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[发明专利]一种宽元素比的氮化钽薄膜制备方法-CN202211702330.6在审
发明人：尹志军;王海超;周昊珉 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽元素比的氮化钽薄膜制备方法，包括：选取镀膜衬底，对镀膜衬底进行NMP和纯水超声清洗，吹干，放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；将金属钽靶材放置于真空室靶台上，通入氩气/氮气混合气流，调节真空室真空度，其中，所述氩气和氮气的流量比为1～12：1～8，开始启辉，对镀膜衬底进行预溅射；使用磁控溅射法对镀膜衬底进行溅射镀膜，得到氮化钽薄膜成品。本发明采用直流/射频磁控溅射法，通过对溅射参数的调节，综合控制氮气流量、氮氩比、钽离子能量和沉积速率，进而控制纳米氮化钽薄膜形貌和氮化钽薄膜元素比，从而实现对纳米银/铝薄膜致密度和电导率的控制，进而制备元素比变化范围较宽的氮化钽薄膜
一种元素氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN201811250452.X有效
发明人：冯先进;徐伟东 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，源电极和漏电极生长在IAZO有源层上，包括：（1）清洗衬底；（2）使用射频磁控溅射法在衬底上生长所述采用射频磁控溅射法的制备工艺，可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的半导体薄膜材料，与现有的平板显示工艺相兼容，有利于IAZO TFT的低温制备。
一种性能多元金属氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种提高非晶WO3-CN202210094992.3有效
发明人：苏江滨;祁昊;朱秀梅;何祖明;蒋美萍 -专利权人：常州大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：用射频磁控溅射法在ITO玻璃衬底上制备了非晶WO3薄膜，然后在含量为99.7％的无水乙醇中充分浸泡后取出烘干，其在676.2nm波长处的光学调制最高可以提高35本发明利用射频磁控溅射法进行非晶WO3薄膜的沉积，它具有膜层均匀、膜基附着性好、易于大面积制备、重复性高和无需反应气体氧气等特点，而且乙醇浸泡处理方法简单、高效
一种提高 wo base sub

[发明专利]柔性基板制备方法及柔性基板-CN201910997920.8在审
发明人：易伟华;张迅;郑芳平;周慧蓉;杨会良;刘明礼;刘松林;周成;阳威;孔线宁;何智斌 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：其中，柔性基板的制备方法，包括：将基片进行超声波清洗；对清洗后的所述基片进行等离子体轰击；采用射频磁控溅射法在所述基片上形成衬底薄膜；采用直流磁控溅射法在所述衬底薄膜上形成导电薄膜以形成柔性基板；对所述柔性基板进行退火处理上述柔性基板的制备方法通过在采用等离子体轰击技术和磁控溅射技术，增加沉积到柔性基板表面的粒子和柔性基板表面本身的能量及膜层结合的能量，可提高膜层之间的附着力，降低膜层的内应力。同时，在基片和导电薄膜之间还溅射衬底薄膜，也可以增大膜层之间的粘附力。由于在基片上溅射沉积衬底薄膜和导电薄膜，可以降低基片表面的阻抗。
柔性制备方法

[发明专利]一种负热膨胀材料ZrW₂O₈薄膜的制备方法-CN200810156933.4无效
发明人：程晓农;刘红飞;张志萍;杨娟 -专利权人：江苏大学
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种负热膨胀材料ZrW₂O₈薄膜的制备方法，属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用ZrO₂靶材和WO₃靶材以射频磁控溅射法依次层状复合并经后续热处理制备负热膨胀本发明的优点在于利用ZrO₂靶材和WO₃靶材，以射频磁控溅射法依次层状复合并经热处理后制备ZrW₂O₈薄膜，有效避免溅射过程中优先溅射
一种热膨胀材料 zrw sub 薄膜制备方法

[发明专利]高耐电压低损耗硅基薄膜电容器及其制备方法-CN202110202386.4有效
发明人：余萍;刘运;丁明建;庄彤;黄彬彬;陈潇洋 -专利权人：四川大学;广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器的制备方法，首先在清洁后的低阻硅衬底顶面进行凹槽切割，使该被切割面形成由横向凹槽和纵向凹槽分隔成的多个方格状低阻硅平面，然后采用射频磁控溅射法在被切割面制备电介质薄膜，或者依次制备LaNiO3过渡层和电介质薄膜，经退火处理后采用射频磁控溅射法与电镀法制备上电极层并将上电极层图形化，再用射频磁控溅射法制备下电极层，然后经划片得到硅基薄膜电容器
高耐电压低损耗薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种制备高频软磁薄膜的方法及装置-CN200810092468.2无效
发明人：薛德胜;范小龙 -专利权人：兰州大学
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的方法所采用的是现有技术的射频磁控溅射法，但在进行溅射磁性金属材料的同时，还在基片上溅射少量的非磁性金属材料。本发明中溅射到基片上的非磁性金属与磁性金属之原子百分比为3～20。本发明所使用装置除溅射靶外，其余与现有的射频溅射装置完全相同，本发明所采用的溅射靶材为复合靶。
一种制备高频薄膜方法装置

