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[发明专利]一种304不锈钢和纯铜冷复合卷材的生产方法-CN201210322873.5有效
发明人：谢举霞;刘岗;周洪岳;邓炳如 -专利权人：无锡银荣板业有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： B21B1/38 文献下载
摘要：不锈钢和纯铜冷复合卷材的生产方法，采用以下工艺步骤：（1）、原料：304冷轧不锈钢与纯铜卷材，进行表面除油去污处理；（2）、复合轧制：将304冷轧不锈钢与铜金属材料送入复合轧机中，进行同步常温连续复合轧制；（3）、扩散退火：经过轧制后的不锈钢铜复合卷材进行合金层的扩散退火；（4）、将经扩散退火后的不锈钢铜复合卷材进行平整；（5）、将上述平整后的不锈钢铜复合卷材进行拉弯矫直处理；（6）、将不锈钢铜复合卷材进行定尺分条为304
一种 304 不锈钢纯铜冷复合卷材生产方法

[发明专利]一种堆叠式高温退火工艺-CN201610707170.2有效
发明人：孙涌涛;彭兴;宋飞飞;董方 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式高温退火工艺。它具体操作步骤如下：(1)将刻蚀后的硅片叠放整齐，放入退火用的石英片架中；(2)用石英盖板盖在石英片架的硅片上并压好硅片，将石英片架送入高温扩散/氧化炉中；(3)将高温扩散/氧化炉的炉管升温并稳定进行退火；(4)降温出炉：将高温扩散/氧化炉的炉管降温，出炉。
一种堆叠高温退火工艺

[发明专利]一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺-CN201710254026.2有效
发明人：李旭敏;周晓康;陈发勤;梁学勤;李普;李宏;张军 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，涉及多晶硅铸锭领域，用于改善硅锭退火过程中的杂质扩散等问题，其在硅锭凝固完全后不需升高炉温而直接进行降温，避免了升温过程中杂质的扩散，使硅锭头尾及四周低少子寿命区域面积更小
一种提高多晶硅锭成晶率退火工艺

[发明专利]一种碲化铅器件电极材料的筛选方法-CN202310292276.0在审
发明人：裴艳中;李文;刘敏;张馨月 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化铅器件电极材料的筛选方法，包括如下步骤：S1、将Pb和Te混合后，抽真空封装，依次进行高温熔融、淬火、退火、淬火冷却，得到PbTe铸锭，研磨得到PbTe粉末；S2、将PbTe粉末与金属电极粉末混合，利用快速热压法，得到致密薄片，将致密薄片真空封装，分别进行不同时间的保温退火处理；S3、观察致密薄片中金属电极在PbTe中的形貌及元素扩散情况，结合菲克第二定律定量计算金属电极的扩散系数，筛选出扩散系数低的金属电极与现有技术相比，本发明依据菲克第二定律，结合实验数据定量计算金属电极在PbTe中的扩散系数，比较不同金属电极在PbTe中的扩散情况，效率高。
一种碲化铅器件电极材料筛选方法

[发明专利]一种太阳能电池的硼扩散方法及其制造方法-CN202111075495.0有效
发明人：许佳平;顾振华;曹育红;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的硼扩散方法及其制造方法，所述硼扩散方法包括如下步骤：（1）将硅片置于扩散炉中进行源沉积；（2）对硅片进行退火；（3）重复步骤（1）至步骤（2）n次以在硅片表面沉积BSG；（4）在硅片表面印刷掩膜；（5）清洗去除硅片表面未被掩膜覆盖区域的BSG；（6）清洗去除硅片表面的掩膜并水洗烘干；（7）将硅片再次置于扩散炉中进行高温扩散推进，获得符合掺杂浓度的硼选择性发射结。本发明采用多个源沉积和退火步骤在硅片表面沉积BSG，增强了B原子和Si原子的成键，大大降低了BSG中B2O3溶解于清洗液和水的程度
一种太阳能电池扩散方法及其制造

