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[发明专利]一种制程设计套件器件库及设计迁移方法-CN202310470937.4有效
发明人：汤雅权 -专利权人：芯耀辉科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本申请提供一种制程设计套件器件库及设计迁移方法。制程设计套件器件库包括：第一器件库，包括多个第一器件，基于通用工艺制程和通用工艺层预先确定；第二器件库，包括至少一个第二器件，第二器件库的结构和第二器件可配置为对应指定工艺制程并且可映射到指定工艺层。针对待开发工艺制程，通过第一器件库提供待开发工艺制程的至少一部分以及通过第二器件库提供待开发工艺制程的剩余部分，待开发工艺制程的所述至少一部分通过比较待开发工艺制程和通用工艺制程确定。
一种设计套件器件迁移方法

[发明专利]器件与工艺仿真的异步调试方法、装置及存储介质-CN202211405276.9在审
发明人：李兴冀;骆吉洲;吕钢;杨剑群 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件与工艺仿真的异步调试方法、装置及存储介质，其中，器件与工艺仿真的异步调试方法包括：根据半导体器件的工艺仿真结果进行所述半导体器件的器件仿真过程；当所述器件仿真过程出现数据不收敛情况时，根据所述工艺仿真结果描述所述半导体器件的简化结构；根据所述简化结构重新进行所述器件仿真过程；根据重新进行的所述器件仿真过程进行评价。本方法能够实现器件、工艺联合仿真计算的诊断，以帮助用户定位直接将工艺仿真结果应用于器件物理特性仿真计算时出现数值计算不收敛的原因；且本方法能够利用提供的工具快速构建基于工艺仿真结果的器件结构并验证结构在器件仿真过程的数值计算收敛性，由此判定工艺仿真结果的合理性。
器件工艺仿真异步调试方法装置存储介质

[发明专利]外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型-CN201410712365.7在审
发明人：刘燕;宋志棠;汪恒;刘波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和器件模型参数；根据校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，然后校验二极管阵列器件的工艺优化条件根据下一代二极管驱动阵列器件的性能要求，可以方便、快捷地确定器件工艺条件和器件参数，预测器件性能。
外延沟道隔离二极管驱动阵列建模方法仿真模型

[发明专利]用于集成电路的工艺变化分析的方法-CN201510603715.0有效
发明人：郭晋诚;徐恭铭;胡伟毅;詹伟闵;管瑞丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供用于集成电路的工艺变化分析的方法及对应的系统。根据器件参数和工艺参数，生成描述集成电路的电子器件的网表。工艺参数包括电子器件单独的局部工艺参数和电子器件共用的全局工艺参数。识别关键电子器件，该关键电子器件包括对集成电路的设计规范的性能参数具有最大贡献的器件参数。确定用于关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的敏感度值。敏感度值代表一个或多个性能参数对关键电子器件的全局和局部工艺参数的变化有多敏感。基于敏感度值对Monte Carlo(MC)样本进行分类。
电子器件集成电路局部工艺敏感度工艺变化器件参数全局设计规范性能参数最大贡献网表样本分析个性敏感分类

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN01124761.4有效
发明人：池谷浩司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2001-08-03 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法。以往的半导体器件的电特性的测定、判断工艺和判断为优良品的半导体器件的捆扎工艺在单独的工艺中进行处理。因此,具有作为捆扎工艺的前工艺,半导体器件需要分开为优良品等级差的工艺,需要多余的时间和工艺这样的缺点。本发明在半导体器件40的特性测定、判断工艺时,把该半导体器件40的数据存储在测试器的存储器中。而且,如图10(B)所示,一个一个地记录所有的半导体器件40的数据,因此,具有在捆扎半导体器件40时,以一条捆扎线,根据该数据按照特性的等级差捆扎半导体器件的特征。
半导体器件制造方法

[发明专利]OCD测试图形结构及其制造方法-CN201910697715.X有效
发明人：曾翔旸;叶荣鸿;刘立尧 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种OCD测试图形结构，OCD测试图形结构形成于器件形成区域外部的半导体衬底上。半导体器件包括多个器件工艺层，OCD测试图形结构和器件工艺层中的被测试器件工艺层对应且用于对被测试器件工艺层的图形结构进行模拟。OCD测试图形结构采用由多个测试工艺层叠加而成的堆栈式结构，各测试工艺层和对应的各器件工艺层的工艺条件一一对应且具有对应的器件工艺层中的图形结构。本发明还公开了一种OCD测试图形结构的制造方法。
ocd 测试图形结构及其制造方法

[发明专利]基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法-CN201810553481.7有效
发明人：马武英;何振山;丛培天;姚志斌;王祖军;何宝平;盛江坤;董观涛;薛院院 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，该方法提高了CMOS工艺器件抗总剂量能力，解决了CMOS器件在空间辐射中长时间应用，使电子器件性能退变，甚至功能失效的问题。其包括1)确定待加固CMOS工艺器件的最优退火温度和最佳退火时间；2)确定调节电流及将CMOS工艺器件进行封装；2.1)在基片上制作加温电阻；2.2)对基片进行加热，将基片加热至最优退火温度值，确定此时的电流值为调节电流；2.3)将待加固的CMOS工艺器件与基片连接、封装，同时在CMOS工艺器件的管壳中增加温度控制管脚；3)根据步骤1)获得的最佳退火时间和步骤2.2)确定的调节电流对待加固的CMOS工艺器件进行加热，从而提高CMOS工艺器件的抗总剂量的能力。
退火加热抗辐射总剂量封装电子器件性能功能失效基片连接空间辐射时间应用电阻管脚管壳加温退变制作

