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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法-CN202010166234.9有效
发明人：张志向;邓春茂 -专利权人：天水天光半导体有限责任公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明是一种反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，步骤为：a、衬底硅片清洗b、初始氧c、埋层光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗：h、初始氧化i、下隔离光刻j、注入硼，k、下隔离推结m、漂片n、清洗o、外延，P、衬底硅片清洗Q、初始氧化R、上隔离光刻T、硼扩散U、隔离扩散V、漂硼硅玻璃W、清洗X、氧化Y、N+光刻Z、清洗AA、磷扩散BB、磷再扩散CC、P+环光刻DD、硼离子注入EE、退火FF
反向电压 40 60 整流电路集成制作方法

[发明专利]S形应力分布及其形成方法-CN201680072168.0在审
发明人： M·J·德内卡;P·奥拉姆;R·V·鲁斯夫;V·M·施奈德;C·M·史密斯;唐中帜 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C03C3/097 文献下载
摘要：在较长的离子交换和/或退火时间发生的应力松弛和热退火/扩散效应增加了表面层的压缩深度。还提供了获得这些效应的方法。
应力分布抛物线退火扩散效应离子交换强化玻璃时间发生误差函数应力松弛表面层热退火压缩

[发明专利]一种钢及其制备方法-CN202310195281.X在审
发明人：梁江涛;刘锟;邓素怀;李悦;肖宝亮;缪成亮;刘顺明;王永强;马壮;乔建军;余璐;李燕燕;景财良;金鑫;张涛;蒋晓刚;王晓斌;郭勇;程大圣;于孟;徐海卫;田志红;朱国森 -专利权人：首钢集团有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C21D8/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种钢及其制备方法，属于钢材制备技术领域，方法包括：获取铸坯；对所述铸坯进行轧制和卷取，得到板卷；对所述板卷进行酸洗，得到酸洗板；按第一退火参数控制对所述酸洗板进行第一退火，得到第一退火板；按设定压下率对所述第一退火板进行冷轧，得到冷轧板；按第二退火参数控制对所述冷轧板进行第二退火，得到钢；采用退火‑轧制‑退火的工艺，在设定压下率条件下，能够提供机械储能和碳扩散通道，提高钢的球化率，进而实现钢的低硬度和高延伸率。
一种及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池的制备方法-CN202111263015.3有效
发明人：任常瑞;李金;张佳舟;蒋韦;董建文;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池的制备方法，在硅片背面LPCVD制备隧穿氧化层并沉积本征非晶硅之后，先去除硅片正面非晶硅绕镀，然后在硅片背面涂覆液态掺杂剂并烘干，然后对硅片进行退火，通过退火使非晶硅晶化且使杂质激活本发明可实现单面扩散并无绕扩，是可用于制备n+POLO结构的工艺方案，满足高产能需求的同时，优化了工艺窗口，规避了绕扩风险，可实现退火前去除非晶硅绕镀，简化工艺步骤，保护硅片正面结构，提高工艺可控性，还能解决扩散浓度与隧穿层效果之间的矛盾
一种 topcon 电池制备方法

[发明专利]用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法-CN200680011514.0有效
发明人：朱文娟;迈克尔·P.·储德泽克;奥莱格·格鲁斯切恩科夫;朴大奎;关口章久 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括在基础栅电介质层(53)上形成均匀的扩散控制稳定材料的缓冲层，然后形成包括过渡金属原子源的均匀层，之后退火所述结构以将过渡金属原子从它们的源扩散经过扩散控制材料并进入基础栅电介质层
用于性能 cmos 应用超薄 hf 掺杂氧化制造方法

