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[发明专利]一种均匀加热的退火炉-CN202010472273.1在审
发明人：石丽红 -专利权人：金汇创鑫智能科技（天津）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：本发明涉及退火炉技术领域，具体涉及一种均匀加热的退火炉。包括密封的退火炉主体，所述退火炉主体包括用来加热气体的加热部以及用来安放退火零件的退火部，所述加热部通过一均匀传热扩散机构连通退火部，所述均匀传热扩散机构包括若干用来扩散加热气体的扩散装置，以及为各个扩散装置均匀提供加热气体的导流装置本发明设备设置有均匀传热扩散机构，传热扩散机构连通加热部与退火部，使得从加热部进入退火部的加热气体能够均匀的扩散进入退火部，实现退火部内受热的均匀。
一种均匀加热退火炉

[实用新型]一种均匀加热的退火炉-CN202020942231.5有效
发明人：石丽红 -专利权人：金汇创鑫智能科技（天津）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及退火炉技术领域，具体涉及一种均匀加热的退火炉。包括密封的退火炉主体，所述退火炉主体包括用来加热气体的加热部以及用来安放退火零件的退火部，所述加热部通过一均匀传热扩散机构连通退火部，所述均匀传热扩散机构包括若干用来扩散加热气体的扩散装置，以及为各个扩散装置均匀提供加热气体的导流装置本实用新型设备设置有均匀传热扩散机构，传热扩散机构连通加热部与退火部，使得从加热部进入退火部的加热气体能够均匀的扩散进入退火部，实现退火部内受热的均匀。
一种均匀加热退火炉

[发明专利]一种perc电池的扩散退火工艺-CN202210529617.7有效
发明人：章康平;刘凯;孙建;李家栋;刘勇 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及perc电池技术领域，具体地说，涉及一种perc电池的扩散退火工艺。其包括以下步骤：将扩散炉石英管连接三氯氧磷扩散源，升温，通入携带扩散源的氮气和氧气至石英管中进行饱和工作；将硅片插入至石英舟，并将装满硅片的石英舟放置在碳化硅臂浆上，缓缓推入至扩散炉中；通入氧气，将石英管升温，通入氧气和携带扩散源的氮气，进行扩散；扩散结束后，温度持续下降一次退火，退火前加入氧气和足量的携带扩散源的氮气，温度缓缓下降，通入氧气和氮气进行二次退火；该perc电池的扩散退火工艺中，在退火工作时，进行两次退火工作，可保证退火工作时，进入使得硅片内部磷源充足，在降温时进行磷源的持续性补充。
一种 perc 电池扩散退火工艺

[发明专利]用于氧化镓材料的微波退火改性方法-CN202011603875.2有效
发明人：马宏平;侯欣蓝 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于氧化镓材料的微波退火改性方法。所述用于氧化镓材料的微波退火改性方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有由氧化镓层；在预设温度下对所述氧化镓层进行微波退火处理，所述预设温度低于扩散温度，所述扩散温度为所述氧化镓层中的氧化镓材料与所述衬底之间发生热扩散的最低温度本发明避免了现有传统的退火方式在退火过程中因退火温度过高而易发生氧化镓层与衬底之间热扩散的问题，且微波退火成本低廉，从而降低了氧化镓材料的退火处理成本，利于大规模量化生产。
用于氧化材料微波退火改性方法

[发明专利]半导体工艺方法-CN201910398689.0在审
发明人：韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法,包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有离子扩散阻挡层的待处理材料层进行退火处理。本发明的半导体工艺方法通过首先在离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，再将离子注入后的待处理材料层进行退火处理，在退火处理过程中，离子扩散阻挡层可以阻挡离子的扩散，从而避免离子扩散至快速热退火机台的腔室内，不会在快速热退火机台的腔室内壁造成附着，可以确保温度探测装置准确探测快速热退火机台的腔室内的温度，降低产品的报废率；同时，还可以降低快速热退火机台的维护频率，从而节约人力物力。
离子扩散机台待处理材料快速热退火离子阻挡层半导体工艺表面形成退火处理室内温度探测装置处理材料腔室内壁人力物力报废率附着探测阻挡扩散节约维护