[发明专利]一种球栅阵列（BGA）器件焊点清洗工艺的调节方法及清洗工艺-CN202110352869.2有效
发明人：王琳涛;王文慧;谭朋朋 -专利权人：电信科学技术仪表研究所有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H05K3/26 文献下载
摘要：本申请涉及PCBA清洗的技术领域，具体公开了一种球栅阵列（BGA）器件焊点清洗工艺的调节方法及清洗工艺。调节方法包括S1、球栅阵列（BGA）器件的模型构建：以透明片替代实际器件本体，并模拟实际待清洗球栅阵列（BGA）器件的封装，得到球栅阵列（BGA）器件模型；S2、清洁工艺的调节：以球栅阵列（BGA）器件模型的清洗工艺模拟实际球栅阵列（BGA）器件的清洗工艺，得到使得球栅阵列（BGA）器件焊点清洁度达标的清洗工艺。本申请的调节方法具有可视化判断球栅阵列（BGA）器件清洁度是否达标的优点，高效、简便地得到适当的清洗工艺。
一种阵列 bga 器件清洗工艺调节方法

[发明专利]一种IGBT器件背面制作方法-CN201810274856.6在审
发明人：张艳旺;吴宗宪;王宇澄 -专利权人：苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种IGBT器件背面制作方法，在IGBT 器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时降低器件参数Vce，且本发明制作工艺与现有IGBT正面工艺兼容，不增加产品工艺成本。
背面制作半导体器件产品工艺高温退火降低器件器件工艺正面工艺制作工艺碎片率兼容加工制造

[发明专利]一种先进工艺节点HEMT器件噪声参数预测方法-CN202310414452.3在审
发明人：张傲;高建军 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种先进工艺节点HEMT器件噪声参数预测方法，通过建立90nm工艺节点与70nm工艺节点HEMT器件噪声模型参数之间的关系；并通过测得的90nm工艺节点HEMT器件噪声参数，可预测得到70nm工艺节点HEMT器件噪声参数。本发明创造性地构建大尺寸与小尺寸HEMT器件模型参数按比例缩放关系，方便本领域技术人员快速得到相同工艺条件下不同物理尺寸的器件模型参数，预测器件的噪声特性，缩短了建模时间。
一种先进工艺节点 hemt 器件噪声参数预测方法

[发明专利]一种半导体器件统计模型的建模方法及装置-CN201710550239.X有效
发明人：卜建辉;李莹;赵博华;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件统计模型的建模方法及装置，所述方法包括：将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模；建立所述半导体器件的电路模型；基于预设的排列规则，对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列，形成所述半导体器件统计模型；如此，在建立半导体器件统计模型时，结合了工艺角模块，考虑到了工艺角对半导体器件性能的影响，因此建立的半导体器件工艺模型对工艺波动对器件性能的影响进行分析时，分析精度更高，进而可以提高半导体器件的精度。
一种半导体器件统计模型建模方法装置

[发明专利]一种RC-IGBT器件背面制作方法-CN201810274827.X在审
发明人：张艳旺;吴宗宪;王宇澄 -专利权人：苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种RC‑IGBT器件背面制作方法，在RC‑IGBT器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时改善器件参数Vce，且本发明制作工艺与现有IGBT正面工艺兼容，不增加产品工艺成本。
背面制作半导体器件产品工艺高温退火器件参数器件工艺正面工艺制作工艺碎片率兼容加工制造

[发明专利]基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法-CN201680014212.2有效
发明人：徐跃杭;闻彰;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：提出一种基于GaN器件等效电路模型的工艺参数分析方法，所述分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，即非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行统计分析。上述GaN器件模型的工艺参数的统计分析方法首先建立GaN器件小信号等效电路模型，然后建立工艺参数关联的GaN器件大信号等效电路模型，通过多批次器件建模最终获得工艺参数统计分布，有用于器件成品率分析和工艺参数优化
基于信号等效电路模型 gan 器件工艺参数统计分析方法

[发明专利]一种FinFET器件的CMP工艺建模方法-CN201611193180.5有效
发明人：徐勤志;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET器件的CMP工艺建模方法，包括：基于CMP工艺对FinFET器件进行机理分析，其中，所述机理分析包括：CVD沟槽填充机理分析和CMP工艺研磨机理分析；根据所述机理分析的结果，对所述FinFET器件进行CMP工艺建模，其中，CMP工艺建模包括：浅沟道隔离CMP工艺建模、多晶硅CMP工艺建模、第零层间绝缘CMP工艺建模和金属栅CMP工艺建模。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在于通过开发FinFET器件的CMP工艺建模技术，建立兼顾机理和效率的FinFET器件CMP仿真模型，以优化设计实现和工艺参数配置。
一种 finfet 器件 cmp 工艺建模方法

[发明专利]一种电路板和电子元器件的塑封方法-CN202011388401.0在审
发明人：李娟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电路板和电子元器件的塑封方法。电路板包括：基板、多个电子元器件和塑封薄膜；多个电子元器件位于基板之上，塑封薄膜采用塑封工艺对多个电子元器件进行封装。本申请通过塑封薄膜采用塑封工艺对电子元器件进行封装，塑封薄膜厚度较薄，能够减小电路板中电子元器件所在区域的厚度，而且塑封工艺中采用的治具相对简单，工艺条件容易实现，能够简化对电子元器件的封装制程，节省成本，并且工艺中无需对金手指区域进行额外保护，工艺简化。
一种电路板电子元器件塑封方法

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