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[发明专利]三氧化钨-CN201880075154.3在审
发明人：相原俊明;户屋广将 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种三氧化钨，在XRD图案中，所述三氧化钨的WO2.90的(200)面的峰强度IWO2.90与WO3.00的(200)面的峰强度IWO3.00之比IWO2.90/IWO3.00为0.15以下。
氧化钨

[发明专利]一种臭氧改性WO₃薄膜光电极的方法-CN201910673612.X在审
发明人：熊贤强;武承林;范利亚;李江山 -专利权人：台州学院
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种臭氧法改性WO₃薄膜光电极的方法，属于材料制备领域，具体步骤为：往水热反应釜内加入钨酸钠和草酸铵的混合溶液，130‑150℃水热反应1‑8h，将制备的WO₃薄膜前驱体在450‑650℃煅烧2‑6h，即得纳米板状WO₃薄膜；将制备的WO₃薄膜放入样品瓶内，密封，通臭氧一定时间，即得臭氧改性的WOWO₃表面成功引入含氧官能团，增加了WO₃薄膜的亲水性和载流子浓度，加速了WO₃/溶液界面的电荷转移，有效提升了WO₃薄膜的光电催化水分解性能。臭氧法改性WO₃薄膜工艺简单，流程短，效率高，成本低，适于大规模改性WO₃薄膜光电极。
薄膜改性薄膜光电极臭氧臭氧法制备载流子材料制备领域臭氧氧化技术含氧官能团水热反应釜薄膜工艺电荷转移光电催化混合溶液水热反应草酸铵纳米板前驱体亲水性水分解钨酸钠样品瓶放入煅烧密封引入成功

[发明专利]一种用于电致变色的花簇状WO₃薄膜的制备方法-CN201610903091.9有效
发明人：刘志华;张晶 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提出一种用于电致变色的花簇状WO₃薄膜的制备方法，解决了WO₃薄膜制备方法较为复杂的问题，使得WO₃薄膜的制备工艺简单易控本发明提供的一种用于电致变色的花簇状WO₃薄膜的制备方法如下：首先制备WO₃前驱体溶液，然后使用水热法在FTO导电玻璃上制备WO₃，经过洗涤干燥之后，放入马弗炉内进行退火处理，进而得到花簇状WO₃薄膜。
一种用于变色花簇 wo3 薄膜制备方法

[发明专利]软件生成装置和软件生成方法-CN99806399.1无效
发明人：根来文生;户村茂昭 -专利权人：信息系统发展协会;计算机软件方法及技术研究协会
申请日： 1999-03-19 - 公布日： 2001-06-27 - 主分类号： G06F9/06 文献下载
摘要：在所有领域的软件中,为了不必依靠SE的经验、知识、应用能力等人的能力,只靠机器算法就能自动生成软件,根据LYEE理论将定义体标识符、单词标识符、处理路径和用来导出设定值的导出数据预先存储在未定义的WO4拓扑要素、WO4逻辑要素、WO2逻辑要素、WO3拓扑要素、WO3逻辑要素和台车函数中,对每一个单词输入定义体标识符、单词标识符、处理路径和导出数据,把对每一个单词输入的定义体标识符、单词标识符、处理路径和导出数据填入未定义的WO4拓扑要素、WO4逻辑要素、WO2逻辑要素、WO3拓扑要素、WO3逻辑要素和台车函数的规定位置。
软件生成装置方法

