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[发明专利]物理量传感器及其制造方法、电子设备、移动体-CN201810238485.6有效
发明人：田中悟 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：物理量传感器的制造方法具有在基板上形成第一固定电极、第二固定电极和虚拟电极的电极形成工序、以及可动体形成工序，电极形成工序具有以下工序：在基板上形成第一掩模层；在基板上以及第一掩模层上成膜第一导电层并去除第一掩模层而形成第一电极材料层；在基板上以及第一电极材料层上成膜第二导电层；在第二导电层上成膜掩模材料层并将俯视观察时掩模材料层的未与第一电极材料层重叠的部分的局部去除而形成第二掩模层；以及以使第二导电层设于第一电极材料层上及基板上的方式将第二掩模层作为掩模对第二导电层进行蚀刻而形成第二电极材料层
物理量传感器及其制造方法电子设备移动

[发明专利]互连结构的形成方法-CN201410301170.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：包括：在形成介质层后，在介质层上形成碳氧化硅(SiOC)层，在碳氧化硅层上形成金属掩模材料层；之后再刻蚀金属掩模材料层和碳氧化硅层形成硬掩模，并以硬掩模为掩模刻蚀介质层，在介质层形成通孔；向通孔内填充导电材料后以碳氧化硅层和金属掩模材料层双层结构取代现有的含有金属层、TEOS层和采用低K材料制成的结合层的结构。后续在介质层内形成通孔后，清洗通孔以去除刻蚀介质层时所形成的刻蚀副产物时，碳氧化硅层、金属掩模材料层和介质层消耗速率相似，有效改善形成于硬掩模以及介质层内的通孔侧壁平整度，进而提高后续向通孔内填充的导电材料的填充性能
介质层通孔碳氧化硅层金属掩模材料层硬掩模刻蚀介质层导电插塞互连结构填充导电材料刻蚀副产物掩模材料层导电材料刻蚀金属双层结构碳氧化硅填充性能通孔侧壁低K材料结合层金属层平整度掩模去除填充清洗消耗

[发明专利]运用选择性移除鳍部的半导体结构的形成-CN201710432441.2有效
发明人：谢瑞龙;卡瑞妮·B·拉贝尔;成敏圭 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及运用选择性移除鳍部的半导体结构的形成，举例而言，包括提供衬底，其具备上有第一硬掩模的第一多个鳍部、上有第二硬掩模的第二多个鳍部，该第一硬掩模有别于该第二硬掩模，在该第一与第二鳍部的诸下部分之间沉积第一填充材料，在介于该第一与第二鳍部之间的该第一填充材料上沉积第三硬掩模层，在延展于该第一与第二鳍部的诸上部分之间的该第三硬掩模上沉积第二填充材料，选择性地移除该第二硬掩模及该第二鳍部以在该第一与第二填充材料中形成开穴，在该开穴中沉积第三填充材料，以及移除该第三硬掩模上面的该第二填充材料与该第三填充材料以形成鳍部切口区。
运用选择性半导体结构形成

[发明专利]图案化的方法与半导体结构-CN201410471474.4有效
发明人：杨金成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的方法，该方法包括：提供具有材料层的基底；在材料层上形成图案化的硬掩模层，其中具有多个第一孔洞；接着，形成掩模层，其中包括多条线图案掩模，线图案掩模沿着一方向延伸，且将每一第一孔洞分隔成第二孔洞与第三孔洞；以图案化的硬掩模层以及掩模层做为掩模，对材料层进行图案化，以形成具有多个第四孔洞与第五孔洞的图案化的材料层。
孔洞图案化材料层掩模半导体结构硬掩模层线图案掩模层方向延伸基底分隔

[发明专利]一种光掩模图案的修复方法-CN201410222368.2在审
发明人：吴苇;王云海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模图案的修复方法，所述修复方法包括步骤：提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模图案的遮光层，所述掩模图案具有待修复部分；刻蚀所述透明基板，在与所述待修复部分对应的位置形成与待修复部分图案相同的沟槽；沉积修复材料至所述沟槽中，修复所述光掩模图案。本发明通过在所述透明基板中制作沟槽并将修复材料填充在沟槽中，确保修复完成后，修复材料与透明基板稳定结合，使之可以经受高强度的清洗工艺，避免修复材料再次缺损，保证光掩模的可靠性，提高光掩模的产率。
一种光掩模图案修复方法

[发明专利]降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法-CN201210353546.6有效
发明人：孟令款;贺晓彬;李春龙 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
降低电子束光刻时光粗糙方法

[发明专利]沉积掩模和制造沉积掩模的方法-CN201610461420.9在审
发明人：姜勋;甘范修;张宗燮;全祐奭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：公开了沉积掩模和制造沉积掩模的方法。该方法包括在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层
沉积制造方法

