人： ATS自动化加工系统公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种用于搬运晶片的系统，包括：至少一个卸载站；设计用于以一角度保持所述晶片的至少一个中间站；加工站；和配置用于在所述站之间移动所述晶片的传递装置。所述中间站可配置用于接纳处于背靠背结构的所述晶片。一种用于搬运晶片的设备，包括：在一侧，配置用于抓持各个晶片的真空抓持器；和在另一侧，配置用于在定位在所述晶片下方并抬升时支撑一个或多个晶片的重力抓持器。一种用于搬运晶片的方法，包括：卸载晶片；将所述晶片传递到中间站；将所述晶片从所述中间站传递到加工站；处理所述晶片；将所述晶片从所述加工站卸载；以及将所述晶片再装载在载体上，其中所述晶片通过传递装置卸载、
用于搬运晶片系统方法

[发明专利]晶片处理的方法和系统-CN200480036963.1有效
发明人： S·M·斯通 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2004-10-07 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了用于处理晶片的系统和方法，其包括，利用第一臂从晶片盒中取得第一晶片，将第一晶片从第一传送臂传送到第二臂，利用第二臂将第一晶片传送到处理室以进行处理，利用第一臂从处理室中取走第一晶片，并利用第一臂将第一晶片返回到晶片盒中所述的系统和方法可包括，利用第一臂从晶片盒中取得第一晶片，利用第一臂将第一晶片传送到处理室中以进行处理，利用第二臂从处理室中取走处理后的晶片，利用第二臂将处理后的晶片返回到晶片盒中，并反复地从晶片盒中取得、传送、取走和返回晶片，同时在这些反复操作过程之间交替地使用这两条臂。
晶片处理方法系统

[发明专利]晶片工作台及光刻系统-CN201310379402.2有效
发明人：吉多·德布尔;米歇尔·彼得·丹斯贝格;彼得·克勒伊特 -专利权人：迈普尔平版印刷IP有限公司
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及晶片工作台及光刻系统。光刻系统中的晶片工作台（8），所述晶片工作台（8）在晶片加工过程中支撑所述晶片（1），所述晶片工作台（8）具有配备有节（7）的顶侧（2），所述节用于支撑所述晶片（1），其中，所述节具有高度，所述晶片工作台（8）包括位于所述晶片工作台的晶片承载部分（2）周围的周围沟槽，所述沟槽具有比所述节（7）的高度大的宽度，其中，所述晶片工作台的外缘包括圈，所述圈设置用于在由所述节（7）支撑所述晶片（1）时与所述晶片（
晶片工作台光刻系统

[发明专利]监控和预测晶片平整度的方法及半导体晶片的制造方法-CN200710163203.2有效
发明人：汪青蓉;柯俊成;陈炳旭;罗冠腾;赖志维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行处理。使用制造数据决定第一晶片和第二晶片的晶片参数的平均偏差值变量曲线。使用平均偏差值变量曲线来预测第三晶片的预测偏差值变量曲线，其中第三晶片与上述产品型态匹配，并且经由同一加工工具进行处理。
监控预测晶片平整方法半导体制造

[发明专利]晶片清洗方法-CN201110344684.3无效
发明人：陈亚威;简志宏;张蔚 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶片清洗方法，该方法包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。采用本发明所提供的晶片清洗方法，可解决现有技术中对晶片清洗后易于在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，从而可减小器件的失效率。
晶片清洗方法

[发明专利]短时间完成晶片测试的晶片测试的方法-CN98103515.9无效
发明人：前田哲典 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-07-07 - 公布日： 1999-01-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片测试,每个晶片包含多个芯片,对全部晶片进行初始测试,结果表示晶片中每个芯片是良好,有缺陷的,以及预测为良好芯片中的任一种。再把每个预测为的良好芯片进行微调,使其成为良好芯片。此后,对在半导体晶片中取样晶片进行最后晶片测试,测试结果表示每个取样晶片的每个芯片是良好还是有缺陷芯片中的一种。修改晶片测试结果,通过修改结果把预测为良好芯片的每个芯片也表示为良好芯片。通过将修改晶片测试结果加到最终晶片测试结果,产生对全部半导体晶片的完整晶片测试结果。
短时间完成晶片测试方法

