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[发明专利]形成水平纳米线的方法以及由水平纳米线制备的器件-CN201711346582.9有效
发明人： 曾文德;S·阿米尼;E·卡梅罗托;陶铮 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种形成水平纳米线的方法，该方法包括提供基板，所述基板包括电介质层和鳍结构，所述鳍结构包括从电介质层突出的部分，所述突出的部分是部分未掩蔽的，且包含由第一材料层交替且重复地与第二材料层叠置构成的多层堆叠；通过进行一个循环来形成水平纳米线，所述循环包括选择性除去第一材料，直到第二材料的水平纳米线悬浮在部分未掩蔽的突出部分的剩余部分上方，在该剩余部分上形成牺牲层，同时保持悬浮的水平纳米线未被覆盖，在悬浮的水平纳米线上选择性设置覆盖层，然后除去牺牲层。水平纳米线从顶部开始悬浮，在底部水平纳米线悬浮后除去覆盖层。
形成水平纳米方法以及制备器件

[发明专利]用于形成半导体器件结构的方法-CN202211550439.2在审
发明人： B·布里格斯;曾文德;J·博梅尔斯 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件结构的方法，该方法包括：在基板上形成层堆叠，层堆叠包括第一半导体材料的牺牲层和第二半导体材料的沟道层，沟道层与牺牲层相交替；在层堆叠上形成多个平行且规则地间隔开的芯线；在芯线的侧表面上形成间隔物线，其中间隔物线的宽度使得在形成于相邻芯线上的间隔物线之间形成间隙；通过在使用芯线和间隔物线作为蚀刻掩模的同时蚀刻层堆叠，来形成延伸穿过层堆叠的第一沟槽；通过用绝缘壁材料填充第一沟槽和间隙，来在第一沟槽和间隙中形成绝缘壁；相对于间隔物线和绝缘壁选择性地去除芯线；以及通过在使用间隔物线和绝缘壁作为蚀刻掩模的同时蚀刻层堆叠，来形成延伸穿过层堆叠的第二沟槽，从而形成多对鳍结构。
用于形成半导体器件结构方法

[发明专利]集成电路中的通孔形成-CN202211550672.0在审
发明人： 曾文德;D·拉迪斯克;B·切哈布 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于形成集成电路的方法包括以下步骤：a.提供半导体结构，包括：i.两个晶体管，ii.晶体管的沟道上的栅极，iii.耦合到每一晶体管的触点，iv.在该两个晶体管、栅极和触点上方的介电层，v.布置在第一金属化层内并沿第一方向延伸的第一导电线，vi.将第一导电线与晶体管的第一触点进行连接的第一导电通孔，vii.将第一导电线与晶体管的第二触点进行连接的第二导电通孔，c.将第一介电层开槽，d.沿第一导电线提供间隔物，e.在第一介电层上沉积第二介电层，f.在第二和第一介电材料中形成开口，以及g.在所述开口中提供导电材料，从而形成第三导电通孔。
集成电路中的形成

[发明专利]用于形成半导体器件的方法-CN202211597392.5在审
发明人： 曾文德;H·梅尔腾斯;E·丹托尼利塔 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法，包括：在基板上形成器件层堆叠，所述器件层堆叠包括底部牺牲层以及上部牺牲层和沟道层的交替序列；形成牺牲栅极结构；在使用牺牲栅极结构作为蚀刻掩模的同时，蚀刻穿过器件层堆叠的至少上部牺牲层和沟道层；形成覆盖上部牺牲层和沟道层的端表面的牺牲间隔物；在牺牲间隔物掩蔽上部牺牲层和沟道层的端表面的同时，进一步蚀刻器件层堆叠以去除底部牺牲层，并从而在器件层堆叠中形成腔；在腔中形成介电层，其中形成介电层包括沉积介电底部材料并随后将其回蚀到低于所述沟道层中的最底部沟道层的水平；去除牺牲间隔物；形成槽并在槽中形成内部间隔物；以及通过在沟道层的端表面上外延地生长半导体材料来形成源极和漏极区。
用于形成半导体器件方法

[发明专利]用于形成堆叠式FET器件的方法-CN202211598771.6在审
发明人： 曾文德;A·万杜伦;堀口直人 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成堆叠式场效应晶体管器件的方法包括：形成包括所布置的底部栅极电极的底部FET器件；在底部FET器件上方形成接合层；以及在接合层上形成顶部FET器件，包括：形成包括沟道层的鳍结构；蚀刻穿过接合层以在鳍结构下方形成接合层图案；形成虚设栅极和虚设栅极间隔物层；在鳍结构和接合层图案中形成切口；在保留在虚设栅极下方的鳍结构部分下方形成槽；去除第一间隔物层，并随后形成覆盖虚设栅极的侧表面并填充槽的第二间隔物层；相对于第二间隔物层选择性地去除虚设栅极，以形成暴露鳍结构部分的上部栅极腔部分；形成暴露底部栅极电极的上表面的下部栅极腔部分；以及在上部栅极腔部分和下部栅极腔部分中形成栅极电极。
用于形成堆叠 fet 器件方法

