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[发明专利]一种含有活性元素改性作用Re基扩散障的MCrAlY涂层及其制备方法-CN202210773544.6在审
发明人：姜肃猛;傅霖兵;李伟;宫骏;孙超 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有活性元素改性作用Re基扩散障的MCrAlY涂层及其制备方法，属于高温防护涂层技术领域。通过电镀技术、电弧离子镀技术加真空扩散退火的方法在高温合金基体上制备了一种含有活性元素改性作用Re基扩散障的MCrAlY涂层。与常规的扩散障相比，该扩散障起到了双重作用：第一，阻止了基体中难熔元素向涂层中扩散，抑制了涂层与基体之间的互扩散；第二，在高温氧化过程中，Re基扩散障中Re会向MCrAlY涂层中扩散，减少涂层与氧化膜之间的热膨胀系数在Re基扩散障的双重作用下，涂层的抗高温氧化性能得到提高。
一种含有活性元素改性作用 re 扩散 mcraly 涂层及其制备方法

[发明专利]晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法-CN201811049971.X有效
发明人：冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰;王志建;邰艳龙;彭祖军 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值
晶体太阳能电池扩散及其制备方法

[发明专利]改善晶圆间厚度均匀性的排气方法及排气装置及扩散炉-CN202111482997.5在审
发明人：朱宁炳 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶圆间厚度均匀性的排气方法及排气装置及扩散炉，所述方法包括如下步骤：在半导体晶圆制造工艺中，使用一种分别在承载晶圆的装置的多个热扩散分布区域设置排气口结构的扩散炉，并通过控制所述排气口结构的数量来调节控制排气时间等；本发明减少了扩散炉退火工艺中晶圆的冷却时间，预防了晶圆出现均匀性不良的问题等。
改善晶圆间厚度均匀排气方法排气装置扩散

[发明专利]一种真空扩散钎焊炉的多元加热方法-CN201611021935.3有效
发明人：王振;冯宪章;王丹;何翠敏;张华阳;王星星;姬振华;姜颖;魏永强;侯军兴;刘学申;蒋志强 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空扩散钎焊炉的多元加热方法，属于钎焊技术领域。一种真空扩散钎焊炉的多元加热方法，采用电阻加热、感应加热及炉体控温三元加热方式，所述感应加热采用感应线圈进行加热，所述炉体控温使用炉体内加热元件进行加热有益效果。采用本发明钎焊炉进行加热处理，热导率高，热扩散快，能够显著提高加热速度，改善热传导效率。同时，退火/扩散后，被加热工件的性能指标更高。
一种真空扩散钎焊多元加热方法

[发明专利]镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN201910215307.6在审
发明人：李国强;万利军;刘智崑;陈丁波;孙佩椰;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：（1）在AlxGa1‑xN势垒层上方光刻出栅电极接触窗口；（2）采用电子束蒸发/热蒸发/磁控溅射的方法在光刻后的表面沉积金属镁；（3）采用剥离工艺对未曝光的光刻胶进行剥离；（4）采用热退火工艺对沉积镁的外延片进行热退火的扩散掺杂；（5）通过配制稀盐酸将退火后的表面金属镁进行去除，得到增强型GaN基HEMT器件。本发明利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1‑xN势垒层的P型掺杂，制备出增强型GaN基HEMT器件。该制备方法具有工艺简单、成本低廉的优点，对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。
制备增强型镁掺杂热退火势垒层光刻表面沉积金属退火电子束蒸发热扩散技术栅电极接触剥离工艺表面金属磁控溅射扩散掺杂重要意义光刻胶金属镁热蒸发外延片稀盐酸栅电极沉积去除配制剥离曝光