[发明专利]LED大功率管晶片散热方法-CN200610097250.7无效
发明人：胡建红;包书林 -专利权人：江苏稳润光电有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片的封装技术，具体是一种在LED晶片封装过程中使用的LED大功率管晶片散热方法。该方法是：在将LED晶片与晶片基座结合的过程中，首先将铜锡合金焊料均匀涂布在晶片基座上，然后将底部镀锡的LED晶片放置在焊料上，对晶片加压并加热至铜锡焊料的熔点温度，使焊料熔化并与晶片底部的锡熔接，降温后焊料和锡凝固，将晶片粘接在基座上。本发明的方法使晶片与晶片基座的连接可获得良好的导电、导热性能，因而可有效地提高晶片使用寿命。
led 功率管晶片散热方法

[发明专利]通用模块化晶片输送系统-CN02819312.1无效
发明人：安东尼·C·博诺拉;理查德·H·古尔德;罗杰·G·海纳;迈克尔·克罗拉克;杰里·斯皮斯尔 -专利权人：阿赛斯特技术公司
申请日： 2002-09-03 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在隔离环境内、在多个室之间输送单个晶片的晶片输送系统。在一个实施例中，一个晶片由一个晶片穿梭件输送，晶片穿梭件在一个晶片输送容器内运行。晶片输送容器内部与晶片加工设备周围的大气环境相隔离。这样，单个晶片可以在整个晶片加工设备中输送，无需使整个设备保持一种洁净室环境。晶片穿梭件可以采用各种技术、例如(但不限于)磁悬浮或气垫技术进行推进。晶片穿梭件也可以同时输送多个晶片。输送容器内部也可以是真空的、充气的或充入过滤空气。
通用模块化晶片输送系统

[发明专利]一种水族照明用LED混合集成光源-CN201610249562.9在审
发明人：佘浩欣 -专利权人：广州市积光电子有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： F21S10/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水族照明用LED混合集成光源，包括石英透镜、金属圈、LED晶片本体、陶瓷板和铜基板；LED晶片本体通过LED粘胶固定在陶瓷板上，且LED晶片本体包括蓝光LED晶片、白光LED晶片、红光LED晶片、绿光LED晶片、紫外线光LED晶片和黄光LED晶片；蓝光LED晶片、白光LED晶片、红光LED晶片、绿光LED晶片、紫外线光LED晶片和黄光LED晶片发出的光共同组合成A通道、B通道、C通道和D通道；陶瓷板上设置电源端线路板与电源电性连接；陶瓷板上设置控制端线路板与LED晶片本体输入端电性连接；该水族照明用LED混合集成光源，LED晶片布局采用特定的排列方式，组合出来的光线均匀，鱼缸景色更加自然，
一种水族照明 led 混合集成光源

[发明专利]无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构及方法-CN202211465142.6在审
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人：南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构，包括塑封料、晶片和重布线层；多颗晶片分为大晶片和小晶片；大晶片正面的焊盘处都有多个高凸点，各个高凸点的顶部与重布线层顶面的对应金属触点连接；大晶片的正面与重布线层之间有间隙，小晶片在间隙内；大晶片的正面和小晶片的正面相对，小晶片正面与大晶片正面的对应焊盘连接；塑封料封住小晶片；大晶片的高凸点的顶端露出于塑封料；重布线层分布在塑封料的顶面；大晶片在重布线层上的投影与重布线层重合，则塑封料的侧面与重布线层的侧面以及大晶片的侧面齐平，构成扇入型封装结构；大晶片在重布线层上的投影在重布线层的范围内，则塑封料的侧面与重布线层的侧面齐平，构成扇出型封装结构。
tsv 无基板多晶堆叠晶圆级封装结构方法