[发明专利]一种用于形成半导体器件的方法-CN202211608932.5在审
发明人： 曾文德;A·万杜伦;J·雷恰特;堀口直人 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成器件层堆叠，该器件层堆叠包括：第一子堆叠，包括第一牺牲层和在第一牺牲层上的限定第一子堆叠的最顶层的沟道层，以及在第一子堆叠上并包括第一牺牲层和第一牺牲层上的第二牺牲层的第二子堆叠，第一牺牲层限定第二子堆叠的底层，其中第一牺牲层由第一牺牲半导体材料形成，第二牺牲层由第二牺牲半导体材料形成，且沟道层由半导体沟道材料形成，其中第二子堆叠的厚度超过第一子堆叠的第一牺牲层的厚度。该方法包括用介质层替换第二子堆叠的第二牺牲层；通过从牺牲栅极结构的相对侧横向蚀刻第一和第二子堆叠的第一牺牲层的后端面，在器件层堆叠中形成凹陷；在凹陷中形成内部间隔物。
一种用于形成半导体器件方法

[发明专利]用于形成堆叠式FET器件的方法-CN202211623267.7在审
发明人： 曾文德;D·拉迪斯克;A·万杜伦;J·博迈尔斯 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成堆叠式FET器件的方法，包括：形成底部FET器件，该底部FET器件包括沿至少一个沟道层布置的底部栅极电极；在底部FET器件上方形成接合层；以及在接合层上形成顶部FET器件，包括：形成包括至少一个沟道层以及在该至少一个沟道层上方的顶部牺牲层的器件层结构；将顶部牺牲层替换成介电虚设材料的虚设层；在器件层结构旁边形成栅极‑到‑栅极触点沟槽，暴露底部栅极电极的顶表面，其中形成栅极‑到‑栅极触点沟槽包括蚀刻接合层；沉积栅极电极材料以沿至少一个沟道层形成顶部栅极电极以及在栅极‑到‑栅极触点沟槽中形成栅极‑到‑栅极触点；以及形成顶部FET器件的源极和漏极。
用于形成堆叠 fet 器件方法

[发明专利]用于形成FET器件的方法-CN202211540403.6在审
发明人： 曾文德;G·海灵斯;B·切哈布;J·雷恰特;堀口直人 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种形成FET器件的方法，包括：形成初步器件结构，其包括包含层堆叠的鳍结构及沿鳍结构的第一侧的沉积层和沿鳍结构的第二侧的虚设结构，其中层堆叠包括沟道层和与沟道层交替的非沟道层；形成掩模线；沿鳍结构的第一侧在沉积层中形成源极和漏极沟槽；通过从源极和漏极沟槽蚀刻鳍结构，在层堆叠中形成一组源极和漏极腔；形成包括公共主体和从公共主体突出进入源极和漏极腔中的一组叉齿的源极主体和漏极主体；将掩模线嵌入覆盖材料中并去除掩模结构；通过蚀刻虚设结构来形成栅极沟槽；通过从栅极沟槽蚀刻鳍结构在层堆叠中形成一组栅极腔；和形成包括栅极沟槽中的公共栅极主体和从公共栅极主体突出进入栅极腔中的一组栅极叉齿的栅极主体。
用于形成 fet 器件方法

[发明专利]用于形成FET器件的方法-CN202211540722.7在审
发明人： 曾文德;堀口直人;J·雷恰特 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种用于形成FET器件的方法，包括：形成包括层堆叠的鳍结构，层堆叠包括沟道层和与沟道层交替的非沟道层；从鳍结构的第一和第二相对侧中的每一者蚀刻第一鳍部和第二鳍部中的每一者，使得在层堆叠的第一组层中形成延伸穿过第一鳍部的一组源极腔以及延伸穿过第二鳍部的一组漏极腔；用虚设材料填充源极腔和漏极腔；在从第二侧掩蔽鳍结构的同时：‑通过从第一侧蚀刻来去除虚设材料，以及‑随后，形成源极主体和漏极主体；以及在从第一侧掩蔽鳍结构的同时：‑从第二侧蚀刻第三鳍部，使得在第二组层中形成延伸穿过第三鳍部的一组栅极腔，以及‑随后，形成栅极主体。
用于形成 fet 器件方法

