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[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN202310713382.1在审
发明人： 前田仁;大久保亮;堀込康隆 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜是在与所述透光性基板相反侧的表面及其附近的区域具有氧的含量增加的组成梯度部的单层膜，所述相移膜由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，对所述相移膜进行X射线光电子能谱分析，获得所述相移膜中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述相移膜中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980014769.X有效
发明人： 前田仁;大久保亮;堀込康隆 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980013951.3有效
发明人：谷口和丈;前田仁;大久保亮 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法-CN201880072967.7有效
发明人：野泽顺;堀込康隆;前田仁 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光用光以规定的透过率透过的功能以及产生规定的相位差的功能，能够抑制与热膨胀相伴的图案的位置偏移。相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能以及产生150度以上200度以下的相位差的功能，由含有非金属元素与硅的材料形成，第一层与透光性基板的表面相接地设置，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＜n2以及n2＞n3的关系，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2＞k3的关系。
坯料相移制造方法半导体器件

[发明专利]掩模坯料及转印用掩模的制造方法-CN202180019112.X在审
发明人： 前田仁;谷口和丈;松井一晃;米丸直人 -专利权人：豪雅株式会社;凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供能够在提高图案分辨率、CD面内均匀性及CD线性的同时抑制硬掩模膜整体的蚀刻速率降低的掩模坯料。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有图案形成用薄膜和硬掩模膜的结构，其中，上述薄膜由含有铬的材料形成，上述硬掩模膜包含下层与上层的层叠结构，上述下层由含有硅和氧的材料形成，上述上层由含有钽和氧、且上述氧的含量为30原子％以上的材料形成，上述上层的厚度相对于上述硬掩模膜整体的厚度的比率为0.7以下。
坯料转印用掩模制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN202080066119.2在审
发明人：宍戸博明;前田仁 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供具备能够提高对ArF准分子激光的曝光光的透射率、同时能够抑制对于确保期望的相位差而言必要的膜厚的相移膜的掩模坯料。该掩模坯料在透光性基板(1)的主表面上具备相移膜(2)，其中，相移膜(2)含有硅、氧及氮，相移膜(2)的氮的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为0.20以上且0.52以下，相移膜(2)的氧的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为1.16以上且1.70以下，相移膜(2)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为1.7以上且2.0以下，消光系数k为0.05以下。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN202080058132.3在审
发明人： 前田仁;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其中，相移膜含有铪、硅及氧，相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，相移膜在曝光光的波长下的消光系数k为0.30以下。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法-CN202080012522.7在审
发明人： 前田仁;野泽顺;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够抑制相移膜的图案的热膨胀、并且能够抑制起因于该热膨胀的该图案的移动的具备相移膜的掩模坯料。该相移膜具有下述功能：使KrF准分子激光的曝光光以2％以上的透射率透过的功能、和使透过相移膜后的曝光光和仅在与相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能，相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有下层及上层的结构，将下层在曝光光的波长下的折射率设为nL、将上层在曝光光的波长下的折射率设为nU时，满足nL＞nU的关系，将下层在曝光光的波长下的消光系数设为kL、将上层在曝光光的波长下的消光系数设为kU时，满足kL＞kU的关系，将下层的厚度设为dL、将上层的厚度设为dU时，满足dL＜dU的关系。
坯料相移制造方法以及半导体器件

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980084509.X在审
发明人： 前田仁;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光光以给定的透射率透过的功能、和产生给定的相位差的功能，并且该相移膜可以抑制伴随着热膨胀的图案的错位。所述相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以15％以上的透射率透过的功能、和产生150度以上且210度以下的相位差的功能，该相移膜由含有非金属元素和硅的材料形成，包含依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2及k2＜k3的关系，将第1层及第3层的膜厚分别设为d1、d3时，满足0.5≤d1/d3＜1的关系。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN201980061305.4在审
发明人：大久保亮;前田仁;穐山圭司;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备蚀刻停止膜的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于在将图案形成用薄膜进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，薄膜由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，在蚀刻停止膜中，铪的含量相对于铪及铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN201980061510.0在审
发明人：大久保亮;前田仁;穐山圭司;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备蚀刻停止膜(1)的掩模坯料(100)，该蚀刻停止膜(1)对于在将相移膜(3)进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有蚀刻停止膜(2)和相移膜(3)的结构，相移膜(3)由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜(2)由含有铪、铝及氧的材料形成，蚀刻停止膜(2)的氧缺失率为6.4％以下。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980034001.9在审
发明人： 前田仁;宍户博明;桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜(2)包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层(21)及第2层(22)的结构，第1层(21)与透光性基板(1)的表面相接地设置，将第1层(21)及第2层(22)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层(21)及第2层(22)在上述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将第1层(21)及第2层(22)的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980034268.8在审
发明人：宍户博明;前田仁;桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层及第2层在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＜k2及k2＞k3的关系，将第1层、第2层及第3层的膜厚分别设为d1、d2、d3时，满足d1＜d3及d2＜d3的关系。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980022136.3在审
发明人： 前田仁;野泽顺;堀込康隆 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模坯料(100)，其在透光性基板(1)上具备相移膜(2)，该相移膜(2)包含依次层叠有下层(21)、中间层(22)及上层(23)的结构，下层(21)由氮化硅类材料形成，中间层(22)由氮氧化硅类材料形成，上层(23)由氧化硅类材料形成，下层(21)的氮的含量比中间层(22)及上层(23)多，上层(23)的氧的含量比中间层(22)及下层(21)多，中间层(22)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.15以上，上层(21)的膜厚相对于相移膜(2)的整体膜厚的比率为0.10以下。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法-CN201880061746.X在审
发明人： 前田仁;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：掩模坯料(10)在透光性基板(1)上层叠有利用由硅和氮构成的材料形成的相移膜(2)、遮光膜(3)以及硬掩模膜(4)，其中，在通过二次离子质量分析法对相移膜进行分析而取得硅的二次离子强度的深度方向的分布时，相移膜的除了基板附近区域与表层区域之外的内部区域中的硅的二次离子强度[Counts/sec]在朝向透光性基板侧的方向上相对于深度[nm]的斜率小于150[(Counts/sec)/nm]。
坯料转印用掩模以及半导体器件制造方法

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