[发明专利]硅晶片清洗绕线扎带装置-CN202310881817.3在审
发明人：唐永平;肖斐;刘智敏 -专利权人：江西玖匠科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，尤其涉及硅晶片清洗绕线扎带装置，包括晶片传送件、晶片传送带、转动座、驱动电机、转动轴、转动架一、转动架二、绕线扎带架、晶片夹持杆和清洁架。本发明带动绕线扎带架和晶片夹持杆相对于转动座在清洁架和晶片传送带之间转动。绕线扎带架和晶片夹持杆位于晶片传送带上方时，此时进行晶片的取料。绕线扎带架和晶片夹持杆以及其上的晶片位于清洁架上方，此时进行晶片的清洁。清洁完毕后，进行晶片的绕线扎带。完成绕线步骤后再次重复清洁步骤，实现绕线扎带完毕后对晶片的再次清洁，整个取料清洁绕线扎带过程中，晶片位于转动架一和转动架二所在的晶片夹持杆上，不需要反复进行晶片取料下料，便于进行重复清洁。
晶片清洗绕线扎带装置

[发明专利]晶片测试中的自动送片方法及晶片测试机中的自动送片装置-CN200610050007.X无效
发明人：周巍 -专利权人：周巍
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： B65G25/04 文献下载
摘要：晶片测试中的自动送片方法及晶片测试机中的自动送片装置，将晶片层叠装于晶片匣内，该晶片匣的一侧底端留有缝隙；利用驱动装置将晶片匣沿导轨直线往复运行，当晶片匣向右运动到右止位时，导轨上的真空吸片孔将晶片匣中的最底部的一片晶片吸住，而其他它晶片则被晶片匣带回向左，由CPU控制器控制气动电磁阀和晶片匣驱动装置重复这一过程。送片装置中与驱动装置连接的晶片匣底座与导轨配合构成直线往复运行结构，在导轨的晶片匣的右行止点位置开有吸片孔，吸片孔与真空回路的气管连通。本发明解决了传统振动上料器对较薄、面积较大的晶片排序、输送的难题，也避免了石英晶片在振动上料的过程中划伤振动盘内壁所带来的晶片表面被污染问题。
晶片测试中的自动方法装置

[实用新型]一种水族照明用LED混合集成光源-CN201620337510.2有效
发明人：佘浩欣 -专利权人：广州市积光电子有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： F21S10/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水族照明用LED混合集成光源，包括石英透镜、金属圈、LED晶片本体、陶瓷板和铜基板；LED晶片本体通过LED粘胶固定在陶瓷板上，且LED晶片本体包括蓝光LED晶片、白光LED晶片、红光LED晶片、绿光LED晶片、紫外线光LED晶片和黄光LED晶片；蓝光LED晶片、白光LED晶片、红光LED晶片、绿光LED晶片、紫外线光LED晶片和黄光LED晶片发出的光共同组合成A通道、B通道、C通道和D通道；陶瓷板上设置电源端线路板与电源电性连接；陶瓷板上设置控制端线路板与LED晶片本体输入端电性连接；该水族照明用LED混合集成光源，LED晶片布局采用特定的排列方式，组合出来的光线均匀，鱼缸景色更加自然
一种水族照明 led 混合集成光源

[实用新型]一种晶片取放装置-CN202121228851.3有效
发明人：刘昊;邹宇;张平 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片取放装置。该晶片取放装置用于吸附晶片的真空吸笔；安装板，安装板能够滑动连接于晶片放置盒，并且安装板上设有至少一个能够使晶片和真空吸笔通过的导向孔。使用时，推动安装板，使安装板滑动至安装板的导向孔与晶片放置盒中的待取出晶片对齐后，通过真空吸笔吸附晶片，然后晶片在真空吸笔的吸附作用下通过导向孔，完成晶片的取出动作。由于安装板上的导向孔对碳化硅晶片的取出轨迹进行约束，即通过导向孔对碳化硅晶片的取出进行导向，减少了碳化硅晶片在取出过程中由于歪斜而碰撞晶片盒中其他碳化硅晶片的情况，从而减少了碳化硅晶片的划痕和蹭伤等缺陷，提高了碳化硅晶片的表观质量。
一种晶片装置