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[发明专利]用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法-CN201710973963.3有效
发明人：周艳文;武俊生;赵卓;滕越;佟欣儒;李彤;王艳雪 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法，所述无机锡基钙钛矿太阳能电池依次由柔性聚酰亚胺导电基体、锡基钙钛矿CsSnI3层、超薄金属基透明导电薄膜组成；制备方法包括1)清洗基底；2)采用射频磁控溅射制备空穴传输层CuI；3)采用蒸镀法制备锡基钙钛矿CsSnI3层；4)采用射频磁控溅射制备电子传输层ZnO；5)采用连续磁控溅射法制备超薄金属基透明导电薄膜，即成无机锡基钙钛矿太阳能电池。
物理沉积法制无机锡基钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法-CN201610996213.3有效
发明人：张海宝;陈强;杨丽珍;袁燕 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2016-11-12 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，属于柔性包装薄膜材料制备技术领域。本发明是以磁控溅射法在聚合物薄膜表面沉积金属缓冲层，然后经真空蒸镀工艺沉积铝膜，获得高附着力镀铝膜。该制备工艺主要包括以下步骤：在磁控溅射腔室放置聚合物薄膜并将溅射腔室抽真空至6×10^‑3Pa以下；开启磁控溅射电源，沉积金属缓冲层；以沉积有金属缓冲层的聚合物薄膜为基底在蒸发镀膜机中蒸镀铝膜本发明可通过磁控溅射的工艺极大地增强镀铝膜的附着性能，可获得附着力在10N/15mm以上的高附着性能镀铝膜，溅射过程清洁环保，产品附加值高，工艺简单，容易产业化。
一种采用磁控溅射法制附着力镀铝方法

[发明专利]一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法-CN201810940848.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：广州市思创信息技术有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明为一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法，该制备方法包括：玻璃基板预处理：制备TiO2膜：采用溅射功率为120W～140 W的射频磁控溅射法，沉积室抽真空，采用TiO2靶，工作气体为氧气与氩气的混合气体，沉积后退火；制备含有Cr的Ag膜：使用铬切片嵌入的纯Ag靶，通过真流磁控溅射沉积含有Cr的Ag膜，溅射功率为30W～50 W，溅射气为体氩气；再次制备TiO2膜。
一种透射复合 ag 薄膜制备方法

[发明专利]一种双向限流器件及其制备方法-CN201410078446.6有效
发明人：张楷亮;孙阔;王芳;王宝林;孙文翔;陆涛;鉴肖川 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射工艺或蒸发工艺制备下电极；在下电极上采用磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铜薄膜；在氧化铜薄膜上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上采用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺制备上电极。
一种双向限流器件及其制备方法

[实用新型]一种半透明的薄膜太阳能电池结构-CN201620796548.6有效
发明人：孟奕峰;梁桃华;杨清学;周江;倪德明;肖锐 -专利权人：成都职业技术学院
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：包括玻璃基板和叠加在玻璃基板上的TCO导电玻璃层，叠加在TCO导电玻璃层上的电阻缓冲层，采用水浴法涂覆在电阻缓冲层上、且为N型结构的CdS薄膜，采用电镀法电镀在该CdS薄膜上、且为P型结构的CdTe薄膜，采用RF溅射法沉积在CdTe薄膜上的ZnTe层，采用磁控溅射法沉积在ZnTe层上的Cu层，采用磁控溅射法沉积在Cu层上的Au层，以及同样采用磁控溅射法沉积在Au层上的铜金合金层。
一种半透明薄膜太阳能电池结构

[发明专利]一种基于磁控溅射法的CZTS叠合吸收层及其制备方法-CN201711306144.X有效
发明人：沈韬;韦雷凯;朱艳;孙淑红 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于磁控溅射法的CZTS叠合吸收层及其制备方法，属于光伏材料与器件新能源技术领域。本发明的CZTS叠合吸收层采用磁控溅射法制备而得，由下而上依次为衬底，掺Fe的Cu2ZnSnS4吸收层，未掺杂的Cu<本发明以CZTS材料为基体，采用磁控溅射法，通过不同元素的替位掺杂实现对不同带隙变化的控制，可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不通区域，实现对太阳光的高效利用。
一种基于磁控溅射 czts 叠合吸收及其制备方法

[发明专利]晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法-CN201810384790.6有效
发明人：王晓龙;陆明晔;尹勇 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级硅基铝表面的ITO透明导电层的制备方法，所述制备方法包括：1）提供一硅晶圆，于所述硅晶圆表面沉积铝薄膜；以及2）采用直流磁控溅射法于所述铝薄膜表面沉积ITO透明导电层，其中，所述直流磁控溅射法采用的温度范围介于200℃~300℃之间，以使得自所述ITO透明导电层的透光率大于0.85，所述直流磁控溅射法采用的电源功率范围介于3000W~3500W之间，以提高所述ITO透明导电层与所述铝薄膜的粘附强度。
晶圆级硅基铝表面 ito 透明导电制备方法