[发明专利]利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法-CN99807102.1有效
发明人： A·V·苏沃罗夫;J·W·帕尔穆尔;R·辛格 -专利权人：克里公司
申请日： 1999-06-07 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：以足以使深p型注入横向扩散到包围浅n型注入的碳化硅衬底表面的温度和时间，进行退火，同时不使p型注入通过浅n型注入纵向扩散到碳化硅衬底表面。因此，通过离子注入可以进行自对准浅和深注入，通过促使具有高扩散系数的p型掺杂充分扩散，同时具有低扩散系数的n型掺杂剂保持相对固定的退火，可以形成很好控制的沟道。因此，可以在n型源周围形成p-基区。
利用注入横向扩散制造碳化硅功率器件对准方法

[发明专利]嵌芯青铜涡轮坯加工制造工艺-CN201911180306.9有效
发明人：苗义高 -专利权人：丽水学院
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B23P15/14 文献下载
摘要：一种嵌芯青铜涡轮坯加工制造工艺，通过离心铸造、拉削、锯切、车一、插齿、扩散、压装、退火、扩散、车二这些步骤进行的。本发明有益的效果是：采用离心铸造的青铜铸管作为青铜齿套的坯料，减少了砂型铸造和重力铸造的气孔缺陷，采用拉削工艺提高了内表面加工效率，采用锯切坯料可以减少后续加工余量，接近近终成型，扩散退火使界面形成冶金结合
青铜涡轮加工制造工艺

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410046433.7无效
发明人：中冈弘明;中西贤太郎;海本博之;柁谷敦宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种铜/铝双金属毛细管的制备方法-CN201410105982.0有效
发明人：刘新华;谢建新 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B21C37/06 文献下载
摘要：本发明采用多道次冷旋的方法制备尺寸为Φ（7.0～15.0）mm×（0.5～2.0）mm的铜/铝复合管，然后在350～500℃和惰性气体保护条件下扩散退火10～60min；退火后的管材直接进行多道次的拉拔加工，结合中间退火，获得尺寸为Φ（0.5～6.1）mm×（0.1～0.8）mm的铜/铝双金属毛细管。本发明采用冷旋制备小尺寸铜/铝复合管，经扩散退火后拉拔加工，成形所需变形力小，工具、模具寿命高，设备所需的驱动力小，生产成本低。采用游动芯头拉拔和空拉拔相结合的方法，配以必要的中间退火，更有利于铜层和铝层的变形加工，得到的复合毛细管尺寸精度高、表面质量好。
一种双金属毛细管制备方法

[发明专利]三复合电触头制造工艺-CN200610049669.5有效
发明人：乐百令 -专利权人：乐百令
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01H11/04 文献下载
摘要：一种三复合电触头制造工艺，它包括银合金的板层、铜板层、铁板层组成的三层复合连接，铜板层与铁板层之间加入稀土材料层作为过渡材料；各层之间的复合连接依次包含工序内容是由铁板退火软化—铜板退火刨面—银合金板刨面—银合金板、铜板、稀土材料层、铁板的抛光与酸洗—氩气保护焊—热轧—扩散处理—冷轧—扩散退火—去裂边—落料—第一次退火—第一次清洗、抛光—成型—第二次退火—第二次清洗—抛光组成；热轧温度为500℃～700
复合电触头制造工艺

[发明专利]一种检测金属原子在非晶合金扩散深度的新方法-CN201910185973.X在审
发明人：孙琳琳;董忍娥;李京泽;赵巧绒;杨保龙;许博洋 -专利权人：西京学院
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：一种检测金属原子在非晶合金扩散深度的新方法，首先将非晶合金加工，打磨，在丙酮中进行超声波清洗和脱脂，放置于磁控溅射镀膜设备的真空炉中；进行扩散退火热处理实验前，镀膜后的样品被密封在真空玻璃管内，保温，扩散退火热处理之后，试样快速冷却至室温；采用二次离子质谱仪对金属/非晶合金扩散偶的原子分布情况进行分析，测试过程离子源对样品进行逐层剥离，通过对二次离子的质量分析，获得样品表层元素成分及元素沿纵向深度的分布状态；将TEM结果相结合，获得不同原子在非晶合金中扩散浓度与深度的变化曲线；最终可推算出扩散系数，本发明使金属原子与非晶合金最终达到原子级别的冶金结合，基体并保持非晶态，获得更为可靠准确的数据。
非晶合金金属原子扩散扩散退火种检测磁控溅射镀膜设备二次离子质谱仪超声波清洗热处理实验真空玻璃管热处理变化曲线测试过程分布状态快速冷却扩散系数样品表层冶金结合原子级别质量分析脱脂非晶态离子源真空炉丙酮镀膜与非保温打磨离子密封合金推算剥离金属加工分析