[发明专利]利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术-CN202110089120.3在审
发明人：袁国梁;乔栓虎 -专利权人：山东电盾科技股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及建筑材料技术领域，具体涉及一种利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术。所述的利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术，制备步骤为：利用磁控溅射法，在陶瓷板釉面依次形成氮化硅薄膜过渡层、铬镍膜导电层，退火得到电磁屏蔽陶瓷板。本发明提供一种利用磁控溅射法制备电磁屏蔽陶瓷板技术，制备出的电磁屏蔽陶瓷板有效屏蔽外界信号对设备影响，避免外界电场对仪器设备的影响，提高仪器设备测试精度，延长使用寿命,产品可广泛应用于医院、学校、地铁等公共场所
利用磁控溅射法制电磁屏蔽陶瓷技术

[发明专利]固态电解质膜、固体氧化物燃料电池及其磁控溅射制备方法-CN202210860771.2在审
发明人：周莉骅;王贺武;欧阳明高 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M8/1253 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态电解质膜、燃料电池及其磁控溅射制备方法。所述固态电解质膜的磁控溅射制备方法，包括如下步骤：获取电池预制件；采用磁控溅射法于所述电池预制件的表面制备固态电解质膜；所述磁控溅射法的条件包括：溅射功率为30W～150W，溅射时间为60min～200min上述固态电解质膜的磁控溅射制备方法，利用磁控溅射的方法进行燃料电池中固态电解质膜的制备，配合合适的溅射功率，能够制备得到致密的固态电解质膜，规避了传统的高温烧结工艺，适应范围广。
固态电解质膜固体氧化物燃料电池及其磁控溅射制备方法

[发明专利]硅量子点光伏异质结制备方法-CN202111641234.0在审
发明人：唐利斌;方莉媛;张玉平;项金钟 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的方法采用射频磁控溅射高纯石墨，直流磁控溅射n型硅共溅射在衬底上，溅射后退火处理形成硅量子点光伏异质结薄膜。与现有制备技术相比，本发明采用的是低成本的磁控溅射法制备硅量子点薄膜，很好的降低了制备成本、绿色环保、且薄膜可控性强、均匀性好。
量子点光伏异质结制备方法

[发明专利]CNT-IGZO薄膜异质结双极晶体管及其制备方法和应用-CN201911242907.8有效
发明人：江潮;樊园;王彦杰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种CNT‑IGZO薄膜异质结双极晶体管及其制备方法和应用，其包括IGZO层和覆盖在所述IGZO层表面的CNT薄膜；制备方法包括，采用射频磁控溅射法制备IGZO层作为沟道材料，采用溶液滴涂法在本发明将采用射频磁控溅射法制备得到的IGZO的上表面非常平整，其粗糙度0.2nm，将P型CNT薄膜直接沉积在IGZO表面，使得P型有机半导体可以和N型氧化物半导体的电性能相接近，相对于现有技术而言，有效提高了该双极晶体管的电性能
cnt igzo 薄膜异质结双极晶体管及其制备方法应用

[发明专利]利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法-CN201710246585.9在审
发明人：朱慧;汪鹏飞;冯士维;郭春生;张亚民 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-04-16 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的顶部电极即可
利用射频磁控溅射工艺制备 bifeo3 薄膜存储器方法

[发明专利]用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法-CN201911316635.1在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;周永谋;田宏波;李洋;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
用于硅异质结电池 ito 薄膜制备方法

[发明专利]一种基于非晶态锰酸镧薄膜的交叉杆结构忆阻器及其制备方法-CN201510996322.0有效
发明人：刘东青;程海峰;张朝阳;郑文伟 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶态锰酸镧薄膜的交叉杆结构忆阻器的制备方法，包括以下步骤(1)采用直流磁控溅射法在衬底上制备出底电极；(2)采用射频磁控溅射法在底电极上制备出非晶态锰酸镧薄膜；(3)采用直流磁控溅射法在非晶态锰酸镧薄膜上制备出与底电极相互垂直的顶电极
一种基于晶态锰酸镧薄膜交叉结构忆阻器及其制备方法

[发明专利]低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法-CN01107160.5无效
发明人：杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2001-02-22 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：采用磁控溅射或射频溅射法沉积锰铜薄膜，通过对基板温度、锰铜靶的温度，以及热处理温度的控制，可使制备的锰铜薄膜的电阻温度系统达到±10×10^-6/℃，达到了与块状材料相当的水平。
电阻温度系数薄膜制备方法