[发明专利]一种抑制冷轧辊坯带状碳化物的锻造方法-CN202010570366.8在审
发明人：张鑫明;朱帅帅;冯斌;戴玉明 -专利权人：宜兴市鑫源辊业有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B21J5/00 文献下载
摘要：700‑850℃，保温2.5‑3h，继续加热至1150‑1200℃，保温5‑8h，冷却至1050‑1100℃进行自由锻三墩三拔开坯；（2）将上述自由锻坯加热至1000‑1050℃，保温10‑15h，进行扩散退火；（3）将上述扩散退火后锻坯加热至750‑850℃，保温0.5‑1h，继续加热至1150‑1200℃，保温2‑3h，冷却至1050‑1100℃进行径向十字锻造；（4）将上述径向十字锻造获得的轧辊锻坯水冷淬火本发明通过自由锻开坯+锻中高温退火+径向十字型多道次锻造技术，显著抑制高合金冷轧辊锻后带状组织，并且实现自动化连续作业，提高生产效率，减少生产成本。
一种抑制轧辊带状碳化物锻造方法

[发明专利]半导体器件及相关制作方法-CN202010386176.0在审
发明人：陈斌 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：，该半导体器件包括衬底以及并列在衬底上的隔离区和外延层，外延层中包括金属氧化物半导体器件，隔离区的上层为第二漂移区，隔离区分为两层，其各自的厚底小于外延层的厚度，可以在增加外延层的厚度的同时维持较低的退火热预算，降低杂质的横向扩散，提高半导体器件的表面利用率，降低成本；该半导体器件的制作方法将外延层的制作分为多层，同时也将隔离区的制作分为与外延层层数相匹配的多层，降低隔离区之间以及隔离区至相邻层的连接的深度，进而降低连接所需的退火时间或、和退火温度，降低隔离区杂质的横向扩散，降低隔离区的宽度，提高半导体器件的面积利用率，降低成本。
半导体器件相关制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610527878.X有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述金属栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的功函数层、以及位于功函数层上的金属层；在金属栅极结构顶部形成阻挡层；在金属栅极结构之间的基底上形成层间介质层；形成贯穿所述层间介质层的接触孔插塞；形成所述接触孔插塞后，对基底进行退火处理本发明在形成金属栅极结构后，在金属栅极结构顶部形成阻挡层；所述阻挡层用于在后续退火处理过程中，对所述金属栅极结构起到保护作用，避免退火处理中的易扩散原子扩散至金属栅极结构的功函数层中，从而避免对功函数层的功函数值产生影响
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种施加预应力促进银合金薄膜表面析出银颗粒的方法-CN201510444951.2有效
发明人：孙浩亮;魏明;王广欣;宋忠孝;马飞;李冉;崔晓爽 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：一种施加预应力促进银合金薄膜表面析出银颗粒的方法，将银合金薄膜以膜面朝上的方式两端固定，中部用向上凸起的凸模顶起，从而对银合金薄膜施加预应力，然后在真空炉内或气氛保护炉内加热退火，以增大残余压应力，促进薄膜原子扩散本发明通过对柔性基体上银合金薄膜施加预应力并进行退火处理调控银合金薄膜的原子扩散行为，促进银颗粒形成的方法，为获得大比表面积柔性聚酰亚胺基体银合金颗粒薄膜器件提供了技术支撑。施加预应力的大小可以根据需要通过调整模具进行调控，能有效促进退火过程中银合金薄膜表面银颗粒的形成，获得具有大比表面积的柔性基体银合金颗粒复合膜。
一种施加预应力促进合金薄膜表面析出颗粒方法

[发明专利]一种降低GCr15轴承钢带状碳化物级别的轧制及冷却工艺方法-CN201210075318.7有效
发明人：张爱文;焦四海;张庆峰 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： B21B37/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低GCr15轴承钢带状碳化物级别的轧制及冷却工艺方法，包括钢水经模铸或连铸后进行高温扩散退火，温度1260℃保温1-3小时；扩散退火后坯料经初轧开坯成板坯或方坯；钢坯在1150-1200小时后在板材或棒线材轧机上多道次轧制成成品钢材；轧制开轧温度不低于1120℃，终轧温度不低于1020℃；轧后立即水冷，开冷温度不低于1000℃，穿水冷却至620-660℃，水冷速度不低于50℃/s；球化退火制度为随炉升温至
一种降低 gcr15 轴承钢带状碳化物级别轧制冷却工艺方法

