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[发明专利]一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法-CN200510021646.9无效
发明人：杨传仁;陈宏伟;符春林 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，该方法采用直流磁控溅射法制备Pt/Ti底电极，采用Ba_xSr_1－xTiO₃陶瓷靶材及射频磁控溅射设备，在较低功率下预溅射后，在正常工艺条件下溅射BST薄膜，然后在O₂气氛中进行慢速热处理，如此重复进行三次；最后，采用直流磁控溅射在BST薄膜上制备上电极，得到具有夹心结构的材料样品
一种钛酸锶钡薄膜材料制备方法

[发明专利]一种非晶铟铝锡氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN202011566504.1在审
发明人：冯先进;徐伟东 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：栅介电层、非晶IATO有源层、源电极和漏电极，栅介电层生长在衬底上，IATO有源层生长在栅介电层上，源和漏电极生长在IATO有源层上；制备方法包括：(1)清洗衬底；(2)在衬底上生长栅介电层；(3)用射频磁控溅射法在栅介电层上生长采用射频磁控溅射法的制备工艺，可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的绝缘体薄膜和半导体薄膜材料，与现有的平板显示工艺相兼容，有利于IATO TFT的低温及室温制备。
一种非晶铟铝锡氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种Ag-SiO2高反射率太阳能薄膜表面反射材料的制备方法-CN201610463446.7在审
发明人：司剑 -专利权人：扬中市润宇电力设备有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ag‑SiO2高反射率太阳能薄膜表面反射材料的制备方法(1)基片清洗无水乙醇中超声波清洗10‑20分钟，去离子水清洗，清洗液中浸泡10‑20分钟，去离子水冲洗，吹干备用；(2)Ag薄膜的制备采用射频磁控溅射法，溅射气体为高纯氩，本底真空度为6‑6.2×10‑4Pa，工作压力0.5‑0.8Pa，靶基距固定在70‑80mm，氩的流量为20‑25sccm；Ag的溅射功率是38‑42W，其中溅射电压为0.3‑0.4KV，电流为0.1‑0.15A；(3)SiO2薄膜的制备采用射频磁控溅射法制备，溅射气体为高纯氩，本底真空度为6‑6.2×10‑4Pa，工作压力0.5‑0.8Pa，靶基距固定在70‑80mm，氩的流量为20‑25sccm；SiO2的溅射功率是250‑300W，其中入射功率为280‑320W，反射功率为15‑25W，板电压为1‑1.2KV，板电流为0.3‑0.35mA。
一种 ag sio2 反射率太阳能薄膜表面反射材料制备方法

[发明专利]磁控溅射制备BaTiO₃-Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄铁电铁磁复合陶瓷薄膜及制备方法-CN201210024838.5有效
发明人：杜丕一;梁腾;马宁;韩高荣;翁文剑;赵高凌;沈鸽;宋晨路;程逵;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频磁控溅射制备BaTiO3-Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁电铁磁复合陶瓷薄膜及制备方法。先制备含有Ni-Zn-Fe-Ba-Ti源的溶胶前驱体，烘干、热处理后成型并烧结成靶材；然后利用磁控溅射法在ITO/玻璃基板上沉积膜层；在空气气氛下热处理制备得到两相复合陶瓷薄膜。本发明结合了磁控溅射法具有制备方便，薄膜性能稳定，工艺与传统半导体工艺兼容的优点，又利用溶胶凝胶方法可以达到相当高的均匀性的特点，综合控制在一个均匀系统中原位形成两相并保持了两相各自的铁电性和铁磁性。
磁控溅射制备 batio sub ni 0.5 zn fe 铁电铁磁复合陶瓷薄膜方法

[发明专利]微波食品包装阻隔膜及制备法与磁控溅射法陶瓷镀膜装置-CN200910071214.7无效
发明人：林晶;刘壮;孙智慧;高德;张莉 -专利权人：哈尔滨商业大学
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波食品包装阻隔膜及制备法与磁控溅射法陶瓷镀膜装置。本发明还涉及一种磁控溅射法陶瓷镀膜装置，是一种连续绕卷式磁控溅射法生产陶瓷高阻隔膜装置，该装置具有6个溅射靶，可以同时溅射一种膜层，也可以溅射复合膜层。
微波食品包装阻隔制备磁控溅射陶瓷镀膜装置

[发明专利]一种双受主共掺杂生长p-(K-N):ZnO薄膜的方法-CN201110436858.9无效
发明人：武军;郑梁;徐军明;邵李焕;郑鹏;宋开新 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：目前还没有用射频磁控溅射法生长p-(K-N):ZnO薄膜。本发明方法首先将氧化钾粉末、氧化锌粉末在球磨机中球磨预烧后，加入粘结剂压制成型，经烧结制得掺钾的氧化锌靶材；再将靶材和衬底放入射频磁控溅射装置的真空腔内，抽真空并加热衬底，真空腔内通入氩气和一氧化氮的混合气，调节溅射气压后，开启射频电源，经过预溅射后，再进行薄膜生长，达到所需厚度后，关闭射频电源和氩气以及一氧化氮气，通入氧气进行原位退火。
一种双受主共掺杂生长 zno 薄膜方法

