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- [发明专利]刻蚀方法-CN201810231889.2有效
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张彪;邵克坚;曾明鑫;李元凯;程强;乐陶然
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长江存储科技有限责任公司
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2018-03-20
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2020-11-06
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H01L21/3213
- 本发明公开了一种刻蚀方法，包括：步骤a，在衬底上依次形成材料层、牺牲层和硬掩模层；步骤b，以光刻胶图形为掩模，刻蚀硬掩模层形成硬掩模图形；步骤c，以硬掩模图形为掩模，刻蚀部分牺牲层，剩余的牺牲层具有水平部分，以及在水平部分上的垂直部分；步骤d，分解硬掩模图形，在牺牲层的垂直部分的侧壁上形成保护层；步骤e，重复步骤c和步骤d，直至暴露材料层，留下垂直的牺牲层图形。依照本发明的刻蚀方法，物理轰击硬掩模层图形使其分解而附着在牺牲层侧壁上作为保护层，获得了垂直度良好的牺牲层图形，提高了刻蚀的精细度，减少了器件缺陷、提高了良率。
- 刻蚀方法
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