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[实用新型] 一种晶 圆 解键合同心校正机构 -CN202120540923.1 有效
发明人：
沈达 ;薛亚玲 ;蒋人杰
- 专利权人：
吾拾微电子（苏州）有限公司
申请日：
2021-03-16
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公布日：
2022-06-17
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主分类号：
H01L21/68 文献下载
摘要： 本实用新型公开一种晶 圆 解键合同心校正机构，包括底板、中心吸盘、限位导柱、晶 圆 限位区域、无 痕 支撑柱、分散吸盘、针 型气缸，所述底板中央设置有中心吸盘，以所述中心吸盘为圆心并围绕所述中心吸盘设置有若干限位导柱，所述限位导柱将底板划分形成晶 圆 限位区域，在所述晶 圆 限位区域内设置有若干无 痕 支撑柱，每个所述限位导柱、无 痕 支撑柱均独立集成一针 型气缸，所述针 型气缸镶嵌在底板上。通过上述方式，本实用新型提供一种晶 圆 解键合同心校正机构，采用无 痕 支撑柱保护晶 圆 ，增加限位导柱构建晶 圆 同心限位区域，改用中心吸盘同心接收载片，在解键合全程保证料件同心度，无需人工干预调节，省时省力效率高。一种 晶圆解键合 同心 校正 机构
[发明专利] 晶 圆 的测试方法CN201911375468.8 在审
发明人：
吴苑
- 专利权人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：
2019-12-27
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公布日：
2020-05-08
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主分类号：
H01L21/66 文献下载
摘要： 本发明公开了一种晶 圆 测试方法，使用测试探针机台针对晶 圆 上的芯片进行测试，包含：步骤一，进行晶 圆 探针测试，获取到晶 圆 的电学测试数据；步骤二，抬起探针，对晶 圆 上压焊点上的探针扎针针 痕 进行拍照，通过图像识别技术，获取当前测试后留下的针 痕 数据；步骤三，对上述针 痕 数据进行运算和分析：a，针 痕 位置分析，针 痕 是否落在晶 圆 上的压焊点范围内，以判定扎针是否有效；b,将当前针 痕 数据与之前扎针的针 痕 数据进行比对，以判定当前针 痕 的偏移；c,对针 痕 图像进行运算获取针 痕 所占面积比，或者判定晶 圆 压焊点是否存在金属层剥落露底。测试 方法
[发明专利] 一种晶 圆 针 压测试方法及系统 -CN202210945344.4 在审
发明人：
王帆 ;周鑫 ;南洲
- 专利权人：
西安紫光国芯半导体有限公司
申请日：
2022-08-08
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公布日：
2022-11-22
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主分类号：
H01L21/66 文献下载
摘要： 本申请公开了一种晶 圆 针 压测试方法及系统，该晶 圆 针 压测试方法包括：获取预设的针 压测试参数，以控制探针和待测晶 圆 进行针 压测试；在探针和待测晶 圆 接触时，获取探针和待测晶 圆 的当前针 压数据，判断当前针 压数据是否在第一预设阈值范围内；响应于是，获取接触痕迹，基于接触痕迹得到针 痕 数据，判断针 痕 数据是否在第二预设阈值范围内；其中，接触痕迹为探针与待测晶 圆 接触时在待测晶 圆 上留下的接触痕迹；响应于是，存储当前针 压数据和针 痕 数据。本申请通过在探针和待测晶 圆 接触时，获取探针和待测晶 圆 的当前针 压数据，并判断当前针 压数据是否在第一预设阈值范围内，以实现对针 压测试的实时调控。一种 晶圆针压 测试 方法 系统
[发明专利] 一种晶 圆 验收测试机台加压校准方法 -CN201510662809.5 有效
发明人：
龚丹莉 ;邵雄
- 专利权人：
上海华力微电子有限公司
申请日：
2015-10-14
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公布日：
2018-10-16
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主分类号：
G01R35/00 文献下载
摘要： 本发明提供一种晶 圆 验收测试机台加压校准方法，将同样的探针卡分别固定在若干个晶 圆 验收测试机台上测试晶 圆 ，提取每一台晶 圆 验收测试机台上探针卡测试晶 圆 时形成的针 痕 图像并且计算每一幅针 痕 图像的加压值的中间值，并且提取每一个晶 圆 验收测试机台的加压值的中间值进行数据拟合，得到加压值的规格范围，将每一台晶 圆 验收测试机台的加压值调整至加压值的规格范围内。本发明提供的加压校准方法，晶 圆 验收测试机台只需对晶 圆 进行一次测试形成了针 痕 图像即可，对针 痕 图像进行提取、计算得到加压值的中间值，因此减少了机台的利用时间，提高了利用率，然后根据上述数据进行数据拟合得到加压值的规格范围一种 验收 测试 机台 加压 校准 方法