[发明专利]InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法-CN202310580190.8在审
发明人：张承;李艳炯;孟钰淋;杨晓波;崔大健;黄晓峰;迟殿鑫;陈伟;朱长林 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法，掺杂和退火方法包括：将InP衬底放入MOCVD设备中；使MOCVD设备升温至第二温度，向MOCVD设备内部通入保护气体；对InP衬底进行P型扩散掺杂；使MOCVD设备升温至第三温度；对InP衬底进行原位退火；使MOCVD设备的温度下降至第一温度。本发明中，将原有的扩散掺杂和快速退火两道工艺合并成一道工艺，通过在MOCVD设备中进行高温原位退火，可以提高InP材料中P型掺杂的空穴浓度，且提高了快速退火过程中P型杂质无源扩散深度的一致性。另外，还能够避免快速退火过程中气氛污染物进入InP材料内部，提升PN结质量。
inp 衬底扩散掺杂退火方法光电探测器制作方法

[发明专利]一种深淬硬层冷轧工作辊及其制作方法-CN202310597692.1在审
发明人：黄智;宋雷钧;李祝茂 -专利权人：江苏裕隆特种金属材料科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种深淬硬层冷轧工作辊及其制作方法，包括以下步骤：S1、电炉冶炼：按化学成分混合金属原料，放入电炉中，1000℃加热融化，氧化期要高温激烈沸腾，自动流渣，纯沸腾时间≥10份、脱碳量≥0.3%；S2、油压快锻、扩散退火：扩散退火温度为1100℃～1200℃，退火5h；S3、球化退火：退火温度为870℃，退火7h；S4、粗加工；S5、超声波探伤；S6、热处理；S7、精加工。本发明中在热处理之前首先经过扩散退火和球化退火，能够减轻或消除钢锭化学成分及显微组织，能够扩散去氢，使得辊坯的球化组织良好，无片状碳化物，碳化物颗粒完整，分布均匀，加工性能和探透性好。
一种深淬硬层冷轧工作及其制作方法

[发明专利]太阳能电池扩散退火工艺-CN201210268476.4无效
发明人：陈剑锋;陆宁;陈文翔 -专利权人：江苏顺风光电科技有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池扩散退火工艺，包括前氧化、衡温预淀积、主扩散变温推进、降温、退火、退舟等步骤。本发明以衡温退火来修复晶格，减少高温扩散带来的热缺陷，降低漏电，提升Uoc、Isc，同时该退火工艺能起到二次推进的作用，更进一步降低“死层”、激活磷原子，提高载流子(电子—空穴对)密度,最终提升电池转换效率
太阳能电池扩散退火工艺

[发明专利]N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备-CN202110415406.6在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;张良;周肃 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备，包括在硅片的至少一个表面上形成磷浆层；对形成有磷浆层的硅片进行链式扩散退火，链式扩散退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，升温阶段和降温阶段均分别包含具有不小于本发明使用磷浆层喷涂叠加链式扩散退火炉技术进行磷吸杂，磷浆层的喷涂与链式扩散退火炉集成在一起，通过更优温度条件和强光辐射下扩散实现快速磷重掺杂，同时使用快速退火技术，使得金属杂质固定并析出在磷硅吸杂层，扩散温度更高工艺时间更短，可以大幅缩短工艺时间，吸杂效果更加明显，便于进行规模化量产。
硅片方法磷吸杂设备

[发明专利]改善H13锻件低倍粗晶及显微组织的热处理工艺-CN201510068575.1有效
发明人：李守杰;王学玺;高全德;王子君;孟令贤 -专利权人：中原特钢股份有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C21D8/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低倍及锻后退火组织要求较高的H13铝挤压模的改善H13锻件低倍粗晶及显微组织的热处理工艺，该工艺包括高温扩散加热、高温扩散冷却、正火加热、正火冷却及等温球化退火，所述高温扩散加热采用两次预热本发明提供的工艺采用高温扩散+正火+等温球化退火方式进行，通过高温扩散消除局部粗晶，获得较粗大均匀的晶粒及组织，为后续正火+等温球化退火做好准备；正火冷却时采用雾冷，提高冷却速度，使高温扩散产生的粗晶细化，并消除网状碳化物组织，再通过等温球化退火获得细小均匀的球状珠光体+少量弥散分布的粒状碳化物，达到消除低倍粗晶及显微组织均匀的目的。
改善 h13 锻件低倍粗晶显微组织热处理工艺