[发明专利]一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法-CN202011211909.3在审
发明人：包小倩;曹帅;高学绪;李纪恒;宋鑫芳 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料领域。将低熔点、高润湿性的R1‑M型合金附着在钕铁硼磁体的表面，在600‑800℃进行预扩散处理，并在450‑550℃进行预退火处理，得到晶界相网络，并为后续扩散提供通道；再将R2‑M型合金作为扩散源，在850‑950℃对磁体进行进一步晶界扩散处理，使R2元素在2:14:1主相晶粒的外层形成均匀的磁硬化壳层，并进行退火处理，得到最终磁体。本发明制备的磁体不仅在引入低重稀土元素条件下获得高的矫顽力，而且扩散距离长且组织均匀，适合尺寸较大的磁体。
一种复合扩散制备矫顽力钕铁硼磁体方法

[发明专利]接触孔的制作方法和结构-CN202111011356.1在审
发明人：陈曦;黄景丰;杨继业 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该接触孔的制作方法包括以下步骤：提供形成有通孔的半导体器件；通过离子化金属等离子制程，使得所述通孔的内表面上溅射沉积第一接触金属层；经过第一热退火处理后，通过自离子化等离子制程，使得在所述第一接触金属层的内表面上溅射沉积第一扩散阻挡金属层；通过化学气相沉积制程，使得所述第一扩散阻挡金属层的内表面上沉积形成第二扩散阻挡金属层；通过物理气相制程，使得所述第二扩散阻挡金属层的内表面上形成第三扩散阻挡金属层；位于所述通孔中的三扩散阻挡层的内表面包围形成金属填充空间；经过第二热退火处理后，向所述金属填充空间中填充金属。
接触制作方法结构

[发明专利]一种多组元高强度钛合金的设计方法-CN201810210372.5有效
发明人：刘立斌;吴迪;章立钢;王振宇;盛金文 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种多组元高强度钛合金的设计方法，包括以下步骤：1.熔铸所研究体系特定成分的合金铸锭；2.把合金铸锭切割所需尺寸的立方体形状；3.制备多元扩散节。4.把制备的扩散多元节进行真空扩散退火。5.把扩散退火后的扩散多元偶进行固溶和时效处理。测定时效处理后的多元扩散偶某一原合金区域内不同地方的某一成分合金的显微组织和显微硬度，之后确定此合金所对应的特定成分，建立钛合金“成分‑组织‑硬度”对应关系的数据库。
一种多组元高强度钛合金设计方法

[发明专利]退火腔-CN201910784374.X在审
发明人：余齐兴;杨宏超;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种退火腔，包括腔体、进气装置和排气装置，所述进气装置位于腔体的一侧，所述排气装置位于腔体的另一侧，所述腔体内设有冷板和热板，所述进气装置包括扩散腔室和进气板，所述进气板将扩散腔室与腔体隔断，所述扩散腔室设有进气口，所述进气板上设有多个散气孔，所述排气装置上设有多个排气孔。通过在腔体两侧设置进气装置和排气装置，使工艺气体平稳通过进气口先进入一个小的扩散腔室，再经过散气孔进入工艺腔体内，最后通过排气装置将气体抽出，从而使工艺气体平稳均匀的通过工艺腔体，避免气旋现象的出现，提高了退火的质量
退火