[发明专利]太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法-CN201110257686.9无效
发明人：陈良范;孙嵩泉;罗毅;宁海洋;章新良 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法，包括以下步骤：a、在衬底板上使用磁控溅射法预制元素铜，或元素铜和镓；b、在真空蒸发室通过蒸发法依次在衬底板上蒸镀元素铟、镓、硒，或元素铟、硒。本发明提供的方法采用磁控溅射法与蒸发法相结合，将蒸发温度较高的金属元素采用磁控溅射法向衬底板上预制，将蒸发温度较低的金属元素采用蒸发法向衬底板上预制，既降低了温度控制的难度，又可避免在蒸发法中使用剧毒气体硒化氢
太阳能电池铜铟镓硒膜层制备方法

[发明专利]一种基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法-CN201910051937.4有效
发明人：赵勇;毛双锁;孙柏;付国强;李冰 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；S4：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极。
一种基于氧化薄膜器件及其制备方法

[发明专利]采用反应磁控溅射法制备高性能Ti/TiN/(AlTiCuSi）N涂层的方法-CN201710172724.8在审
发明人：刘金财 -专利权人：刘金财
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用反应磁控溅射法制备高性能Ti/TiN/(AlTiCuSi)N涂层的方法，具体为首先通过锻造、轧制、热处理、校平和机械加工制成钛板条，然后由其制得溅射钛环；然后采用Al锭、Cu锭、Ti锭、Si块按比例进行配置制备圆柱体Al‑Cu‑Ti‑Si合金，最后采用多靶磁控溅射涂层设备，由上述制得的溅射钛环与圆柱体纯钛钯采用导电胶粘结制成的复合钛钯好和圆柱体Al‑Cu‑Ti‑Si合金分别由独立的射频阴极控制，将溅射室抽真空，并通入氩气和氮气，开启控制复合钛钯和Al‑Cu‑Ti‑Si合金靶的射频阴极电源，对靶进行溅射，转动基片架，使基片分别在复合钛钯、以及Al‑Cu‑Ti‑Si合金靶前接受溅射形成涂层，交替沉积
采用反应磁控溅射法制性能 ti tin alticusi 涂层方法

[发明专利]一种光纤端面集成的探测器及其制备方法-CN202310941004.9在审
发明人：姜天才;陶金;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种光纤端面集成的探测器及其制备方法，光纤具有若干个纤芯；有源区通过磁控溅射法形成于光纤的端面上；第一电极与有源区相连；每一个第二电极连接于一个纤芯。本申请利用磁控溅射法在光纤的端面上形成有源区，再设计电极，由于磁控溅射相比其他方法如涂膜、湿法转移等更容易实现制备工艺要求，因此，通过磁控溅射法可以降低平面衬底标准化的制备工艺要求，同样可以在单根光纤的微小端面上制造复杂的电极结构
一种光纤端面集成探测器及其制备方法

[发明专利]一种GHz频段RFID用铁电薄膜天线及其制备方法-CN201110002456.8无效
发明人：彭炜 -专利权人：彭炜
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明还采用丝网印刷的制备方法，其相对射频磁控溅射法、脉冲激光沉积法、旋涂法成本更低。
一种 ghz 频段 rfid 用铁电薄膜天线及其制备方法

[发明专利]太阳能选择性吸收涂层的制备方法及涂层-CN202110010622.2在审
发明人：闵捷;陈宇飞;兰亚鹏;古龙 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能选择性吸收涂层的制备方法及涂层，其制备方法包括如下步骤：将基体材料清洗干净并干燥；采用Mo靶通过磁控溅射法在基体材料上制备红外反射层；以Ar气和N2混合气体为反应气体，通过Mo靶和Al靶，采用磁控溅射法在红外反射层上制备高金属含量吸收层；以Ar气、N2和O2混合气体为反应气，通过Mo靶和Al靶，采用磁控溅射法在高金属含量吸收层制备低金属含量吸收层；以Ar气和O2混合气体为反应气体，通过Mo靶和Al靶，采用磁控溅射法在低金属含量吸收层上制备减反层
太阳能选择性吸收涂层制备方法

[发明专利]一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法-CN201210199801.6无效
发明人：李文英;尹桂林;张柯;姜新来;钟建;余震;何丹农 -专利权人：上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
一种运用磁控溅射法制透明导电薄膜方法

[发明专利]一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法-CN201210390782.5有效
发明人：朱丽萍;陈文丰;李潘剑;郑志东 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明还提供该减反射膜的制备方法，包括如下步骤：1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜，2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀，3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理，4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO2薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备，具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点，可以降低太阳电池对太阳光的反射率，从而提高太阳电池的转换效率。
一种具有导电性减反射膜及其制备方法