[发明专利]一种铝合金厚板叠层轧制工艺-CN201510939875.2有效
发明人：林林;温庆红;林顺岩 -专利权人：西南铝业（集团）有限责任公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：厚的铝合金铸锭；铸锭铣面及均匀化处理；铸锭预轧减薄至150～250mm；表面处理及叠层电焊，预热至400～460℃后进行叠层热轧焊接，焊接过程道次压下量为10％～20％；将叠层热轧焊接后的叠层铸锭在460℃条件下扩散退火；退火后利用扩散退火余热将叠层铸锭直接热轧成所需的成品铝合金厚板。
一种铝合金厚板轧制工艺

[发明专利]真空吸盘、基底吸附方法、激光退火装置和方法-CN201711278243.1有效
发明人：兰艳平;崔国栋 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空吸盘、基底吸附方法、激光退火装置和方法，该真空吸盘包括：吸盘主体、吸盘真空吸附部分以及微孔/凸点区域；其中，所述微孔/凸点区域设置在吸盘主体的中心，且与所述吸盘主体无缝连接，所述微孔/凸点区域处分布有若干微孔/凸点；所述真空吸附部分与所述吸盘主体连接形成一个用于吸附基底的真空腔，所述微孔/凸点的直径大小为1～100个基底热扩散长度。本发明通过在真空吸盘上设置微孔/凸点区域，增加与基底之间的接触面积，可以改善激光退火装置的耐温阈值；本发明通过对真空吸盘上的微孔的尺寸进行限定，将其直径大小控制在1～100个基底热扩散长度，从而可以保证激光退火时的均匀性
真空吸盘基底吸附方法激光退火装置

[实用新型]一种合金扩散退火后余热利用装置-CN201920096562.9有效
发明人：周毅 -专利权人：江苏新中洲特种合金材料有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及合金退火余热利用技术领域，且公开了一种合金扩散退火后余热利用装置，该合金扩散退火后余热利用装置，包括底框，所述底框的顶部固定连接有合金升温室，所述合金升温室的左侧设有承载车，所述合金升温室的右侧设有保温室
合金竖直杆底框升温室余热利用装置本实用新型扩散退火螺纹通孔条形通孔承载车螺纹杆加热退火余热利用技术防止污染滑动连接加热效率螺纹连接提高装置现有装置保温室有效地两组余热电机天然气节约

[发明专利]电工纯铁真空脉冲氢气退火装置及方法-CN201210332246.X有效
发明人：程强 -专利权人：南京晨光集团有限责任公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C21D1/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种电工纯铁真空脉冲氢气退火装置，包括炉体、扩散泵、炉盖、进气软管、出气软管、蝶阀和扩散泵出气管，所述炉体上设置炉盖，该炉体与扩散泵相连接，所述扩散泵的进气软管上设置第一电磁阀，扩散泵的扩散泵出气管上设置蝶阀，扩散泵出气管上还设置两个出气孔，该两个出气孔位于蝶阀的两侧，所述两个出气孔通过出气软管相连，出气软管上设置第二电磁阀。
电工真空脉冲氢气退火装置方法

[发明专利]一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片-CN201710300181.3有效
发明人：刘龙杰;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。本发明通过将扩散的掺杂金属的量调整为梯度，在初期采用较小的浓度进行高温扩散，能够让近表区氧沉淀充分溶解，过多的氧沉淀不利于退火步吸除杂质，增加太阳能电池板的开压；而随着工艺过程，在后期采用较大的掺杂浓度进行高温扩散本发明提供的扩散方法，能够减少死层，溅射形成的填隙原子、位错和缺陷。
一种太阳能电池扩散方法得到