“马德敬”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202110730836.7在审
发明人：尹卓;马德敬;朱娜;张兴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种图像传感器及其形成方法，其中所述图像传感器包括：依次堆叠的硅衬底、掩埋氧化层和顶层硅；感光元件，位于所述硅衬底中；浮置扩散区，位于所述感光元件一侧的硅衬底中；垂直传输栅极，位于所述感光元件以及所述浮置扩散区之间的硅衬底上，并且贯穿所述掩埋氧化层和顶层硅；第一控制栅和第二控制栅，分别位于所述垂直传输栅极两侧的所述顶层硅上。本申请技术方案的图像传感器及其形成方法能够解决感光元件和控制器件之间漏电的缺陷。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]形成自对准源区的方法-CN200910247327.8无效
发明人：任学慧;马德敬;王艳琴;冯炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成自对准源区的方法，首先在形成沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层和沿字线方向的栅极的半导体晶圆上形成轻掺杂漏区；沿字线方向形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层阻挡所述轻掺杂漏区、所述栅极以及所述轻掺杂漏区之间的浅槽隔离二氧化硅层，并暴露用于形成自对准源区的区域；以所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对用于形成自对准源区的区域中的浅槽隔离二氧化硅层进行干法刻蚀，并对所述半导体晶圆执行源区离子注入；对所述半导体晶圆进行低温等离子体处理；对所述半导体晶圆进行灰化处理和酸槽清洗。该方法减小了栅极断裂的可能性，提高了工艺良品率，增加了产量。
形成对准方法

[发明专利]制作半导体器件的栅极结构的方法-CN200910200018.5无效
发明人：朱娜;朱磊;马德敬;任学慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出了一种制作半导体器件的栅极结构的方法，所述方法包括如下步骤：在前端器件层上形成栅极层；在所述栅极层上沉积硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层，形成具有图案的硬掩模层；以所述具有图案的硬掩模层为刻蚀掩模，刻蚀所述栅极层形成栅极。根据本发明的工艺能够使得光刻图案精确地转移，且能使制作成本下降。
制作半导体器件栅极结构方法

[发明专利]制作半导体器件中的接触孔的方法-CN200910197944.1有效
发明人：朱磊;马德敬;朱娜;孙俊菊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件中的接触孔的方法，所述方法包括下列步骤：在前端器件层上提供一介电层；在所述介电层上沉积一层多晶硅作为硬掩模层；在所述硬掩模层上旋涂第一底部抗反射涂层，然后涂敷带有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层作为掩模，刻蚀所述第一底部抗反射涂层以及所述硬掩模层；去除所述光刻胶层以及第一底部抗反射涂层；以所述硬掩模层作为掩模，在所述介电层上刻蚀出接触孔；在所述接触孔中回填充第二底部抗反射涂层，回蚀所述第二底部抗反射涂层，使所述第二底部抗反射涂层的上表面与所述硬掩模层的下表面齐平或略高于后者；利用干法刻蚀去除所述硬掩模层；去除所述接触孔内部残留的第二底部抗反射涂层。
制作半导体器件中的接触方法