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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]将材料图样连续沉积在基底上的设备和方法-CN200680025659.6无效
发明人：唐纳德·J·穆克卢尔;杰弗里·H·托其;丹尼尔·H·卡尔森;詹姆斯·N·多布斯;约翰·T·斯特兰德;罗纳德·P·斯万松 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：材料图样被连续沉积到基底上。基底和掩模在圆筒的一部分上被连续地带到一起，在那里沉积源放出材料。掩模包括形成图样的孔，并且来自沉积源的材料穿过掩模的图样并且聚集到基底上以形成材料图样。基底的和掩模的伸长和横向位置可以被控制。基底的图样元件和掩模的图样元件能够被感测到以便调节基底和/或掩模的伸长和/或横向位置以保持精确的对准。
材料图样连续沉积基底设备方法

[发明专利]具有抗等离子体涂层的阴影掩模-CN201680085729.0在审
发明人：黄曦;彭飞;基兰·克里希纳布尔;瑞平·王;伊恩·杰里·陈;史蒂文·韦尔韦贝克;罗伯特·简·维瑟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种掩模组件(100)包括：掩模框(102)及掩模屏(104)，该掩模框(102)及该掩模屏(104)两者以金属材料制成；及金属涂层(105)，该金属涂层(105)安置在该掩模框(102)及该掩模屏(104
掩模框掩模金属涂层等离子体涂层金属材料掩模组件阴影掩模暴露安置

[发明专利]栅极线结构制作用栅极掩模的形成方法-CN201710123585.X有效
发明人： E·J·史密斯;T·卡姆勒;C·格拉斯;A·黑尔米希 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及栅极线结构制作用栅极掩模的形成方法，所揭示的是一种以具有主体区及SOI区的形貌在混合衬底结构上方形成栅极结构的方法，其包括在该等SOI及主体区上面形成栅极材料层，在该栅极材料层上面形成掩模层，在该掩模层上面形成第一平坦化层，在该第一平坦化层上面形成第一栅极结构掩模图型，图型化与该第一栅极结构掩模图型对准的该第一平坦化层，以及根据该经图型化第一平坦化层来图型化该掩模层，产生布置于该栅极材料层上面的栅极掩模
栅极结构制作形成方法

[发明专利]制造半导体基底材料的方法、半导体设备和电子装置-CN201180044561.6有效
发明人：上西伸治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-12 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在通过抗蚀剂膜的曝光显影形成刻蚀掩模时，所述刻蚀掩模用于在半导体基底材料的衬底表面上形成重复的凹凸图案，本发明防止了通过重复曝光在抗蚀剂膜中曝光区彼此相邻的部分上的过度曝光导致的显影图案变形。在制造半导体基底材料的方法中，当通过抗蚀剂模的光刻工艺形成用于在半导体基底材料的表面上形成凹凸部分的刻蚀掩模时，使用转移掩模作为转移掩模100，所述转移掩模是通过对在曝光射束重叠的区域附近的曝光图案的点状遮光部104的尺寸进行预先进行校正而获得的转移掩模。
制造半导体基底材料方法半导体设备电子装置

[发明专利]使用灰色调光刻制造可变蚀刻深度光栅的技术-CN202180064054.2在审
发明人：艾略特·弗兰克;尼哈·兰詹·莫汉蒂;奥斯汀·莱恩;马修·E·科尔本;安吉特·沃拉 -专利权人：元平台技术有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种制备具有可变光栅深度的光栅的方法包括：在衬底上沉积具有均匀厚度轮廓的第一光栅材料层；在第一光栅材料层上形成具有可变厚度轮廓的蚀刻掩模层；对蚀刻掩模层和第一光栅材料层进行蚀刻，以将第一光栅材料层的均匀厚度轮廓改变为非均匀厚度轮廓；在第一光栅材料层上形成图案化的硬掩模；以及使用图案化的硬掩模对第一光栅材料层进行蚀刻，以在第一光栅材料层中形成具有可变深度的光栅。
使用色调光刻制造可变蚀刻深度光栅技术

[发明专利]一种用于形成栅极掩模层的方法-CN202010269219.7在审
发明人：曾文德;陶铮;E·奥尔塔米拉诺桑切兹 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：公开了在半导体鳍结构(100)上形成掩模层(190)的方法。所述方法包括：形成第一组间隔物和设置在第一组间隔物侧表面处的第二组间隔物(131、132、133、134)，在第二组间隔物之间提供第一填料材料(140)，蚀刻第一填料材料的顶部部分，以在第二组间隔物之间形成凹陷(150)，在凹陷中提供第二填料材料(160)，使第二填料材料形成一组伪掩模线。此外，所述方法包括：使得至少第一组间隔物的顶部部分(170)凹陷，在伪掩模线之间提供掩模层材料(180)，以及去除伪掩模线和第一填料材料。
一种用于形成栅极掩模层方法

[发明专利]密封装置和利用该密封装置制造显示装置的方法-CN200710180978.0有效
发明人：李钟禹;金兑承;朴峻永;郭源奎 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括用于局部照射光的掩模的密封装置和利用该密封装置制造显示装置的方法。该密封装置用于通过将密封材料设置在第一基底和第二基底的边缘并且通过对密封材料照射光来结合第一基底和第二基底，该密封装置包括：掩模，设置在台的一侧上，在掩模中，与密封材料的形成位置对应地形成透射部分，从而光可以照射到密封材料；光头，通过掩模的透射部分对密封材料照射光。在掩模的透射部分中形成用于调节对密封材料照射的光的量的图案。
密封装置利用制造显示装置方法