[发明专利]一种抑制CZT晶体内部富碲夹杂缺陷及提高其电阻率的方法-CN202310306487.5在审
发明人：王金斌;雷宇;钟向丽;戴伟;李州;熊欣宇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明采用双温区独立控制的卧式退火炉与开管退火相结合的退火方法，并以铟和碲作为退火源，高于富碲夹杂熔点的温度作为退火温度，氮气作为保护气氛，一步完成碲锌镉晶体的退火和元素扩散掺杂处理，以较短的退火时间，本发明无需焊管处理，操作工序少，石英管可以重复利用，退火周期短，避免了两步法退火繁琐的工艺，效率高成本低，是一种更具实用性的退火方法。
一种抑制 czt 晶体内部夹杂缺陷提高电阻率方法

[发明专利]一种高精密金属掩模板用因瓦合金极薄带生产工艺-CN202310755431.8在审
发明人：陈旭阳;宋孟;郑亮福;刘相华 -专利权人：宁波市甬程金属材料科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B21C37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精密金属掩模板用因瓦合金极薄带生产工艺，以因瓦合金带材为原料，经过扩散退火、第一阶段异步冷轧、切边、第二阶段异步冷轧、切边、第三阶段异步冷轧和矫直、切边、清洗、去应力低温退火、切条入库等工序，生产出适合高精密金属掩模板用的优质因瓦合金极薄带材；对原料进行扩散退火，对原料进行组织均匀化和去夹杂物，利于后续加工；使用凸度辊和分阶段轧制、退火、切边，可以有效控制极薄带材的力学性能和板形质量；使用异步轧制因瓦合金极薄带可以提高生产效率
一种精密金属模板合金极薄带生产工艺

[发明专利]一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法-CN201210018124.3有效
发明人：杨金波;韩景智;林忠;夏元华;刘顺荃;杨应昌 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法，包括：熔炼钐铜合金，将其甩带成为薄带并破碎成粉；熔炼铁钴合金，退火处理后破碎成粉；将钐铜粉末与铁钴粉末混合，在真空中退火，获得纳米复合磁体。该方法该将钐铜与铁钴粉末一起退火，钐铜扩散到铁钴粉末表层，形成Sm-Co-Cu硬磁壳层，特别是钐铜共晶合金具有较低的熔点，可在较低的退火温度下熔化扩散，从而抑制高温情况下纳米复合磁体中晶粒的异常长大。
一种复合磁体制备方法

[发明专利]一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法-CN202310059062.9在审
发明人：曾俞衡;叶继春;杜浩江;刘伟;廖明墩;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明利用介质层和磷掺杂源非晶硅层的叠层结构作为磷扩散源，其电学与钝化性能良好，同时可以调控扩散温度使之与背面p‑TOPCon结构退火温度相匹配，从而实现一步退火的制备工艺。
一种固态掺杂结构 topcon 太阳能电池制备方法

[发明专利]一种低压环境下的高均匀性浅结扩散工艺-CN201910396644.X有效
发明人：何一峰;赵庆国;吕文辉;姚春梅;汪燕萍;张宇辉 -专利权人：浙江贝盛光伏股份有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开的一种低压环境下的高均匀性浅结扩散工艺，包括以下步骤：（1）将硅片导入石英舟，石英舟恒温常压导入已净化炉管；（2）抽真空至炉体压力为50‑100mbar，对炉体分段扩散加热、恒温沉积、恒温分段推进加热；（3）在50‑100mbar下，对炉体降温并退火；（4）充氮恢复常压并导出石英舟，与现有技术相比，本发明可通过调整电池片PN的均匀性而降低表面扩散浓度，并且均匀性较好的结能更好的匹配烧结，从而提高表面欧姆接触品质，结合退火工艺提高少子寿命，有效提高电池片的电性能参数，并最终提高转换效率。
一种低压环境均匀性浅结扩散工艺