[发明专利]掩模一体型表面保护膜-CN201680024338.8有效
发明人：横井启时;内山具朗;冈祥文 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。
掩模一体型表面保护膜

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410077118.4有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括在半导体衬底的介电层上，形成以掺碳的氧化硅为材料的第一硬掩模层，掺碳的氧化硅形成工艺中，不会形成氧气等离子气体，因而避免氧气等离子气体造成介电层损伤；在第一掩模层上形成以掺碳和氟的氧化硅为材料的第二硬掩模层，以第一硬掩模层和第二硬掩模层为整体作为硬掩模层，并以硬掩模层内的硬掩模图案为掩模刻蚀介电层，在介电层内形成开孔；之后采用清洗溶液清洗开孔。其中，清洗第二硬掩模层的速率大于清洗第一硬掩模层的速率，从而可有效扩大硬掩模层以及介电层内的开孔的开口，在后续向介电层的开孔内填充金属材料过程中，便于金属材料进入介电层的开孔内，优化开孔内的金属的结构形态
半导体器件形成方法

[发明专利]低电阻薄膜有机太阳能电池电极-CN200680037739.3有效
发明人：史蒂芬·R·福里斯特;薛剑耿 -专利权人：普林斯顿大学理事会
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：一种降低光敏性装置的串联电阻的方法，包括：提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜；在第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积，从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
电阻薄膜有机太阳能电池电极

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201911191431.X在审
发明人：高林 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有键合层；在键合层上覆盖金属硬掩模层；图案化金属硬掩模层，形成金属硬掩模图案；以金属硬掩模图案为掩模在键合层中形成通孔；在金属硬掩模图案表面及通孔中覆盖互连材料；以及进行平坦化，平坦化去除键合层表面的金属硬掩模图案及互连材料，停留在键合层上，且保留通孔中的互连材料作为互连结构。
键合层金属硬掩模互连材料通孔半导体结构平坦化图案图案化金属硬掩模层金属硬掩模层半导体器件互连结构图案表面覆盖去除掩模停留保留制作

[发明专利]掩模框架组件、制造其的方法以及制造显示器的方法-CN201610195748.0有效
发明人：韩政洹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请涉及掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法以及制造显示器的方法。掩模框架组件，包括框架和具有与框架接触的第一表面的掩模。掩模包括有效区域和形成在有效区域中的图案孔，其中图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模。掩模还包括布置在有效区域的外部并配置为阻挡沉积材料穿过掩模的肋部以及布置在肋部的一部分上的非磁性加强件。
框架组件制造方法以及显示器

[发明专利]可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法-CN200910080573.9有效
发明人：郭建;周伟峰;明星 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法。其中，掩模版包括：基板，所述基板上形成有相互搭接的挡光材料层和压电陶瓷材料层，形成有所述挡光材料层和所述压电陶瓷材料层以外的基板区域为透光区域，且所述透光区域与所述压电陶瓷材料层相邻。本发明当掩模版制造完成后，由于工艺条件改变等原因需要调整掩模版图形尺寸时，可通过对压电陶瓷材料进行加压控制，从而对掩模版上的图形尺寸进行调整，而不需要重新制备新的掩模版，降低了生产制造的成本，并有利于缩短生产周期
调节图形尺寸模版及其制造方法

[发明专利]连续阴影掩模汽相沉积系统的阴影掩模的原位腐蚀方法-CN200810168296.2无效
发明人：托马斯·彼得·布罗迪;约瑟夫·A·马尔卡尼奥 -专利权人：阿德文泰克全球有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23F1/12 文献下载
摘要：公开了一种连续阴影掩模汽相沉积系统的阴影掩模的原位腐蚀方法，其中将基板推进通过多个顺序连接的沉积真空腔。随着基板推进通过每个沉积真空腔，通过定位于沉积真空腔中的阴影掩模在基板上沉积来自定位于沉积真空腔中的材料沉积源的材料。该材料还被沉积在了阴影掩模朝向该材料沉积源的表面上。接着在至少一个沉积真空腔中的阴影掩模的表面上所进行的材料沉积之后，在该沉积真空腔中没有基板时将反应气体导入该沉积真空腔。随后使得反应气体电离以去除沉积在阴影掩模上的材料。
连续阴影掩模汽相沉积系统原位腐蚀方法

[发明专利]蒸镀掩模用框架、带框架蒸镀掩模以及蒸镀方法-CN202180025079.1在审
发明人：若林雅;野本将史 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：提供一种蒸镀掩模用框架，该蒸镀掩模用框架轻量并具有高刚性，且抑制脱气的产生。一个实施方式的蒸镀掩模用框架(50)具备构成为保持蒸镀掩模的框架主体(51)。框架主体是基材以及强化材料均由无机固体材料构成的复合材料。
蒸镀掩模用框架蒸镀掩模以及方法