[发明专利]一种使用激光退火工艺激活离子的方法-CN201310630358.8在审
发明人：宋辉;孙昌;王艳生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明克服了现有技术只通过尖峰退火工艺来激活掺杂元素时产生的离子扩散，提出了一种使用激光退火工艺激活离子的方法，通过在尖峰退火和消除氮化硅层之后使用激光退火工艺，在显著提高激活离子的同时，减少离子的扩散效应
一种使用激光退火工艺激活离子方法

[发明专利]一种扩散片退火工艺-CN201611073147.9有效
发明人：周炯;李志丹;张俊 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩散片退火工艺，首先选择厚度范围为150～200μm的扩散片作为衬底，通过表面清洗并注入N型离子，经炉管完全退火形成一定的扩散注入曲线，推结形成第一缓冲层；其次在扩散片正面依次完成N‑衬底层和正面金属层；再次将扩散片翻转180度，对扩散片背面进行研磨至设定厚度，再进行表面抛光处理和表面化学修复；然后依次进行N型离子掺杂和P型离子掺杂注入和至少一次的激光退火制程，形成第二缓冲层和P层；最后经过背金工艺完成扩散片背面金属层本发明将扩散片与激光退火工艺优势互补，不仅满足了FS‑IGBT背面工艺的薄片需求，获得相似地电性能参数，同时简化了工艺流程，降低了制造成本。
一种扩散退火工艺

[发明专利]接触插塞的制造方法-CN201810381443.8有效
发明人：罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触插塞的制造方法，在向接触孔中填充导电层之前，先依次覆盖粘附金属层和扩散阻挡层，并根据粘附金属层和扩散阻挡层的厚度确定出较为优化的退火工艺条件，根据所述退火工艺条件来退火，之后在所述接触孔中填满导电层本发明根据粘附金属层和扩散阻挡层的厚度来优化退火条件，由此可以一方面在退火过程中利用扩散阻挡层阻挡N等向粘附金属层和半导体衬底等中扩散，避免接触电阻的升高，改善接触电阻均匀性，另一方面可以改善导电层的填充特性，实现接触电阻和接触插塞结构缺陷的最优解；此外，粘附金属层的厚度大于扩散阻挡层的厚度，可以有利于在接触孔底部形成更多的钛金属硅化物，降低接触电阻，改善半导体器件的性能。
接触制造方法

[发明专利]低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法-CN201310714376.4有效
发明人：郑国康;夏君磊;刘福民;黄韬;汪飞琴;关涛 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法，该调制器包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件，铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底、钛扩散波导区、退火外扩散区和金属电极，铌酸锂衬底采用x切y传晶片，钛扩散区域和退火外扩散区位于铌酸锂衬底的表层，且退火外扩散区位于钛扩散区域的两侧，金属电极位于退火外扩散区的表面，且正负电极关于钛扩散区域对称；第一
偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法

[发明专利]硅片的扩散方法、太阳能电池及其制备方法-CN201811110269.X在审
发明人：刘志强;严健;王言芬;费正洪 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片的扩散方法，包括如下步骤：S1：将制绒后的硅片放入扩散管中，扩散形成PN结；S2：对扩散管升温并向所述扩散管内通入氧气和氮气，以对硅片进行升温氧化，且升温后所述扩散管的温度高于扩散管在形成PN结时的温度；S3：对于升温氧化后的硅片在氮气氛围下进行降温退火；S4：将硅片退出扩散管。该硅片的扩散方法，在制作PN结完成后，增加了升温氧化与降温退火两步吸杂工艺；具体通过升温氧化过程中的氧化硅吸杂与降温退火过程中的晶界吸杂，可以减少硅片体内的杂质，降低硅片体内的复合中心，提高了少数载流子的寿命
硅片扩散方法太阳能电池及其制备

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