[发明专利]铸造单晶硅片黑丝的去除方法、HIT异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110243889.6有效
发明人：何亮;雷琦;徐云飞;罗鸿志;毛伟;何新根;李小平;李建敏;邹贵付;甘胜泉 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本技术方案公开了一种铸造单晶硅片黑丝的去除方法，HIT异质结太阳能电池及其制备方法，铸造单晶硅片黑丝的去除方法包括：高温磷扩散退火，将铸造单晶硅片放入热处理炉中，抽真空，并加热温度至不低于1200℃，在保护气氛下通三氯氧磷进行表面磷扩散通过高温磷扩散退火工艺，有效减少铸造单晶硅片的黑丝面积，不仅有效降低电池片的EL不良比例，且能有效提升电池片的效率。
铸造单晶硅片黑丝去除方法 hit 异质结太阳能电池及其制备

[发明专利]一种冶金级多晶硅掺磷吸杂的方法-CN201510129336.2在审
发明人：苏旭平;宋媛媛;王俊文;刘亚;曹达纯;王建华 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种冶金级多晶硅生产过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法，主要技术方案为：将掺磷后的冶金级多晶硅置于赤磷熔点以下温度300～590℃退火0.5～5小时，使磷在冶金级多晶硅中分布均匀，然后将冶金级多晶硅置于800～1000℃退火0.5～20小时。该方法利用磷在高温半导体内部的扩散，硅晶体中的硅-自间隙原子增多，为金属杂质从替代位置移动到间隙位置提供条件，从而加快金属杂质的扩散。最终，在退火过程中，使金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放，并扩散到冶金级多晶硅表面而被捕获，最终到达吸杂的目的。
一种冶金多晶硅掺磷吸杂方法

[发明专利]钛钢复合板的叠轧生产方法-CN201410091683.6在审
发明人：宋洪海;阎东辉 -专利权人：沈阳和世泰通用钛业有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B21B1/38 文献下载
摘要：将其中一个导管与真空泵相连，另一个导管上安装真空热偶，抽真空，封闭导管后；4）将复合板加热保温，热轧压延复合，三次轧制；5）重复步骤4），直至得到理想的尺寸；6）加热至720~780℃并保温1~3h，扩散退火；7）除掉扩散退火压延复合板表面的氧化层，冷轧压光；8）再次加热保温，扩散退火；9）修整熔封边缘得成品。
复合板生产方法

[发明专利]一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法-CN201910177846.5在审
发明人：张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-03-10 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法。凹陷部包括凹陷结构和环绕所述凹陷结构的第二凸起；键合：在键合机上将两片晶圆的嵌套结构对准，使其中一片晶圆的第一凸起与另一片晶圆的凹陷结构相互对准并键合，重复多次完成多层晶圆的键合；第一凸起和凹陷结构构成固液扩散金属对；退火：对完成键合的多层晶圆进行退火，使固液扩散金属对中的高熔点金属和低熔点金属融化扩散形成金属间化合物实现电连接。
键合嵌套结构晶圆退火凹陷结构凸起凹陷部微凸点扩散多层固液对准半导体技术领域金属间化合物低熔点金属高熔点金属金属生产效率电连接片晶背面融化环绕节约重复损害生产

[发明专利]燃气催化无焰近红外加热退火炉-CN201510382935.5有效
发明人：周海波 -专利权人：周海波
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：一种燃气催化无焰近红外加热退火炉，涉及一种退火炉，包括炉壳、炉衬、加热系统、冷却系统、输送系统，炉壳、炉衬之间设置有耐火材料层，加热系统嵌入耐火材料层中，它为燃气催化无焰近红外加热多孔介质燃烧器，其包括燃烧器本体、保温层、耐火砖层，耐火砖层内设有预混气体扩散室、穿孔板、预混气体均压室、阻焰屏障板、泡沫陶瓷板，预混气体扩散室的底部与预混气体供气管连通，预混气体扩散室的周边与耐火砖层之间设有保温棉；燃烧器本体的上、本发明的热效率高，燃烧完全，污染物排放低，可适用于需要保证炉内气氛的退火工艺，具有炉温高、能耗低、产量高、维修成本低等特点，易于推广使用。
燃气催化无焰近红外加热退火炉

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