专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]静态时序分析方法及其系统-CN202211733246.0有效
  • 汤雅权 - 芯耀辉科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-10-20 - G06F30/3315
  • 本申请提供了一种静态时序分析方法及其系统,静态时序分析方法包括:获取网表文件;对网表文件特征化,生成多个第一接口文件;将至少一个第一接口文件标记为兴趣接口文件;根据网表文件对兴趣接口文件重新特征化,生成至少一个第二接口文件;合并第一接口文件和第二接口文件,生成时序接口库;对时序接口库进行时序分析,生成分析结果。经过网表文件的初次特征化,其产生的第一接口文件将整个集成电路的电路规模进行了相当比例的简化,再复用第一接口文件,对兴趣接口文件重新特征化,可以快速生成较高精确度的第二接口文件,通过合并特征化和重新特征化的第一接口文件和第二接口文件,实现了大幅提升静态时序分析流程的流畅度和精确度。
  • 静态时序分析方法及其系统
  • [发明专利]静态时序分析方法及其系统、计算机可读取介质-CN202211738355.1有效
  • 汤雅权 - 芯耀辉科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-09-05 - G06F30/3315
  • 本申请提供了一种静态时序分析方法及其系统、计算机可读取介质,静态时序分析方法包括:获取网表文件;拆分网表文件,得到第一子网表和第二子网表,其中,第一子网表和第二子网表互补;对第一子网表特征化,生成第一接口文件;根据所述第二子网表对所述第一子网表进行标记;对所述第一子网表重新特征化,以生成时序接口库;对时序接口库进行时序分析,生成分析结果。通过拆分出互补的第一子网表和第二子网表,并特征化得到第一接口文件,降低了一次性特征化较大规模的网表文件的难度,加快了网表文件的特征化进程,同时,根据第二子网表对第一子网表进行标记,提高了最终生成的时序接口库的精确度。
  • 静态时序分析方法及其系统计算机读取介质
  • [发明专利]静态时序分析方法及其系统、计算机可读取介质-CN202211733196.6有效
  • 汤雅权 - 芯耀辉科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-09-05 - G06F30/3315
  • 本申请提供了一种静态时序分析方法及其系统、计算机可读取介质,所述静态时序分析方法包括:获取网表文件;根据多个分组条件对所述网表文件特征化,以同时生成多个对应的第一接口文件;合并多个所述第一接口文件,生成时序接口库;对所述时序接口库进行时序分析,生成分析结果。根据所述分组条件同时生成多个对应的所述第一接口文件,即在对所述网表文件特征化时,快速并行的生成多个所述第一接口文件,再将多个所述第一接口文件合并,生成完整的所述时序接口库,从而减少生成所述时序接口库的时间,大幅提升静态时序分析的流畅度。
  • 静态时序分析方法及其系统计算机读取介质
  • [发明专利]用于生成静态时序分析时序库的方法、设备及介质-CN202310553016.4有效
  • 汤雅权 - 芯耀辉科技有限公司
  • 2023-05-17 - 2023-08-18 - G06F30/3315
  • 本申请提供用于生成静态时序分析时序库的方法、设备及介质。方法包括:获取第一时序库,包括对集成电路设计按照第一工艺/电压/温度设定进行时序分析得到的第一时序分析结果,第一时序分析结果包括在与该第一时序分析结果对应的工艺/电压/温度设定下对所述设计进行时序分析得到的第一时序弧;针对第一时序弧,识别该第一时序弧的时序弧类型以及通过比较静态时序分析签字要求和该第一时序弧的时序弧类型从而识别需要添加最小端到端延时的第二时序弧;按照第二工艺/电压/温度设定,对第二时序弧所在的第一时序分析结果进行处理从而添加对应的最小端到端延时,得到第二时序分析结果后合并得到第二时序库。如此提高效率节省资源。
  • 用于生成静态时序分析方法设备介质
  • [发明专利]用于芯片设计的检查方法、设备及介质-CN202310468080.2有效
  • 汤雅权 - 芯耀辉科技有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-08-08 - G06F30/3315
  • 本申请提供一种用于芯片设计的检查方法、设备及介质。方法包括:识别待测设计中的组合逻辑元件和时序逻辑元件;基于组合逻辑元件预定义第一验证规则以及基于时序逻辑元件预定义第二验证规则,第一验证规则包括组合逻辑元件的潜在短路电流路径的发生条件,第二验证规则包括时序逻辑元件的潜在短路电流路径的发生条件;按照输入数据的时序路径进行第一静态时序分析并且在其过程中基于第一验证规则和第二验证规则获得第一检查结果,以及按照时钟和复位信号的时序路径进行第二静态时序分析并且在其过程中基于第一验证规则和第二验证规则获得第二检查结果;和基于第一和第二检查结果确定待测设计的潜在短路电流路径。如此具有高覆盖率。
  • 用于芯片设计检查方法设备介质
  • [发明专利]一种制程设计套件器件库及设计迁移方法-CN202310470937.4有效
  • 汤雅权 - 芯耀辉科技有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-07-18 - G06F30/30
  • 本申请提供一种制程设计套件器件库及设计迁移方法。制程设计套件器件库包括:第一器件库,包括多个第一器件,基于通用工艺制程和通用工艺层预先确定;第二器件库,包括至少一个第二器件,第二器件库的结构和第二器件可配置为对应指定工艺制程并且可映射到指定工艺层。针对待开发工艺制程,通过第一器件库提供待开发工艺制程的至少一部分以及通过第二器件库提供待开发工艺制程的剩余部分,待开发工艺制程的所述至少一部分通过比较待开发工艺制程和通用工艺制程确定。如此有助于大幅减少开发和验证周期。
  • 一种设计套件器件迁移方法
  • [发明专利]一种制备平面电容谐振器的方法-CN200710121861.5无效
  • 于晓梅;刘毅;汤雅权;马盛林;易玉良;王兆江 - 北京大学
  • 2007-09-17 - 2008-03-26 - H03H3/02
  • 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法,包括如下步骤:1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层,第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层;2)第二次光刻,并以该光刻胶作为掩膜,在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅,形成深槽;3)对刻蚀后的硅片氧化,然后湿法腐蚀掉氧化层,以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁;4)LPCVD并刻蚀SiO2,在深槽侧壁形成自对准氧化层;5)LPCVD多晶硅,光刻并刻蚀多晶硅,形成多晶硅传感电极和驱动电极;6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅,悬空谐振体结构;7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放,得到所述平面电容谐振器。
  • 一种制备平面电容谐振器方法
  • [发明专利]一种平面电容谐振器及其制备方法-CN200710121563.6无效
  • 于晓梅;汤雅权;刘毅;马盛林;易玉良;王兆江 - 北京大学
  • 2007-09-10 - 2008-02-20 - H03H9/24
  • 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器,包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底,谐振体是悬空的结构,通过锚点固支在衬底上;传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成,传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧,与谐振体之间保持有一定的间隙,两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构;传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上,焊盘上均设置有金属电极;绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm,具有极高的动态特性,其谐振频率可超过百MHz,而Q因子可达到105
  • 一种平面电容谐振器及其制备方法

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