[发明专利] 一种设定晶 圆 针 测针 压的自动设定系统 -CN201510697357.4 在审
发明人：
沈顺金
- 专利权人：
安徽超元半导体有限公司
申请日：
2015-10-22
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公布日：
2017-04-05
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主分类号：
H01L21/66 文献下载
摘要： 本发明公开了一种设定晶 圆 针 测针 压的自动设定系统，包括控制主机、测试机通讯连接装置、测试机头、测试机与探针卡连接装置、探针卡基板、探针、晶 圆 、针 测机、针 测机通讯连接装置；控制主机通过测试机通讯连接装置与测试机头相连，探针卡在探针卡基板上并通过测试机与探针卡连接装置与测试机头相连，针 测机通过针 测机通讯连接装置与控制主机相连，针 测机承载晶 圆 托盘固定在针 测机承载晶 圆 基座上，晶 圆 放置在针 测机承载晶 圆 托盘。本发明自动设定系统，可以自动设定晶 圆 针 测针 压，可以轻松找到晶 圆 的最佳针 测针 压，避免了设定人员的主观判断的差异，通过一次按钮代替检测针 痕 ，既精确又节省时间。一种 设定 晶圆针测针压 自动 系统
[发明专利] 晶 圆 检测方法CN202310138659.2 在审
发明人：
蔡佳霖 ;李泓儒 ;古文烨
- 专利权人：
南亚科技股份有限公司
申请日：
2023-02-20
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公布日：
2023-10-20
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主分类号：
G06T7/00 文献下载
摘要： 本申请提供一种晶 圆 检测方法。该晶 圆 检测方法包括在一晶 圆 上的一被测元件(device under test，DUT)的一影像上识别多个候选区域；为该多个候选区域中的每个区域产生一信赖度分数，其中该信赖度分数表示一候选区域包括针 痕 的几率；选择具有最高信赖度分数的一第一候选区域作为一选定区域；判断该定多个候选区域中的一第二候选区域是否包括与该第一候选区域相同的针 痕 ；以及如果该第二候选区域包括与该第一候选区域相同的针 痕 ，则排除该第二候选区域检测 方法
[实用新型] 缺陷检测装置 -CN202121665116.9 有效
发明人：
朱哲仪 ;孙秉群
- 专利权人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：
2021-07-21
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公布日：
2021-12-03
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主分类号：
G01R31/28 文献下载
摘要： 本实用新型提供了一种缺陷检测装置，包括电性测试部，用于对晶 圆 进行电性测试；表面缺陷检测部，与所述电性测试部相连接，用于检测完成电性测试的晶 圆 是否存在表面缺陷；装载传送部，与所述电性测试部和所述表面缺陷检测部相连接，用于将完成电性测试的晶 圆 从电性测试部传送至表面缺陷检测部，并将未进行电性测试的晶 圆 传送至电性测试部，从而同时进行晶 圆 的电性测试和晶 圆 的表面缺陷检测。本实用新型在缺陷检测装置内增设表面缺陷检测部，以同时进行晶 圆 的电性测试和晶 圆 的表面缺陷检测，彼此不受影响。此外，通过表面缺陷检测部可及时检测晶 圆 电性测试后的晶 圆 表面针 痕 状态，减少或避免针 痕 异常造成产品重测，提高生产效率。缺陷 检测 装置
[发明专利] 一种晶 圆 高温测试针痕 控制的方法 -CN202010842926.0 在审
发明人：
李锦光
- 专利权人：
广东全芯半导体有限公司
申请日：
2020-08-20
-
公布日：
2020-11-17
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主分类号：
G01R31/28 文献下载
摘要： 本发明公开了一种晶 圆 高温测试针痕 控制的方法，包括以下步骤：S1、校准系统；S2、载入系统；S3、延迟系统；S4、数据收集；S5、数据检测；S6、预热处理；S7、系统测试；本发明通过监测后获取的时间数据为在等温的条件下随着温度的不断升高晶 圆 的厚度缓慢增高，同时探针在预热处理后一直因热传导的效果使得探针在相同下压状态情况下晶 圆 针 痕 在预热处理的五十秒后处于均衡状态，因此控制好预热处理温度的时长即可实现对同等情况下的均衡下压针 痕 的效果，通过管控好预热处理的温度控制时间即可有效的降低用户操控探头下压深度操作的便捷性进而有力的提升了用户对晶 圆 高温测试过程中的针 痕 管控效果从而有效的弥补了现有技术中的不足一种 高温 测试 控制 方法