[发明专利]用于形成FET器件的方法-CN202211540365.4在审
发明人： A·阿夫扎利安;J·雷恰特;堀口直人;曾文德 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了形成FET器件的方法，该方法包括：形成鳍结构；在从与鳍结构的第一侧相对的、鳍结构的第二侧掩蔽鳍结构的同时：‑从第一侧在横向上蚀刻第一鳍部和第二鳍部中的每一者，使得在第一鳍部和第二鳍部中的第一非沟道层中形成一组源极腔和一组漏极腔，以及‑随后，形成源极和漏极主体，每一者包括沿第一侧的相应公共主体部分和分别从相应公共主体部分突出进入源极腔和漏极腔中并邻接沟道层的一组叉齿；以及在从第一侧掩蔽鳍结构的同时：‑从第二侧在横向上蚀刻第三鳍部，使得在第二非沟道层中形成延伸穿过第三鳍部的一组栅极腔，以及‑随后，形成包括沿第二侧的公共栅极主体部分和从公共栅极主体部分突出进入栅极腔中的一组栅极叉齿的栅极主体。
用于形成 fet 器件方法

[实用新型]一种瓷壳自动排列装置-CN202222928242.X有效
发明人：谢伦文;丁勇;曾文德 -专利权人：长沙市康荣新材料有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B65G47/82 文献下载
摘要：本实用新型属于自动化设备技术领域，公开了一种瓷壳自动排列装置，包括机架，所述机架底部安装有移动轮，所述机架安装有除杂机构，所述机架于所述除杂机构下侧安装有接尘斗，所述机架于所述接尘斗输出端安装有收集斗，所述机架于所述除杂机构输出端安装有转运机构，所述机架于所述转运机构输出端安装有推送机构，所述机架安装有承托机构，所述承托机构作为所述推送机构的最终输出端，所述机架安装有下料机构，本实用新型通过转运机构将瓷壳移动到推送机构位置，由推送机构将瓷壳推送排列在承托机构上，运行第一伸缩缸后，就能实现将排列完成后的瓷壳放置在下侧的托板上，最后由下料机构将托板输送出，便于后续的使用。
一种自动排列装置

[发明专利]一种全高闸自插式转杆-CN202310020811.7在审
发明人： 曾文德;李琳;蔡庆燕 -专利权人：深圳市德宝智能科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： E06B11/08 文献下载
摘要：本发明提供了种全高闸自插式转杆，其包括：具有连接孔的转杆主轴；卡扣连接于所述主轴上的所述第一自插式转杆组件和第二自插式转杆组件。所述第二自插式转杆组件包括：第二插接件，连接于所述第二插接件上的第二塞管件以及连接于所述第二塞管件上的第二转杆，所述第二插接件插接于所述连接孔。该全高闸自插式转杆通过将转杆主轴以及第一自插式转杆组件和第二自插式转杆组件采用卡扣连接方式，同时将第一自插式转杆组件和第二自插式转杆组件各组成部件均采用插接卡扣方式连接，其能够全部在现场完成组装，其组装方式简单快捷，省时省力，且组装后稳定耐用，不宜脱落。
一种全高闸插式转杆

[实用新型]一种极窄速通门机芯-CN202220694466.6有效
发明人： 曾文德;李琳;赖名果 -专利权人：江西德宝云慧科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H02K7/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一款极窄速通门机芯，极窄速通门机芯，包括：底板，沿底板长度方向依次设置的动力装置、转轴、离合器和转筒组件，动力装置的动力输出端连接于所述转轴的一端，所述转轴穿设于所述离合器，且另一端连接于转筒组件，通过上述结构，可以使转轴由动力装置直接驱动，从而保证转轴有足够的扭力使转筒转动，体现出机芯小、瘦、细的结构方式。
一种极窄速通门机芯

[外观设计]闸机（3413）-CN202230184299.6有效
发明人： 曾文德;李琳;赖名果;陈耀辉 -专利权人：江西德宝云慧科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：闸机（3413）。2.本外观设计产品的用途：用于各场所出入口的闸门。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
闸机 3413

[实用新型]一种工件快速分拣装盒设备-CN202220723299.3有效
发明人： 曾文德;祝介平;谢伦文 -专利权人：广东康荣高科新材料股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B65B35/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工件快速分拣装盒设备，包括机架、用于工件自动上料的上料机构、用于工件分拣装盒的分拣机构、控制面板；所述控制面板与所述上料机构、分拣机构、电性连接；上料机构包括振动上料盘、直振送料器；两个所述振动上料盘相邻设置，且振动上料盘的开口分别与所述直振送料器上平行设置的两条工件送料槽连接；所述工件送料槽末端设有挡料板；本实用新型通过设置两组上料机构，不仅可实现一次抓取多个工件，还可在吸取一组工件后无需等待工件传输完成即可接着将吸盘组件移动至另一送料槽上吸取下一组工件，往复交替取料，减少工件传输等待时间，极大地提高分拣装盒效率；同时更节能，生产成本更低。
一种工件快速分拣设备

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