[发明专利]PZT-ZnO薄膜-CN201510970261.0在审
发明人：曹大旭 -专利权人：青岛城轨交通装备科技有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L41/02 文献下载
摘要：本发明属于复合材料领域的一种PZT-ZnO薄膜，具体实施方式;基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT-ZnO透明导电复合薄膜。
pzt zno 薄膜

[发明专利]H掺FZO透明导电薄膜及其制备方法-CN201110366711.7无效
发明人：朱丽萍 -专利权人：安徽康蓝光电股份有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：其制备是采用射频磁控溅射法。本发明方法所用设备简单，可控性强，制备出来的薄膜光学性能和电学性能优良，重复性好。
fzo 透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法-CN201710089165.4有效
发明人：王海钱;苏豪凯;温刘平;吴智升;王伯宇;王晓强 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O2作为反应气体，调节溅射工作气压，设置溅射功率，溅射Ta靶材，在基材上获得氧化钽薄膜。本发明提供的一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，所得TaOx薄膜具有优良的离子传输性能、低的电导率和较高的透过率。氧化钽膜层致密性良好。
一种通过直流磁控溅射法制氧化薄膜方法

[发明专利]一种耐蚀多元掺杂类金刚石涂层及其制备方法-CN202310601926.5在审
发明人：马震宇;周潜;李润涵;娄陈旭坤;舒磊;施仙庆;葛旺;徐锋 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：其制备方法包括：(1)基体预处理；(2)基体表面氩离子清洗和靶材预溅射；(3)采用磁控溅射法制备Cr过渡层；(4)采用非平衡多靶磁控溅射法制备Cr‑DLC层；(5)采用非平衡多靶磁控溅射法在Cr‑DLC
一种多元掺杂金刚石涂层及其制备方法

[发明专利]利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法-CN201010217128.5有效
发明人：黄富强;万冬云;汪宙 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法，其特征在于基于富Zn(或缺O2)氧化锌基宽禁带陶瓷材料靶材，利用直流磁控溅射取代了传统的射频磁控溅射制备高阻ZnO基透明薄膜，用于薄膜太阳能电池扩散阻挡层和窗口层通过调整工艺参数，制备的氧化锌基高阻透明薄膜的电阻率可控制在104～108Ω·cm的范围内，在可见及近红外光区平均透过率在90％左右，与基于商用本征ZnO陶瓷靶材射频磁控溅射法制备的高阻ZnO薄膜相比，
利用直流磁控溅射制备透明 zno 薄膜方法

[发明专利]一种制备InN薄膜的磁控溅射方法-CN201110188062.6无效
发明人：徐明;董成军;芦伟;黄勤珍 -专利权人：西南民族大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlN；(3)第一缓冲层AlN的生长结束后，将靶材更换为Al与In的质量比为1∶3的Al-In合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层Al0.24In0.76N在第一缓冲层AlN上的生长；(4)第二缓冲层Al0.24In0.76N的生长结束后，将靶材更换为In，在真空条件下采用磁控溅射法完成InN薄膜在第二缓冲层Al0.24In0.76N上的生长。
一种制备 inn 薄膜磁控溅射方法

[发明专利]利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法-CN201810120076.6在审
发明人：李婧;史生才 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法，包括如下步骤：一、载入硅衬底：在真空条件下将硅衬底载入溅射腔体内；二、对溅射腔体抽取真空：将载入硅衬底后的溅射腔体进一步地抽取真空；三、硅衬底的表面清洁：利用惰性气体对硅衬底的表面进行轰击，以清洁表面；四、溅射操作：在清洁后的硅衬底表面磁控溅射形成TiN超导薄膜。本发明的有益效果是：所述利用磁控溅射法在硅衬底上制备氮化钛超导薄膜的方法在磁控溅射系统中加入了载入腔体，可快速获得干净的高真空环境，有利于获得高质量的超导氮化钛薄膜。
硅衬底超导薄膜磁控溅射法氮化钛载入制备溅射腔体抽取磁控溅射系统氮化钛薄膜高真空环境硅衬底表面表面清洁磁控溅射惰性气体清洁表面真空条件溅射腔溅射腔体轰击体内清洁

[发明专利]一种水系锌离子电池负极材料的制备方法及其应用-CN202211497170.6在审
发明人：汪渊;裘南;蒋国权 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：采用射频磁控溅射设备将纯锌靶材溅射到锌箔表面，通过对溅射角度、溅射功率、溅射时间和溅射压强的调控进而得到不同厚度的水系锌离子电池负极材料。将溅射后得到的材料进行切片，并作为水系锌离子电池负极材料。本发明采用射频磁控溅射法一步合成水系锌离子电池负极材料，该工艺过程简单、可重复性好和对环境无污染。
一种水系离子电池负极材料制备方法及其应用

[发明专利]全真空法制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法-CN201510761249.9在审
发明人：王书荣;李志山;蒋志;杨敏;刘涛;郝瑞婷 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种全真空法制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法，包括以下步骤：1）磁控溅射后硫化制备CZTS薄膜吸收层；2）接着在吸收层上射频磁控溅射制备50-100nm的CdS薄膜缓冲层，随后射频磁控溅射50而溅射法没有水浴法后含有Cd元素的废水污染，对环境友好，适合在线制备薄膜电池。整个制备过程都是在高真空下进行，外来杂质对薄膜的污染几率非常小。
真空法制备铜锌锡硫薄膜太阳电池方法