[发明专利]使用硬掩模形成电容器-CN201911089127.4在审
发明人： D·T·N·德兰;D·D·施里岚;S·萨帕 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请案涉及使用硬掩模形成电容器。描述与使用硬掩模材料形成电容器相关的方法、设备及系统。一种实例方法包含图案化表面以具有第一硅酸盐材料、所述第一硅酸盐材料上的第一氮化物材料、所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐材料、所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料及所述第二氮化物材料上的牺牲材料。所述方法进一步包含在所述牺牲材料上形成硬掩模材料。所述方法进一步包含在穿过所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述第二硅酸盐材料、所述第二氮化物材料、所述牺牲材料及所述硬掩模材料的开口中形成电容器材料。所述方法进一步包含移除所述牺牲材料及所述硬掩模材料。
使用硬掩模形成电容器

[发明专利]形成图案化结构的方法-CN201610885439.6有效
发明人：陈界得;张峰溢;李甫哲;詹益旺 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：首先，在材料层上形成一硬掩模层之后，再进行第一蚀刻制作工艺与第二蚀刻制作工艺，用以分别于硬掩模层中形成彼此部分重叠的第一开口与第二开口。利用具有第一开口与第二开口的硬掩模层，对材料层进行第三蚀刻制作工艺，并于第三蚀刻制作工艺之后对位于材料层之下的介电层以及硬掩模层进行一第四蚀刻制作工艺，掩模层的材料与介电层的材料相同，故第四蚀刻制作工艺可用以将硬掩模层移除并于介电层中形成一沟槽
形成图案结构方法

[实用新型]金属掩模套版-CN201220063793.8有效
发明人：缑洁;张崇宏;张丽卿 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于新材料电子器件制作模板及模板的使用方法。一种金属掩模套版，包括掩模后挡板，还包括有用于测试各向异性材料的霍尔效应和电阻率的第一欧姆接触电极图形掩模板、用于测试各向同性材料的霍尔效应和电阻率的第二欧姆接触电极板、用于分析材料的电容电压特性的绝缘层图形掩模板和用于制作肖特基电极的肖特基接触电极图形掩模板本实用新型的优点是：金属掩模套版结构简单，操作方便快捷，一次就可以在小尺寸样品上生长一批电极样品器件，同时能够方便高效的获得需要的器件尤其适合于材料辐照改性的研究。
金属套版

[发明专利]鳍式半导体器件的自对准栅极和/或源极/漏极接触结构及其形成方法-CN201680019283.1有效
发明人： S·S·宋;J·J·徐;K·雷姆;杨达;J·J·朱;包钧敬;N·N·莫朱梅德;V·麦考森;M·巴达洛格鲁;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：鳍式半导体器件还包括耦合到栅极结构的栅极硬掩模结构。栅极硬掩模结构包括第一材料。鳍式半导体器件还包括耦合到源极/漏极结构的源极/漏极硬掩模结构。源极/漏极硬掩模结构包括第二材料，其蚀刻选择性不同于第一材料。
半导体器件对准栅极接触结构及其形成方法

[发明专利]掩模坯料及转印用掩模的制造方法-CN202180019112.X在审
发明人：前田仁;谷口和丈;松井一晃;米丸直人 -专利权人：豪雅株式会社;凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供能够在提高图案分辨率、CD面内均匀性及CD线性的同时抑制硬掩模膜整体的蚀刻速率降低的掩模坯料。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有图案形成用薄膜和硬掩模膜的结构，其中，上述薄膜由含有铬的材料形成，上述硬掩模膜包含下层与上层的层叠结构，上述下层由含有硅和氧的材料形成，上述上层由含有钽和氧、且上述氧的含量为30原子％以上的材料形成，上述上层的厚度相对于上述硬掩模膜整体的厚度的比率为0.7以下。
坯料转印用掩模制造方法

[发明专利]制造光学元件-CN202180050481.5在审
发明人： B·霍瓦特;西蒙·古瑟 -专利权人： AMS传感器新加坡私人有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：一种制造光学元件的方法，该方法包括：提供基板；提供工具，该工具在第一侧上包括限定该光学元件的表面结构的区段；将该工具和该基板相对于彼此对准，并将该工具和该基板的第一侧放在一起，材料在该工具和该基板之间；将透明掩模结构定位成与该材料已经粘附到其上的该基板相邻，该掩模结构包括掩模层；发射光穿过该掩模结构来入射到该材料的部分上，以固化该材料的所述部分，其中该掩模层防止光入射到该材料的剩余部分上，使得该材料的该剩余部分未固化；以及移除该材料的未固化剩余部分。
制造光学元件

[发明专利]后栅工艺中假栅的制造方法-CN201110257658.7有效
发明人：杨涛;赵超;闫江;李俊峰;卢一泓;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层；刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。
工艺中假栅制造方法

[发明专利]通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性掩模-CN201711046435.X在审
发明人： W-S·类;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：方法包括以下步骤在半导体基板之上形成掩模，掩模包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后，经由图案化掩模中的间隙蚀刻基板藉以单分(singulate)IC，并洗去水溶性材料层。
通过激光等离子体蚀刻切割所用水溶性

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