[发明专利]一种Bi₂WO₆-SrTaO₂N复合光催化剂及其制备方法-CN201310644514.6无效
发明人：吕华;刘玉民;汤海波;李紫金;李爽;丁志伟 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi2WO6-SrTaO2N复合光催化剂及其制备方法，属于无机功能材料领域。本发明的技术方案要点为：一种Bi2WO6-SrTaO2N复合光催化剂，是由Bi2WO6与SrTaO2N粉体复合而形成的Bi2WO6-SrTaO2N复合光催化剂，其中Bi2WO6与SrTaO2N的摩尔比为本发明还公开了该Bi2WO6-SrTaO2N复合光催化剂的制备方法。本发明与现有技术相比具有以下显著优点：1.Bi2WO6与SrTaO2N的复合可以大大拓宽了Bi2WO6的光谱响应范围，使Bi2WO6在可见光区域有良好的吸收，提高了太阳能的利用率；2.Bi2WO6与SrTaO2N的复合能够有效减小光生电子和空穴的复合概率，提高Bi2WO6光催化活性；3.本发明的Bi2WO6-SrTaO2N复合光催化剂的制备方法简单，易于控制。
一种 bi sub wo srtao 复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种Bi₂WO₆-BaTaO₂N复合光催化剂及其制备方法-CN201310644494.2无效
发明人：吕华;刘玉民;汤海波;李紫金;李爽;丁志伟 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi2WO6-BaTaO2N复合光催化剂及其制备方法，属于无机功能材料领域。本发明的技术方案要点为：一种Bi2WO6-BaTaO2N复合光催化剂，是由Bi2WO6与BaTaO2N粉体复合而形成的Bi2WO6-BaTaO2N复合光催化剂，其中Bi2WO6与BaTaO2N的摩尔比为本发明还公开了该Bi2WO6-BaTaO2N复合光催化剂的制备方法。本发明与现有技术相比具有以下显著优点：1、Bi2WO6与BaTaO2N的复合可以大大拓宽了Bi2WO6的光谱响应范围，使Bi2WO6在可见光区域有良好的吸收，提高了太阳能的利用率；2、Bi2WO6与BaTaO2N的复合能够有效减小光生电子和空穴的复合概率，提高Bi2WO6光催化活性；3、本发明的Bi2WO6-BaTaO2N复合光催化剂的制备方法简单，易于控制。
一种 bi sub wo batao 复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]石墨相氮化碳负载氧化钨/钨酸铋光催化剂的制备方法-CN201810495929.4在审
发明人：夏明珠;王霄亚;王风云;雷武 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：所述方法首先通过无模板溶剂热法再经煅烧制得WO₃纳米管，再经过水热法制得WO₃纳米管/Bi₂WO₆，最后将超声剥离的g‑C₃N₄纳米片通过水热法与WO₃纳米管/Bi₂WO₆复合得到三元复合材料g‑C₃N₄/WO₃/Bi₂WO₆。本发明利用g‑C₃N₄与WO₃/Bi₂WO₆形成级联型结构，解决了WO₃₃N₄/WO₃/Bi₂WO₆光催化剂在光催化降解污染物过程中
纳米管光催化剂制备有机污染物净化复合可见光利用率三元复合材料光催化降解光生载流子无二次污染超声剥离降解效率溶剂热法水热法制氮化碳级联型纳米片石墨相水热法钨酸铋氧化钨烧制污染物环保应用

[发明专利]一种刻蚀WO₃纳米薄膜的方法-CN201910137132.1在审
发明人：刘灿军;陈述;宋志文;王京晶;陈立衡;谷慧 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明涉及纳米结构的制造或处理技术领域，为一种刻蚀WO₃纳米薄膜的方法。通过将WO₃纳米薄膜表面吸附Bi³⁺，经过450~600℃高温处理，得Bi₂WO₆/WO₃纳米薄膜；将Bi₂WO₆/WO₃纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得Bi₂S₃/WO₃纳米薄膜；将Bi₂S₃/WO₃纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后表面粗糙度均匀的WO₃纳米薄膜。解决了目前缺乏简单易行的方法刻蚀WO₃基半导体纳米材料表面的问题。
纳米薄膜刻蚀半导体纳米材料光催化剂材料纳米催化剂表面催化表面刻蚀表面吸附高温处理活性位点纳米结构生水粗糙度后表面热反应酸处理制造

[发明专利]一种多孔微纳结构WO₃气敏涂层及其制备方法-CN201410180002.3无效
发明人：李华;黄伟东 -专利权人：绍兴斯普瑞微纳科技有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔微纳结构WO₃气敏涂层及其制备方法。该WO₃涂层的厚度为5~20μm，涂层中WO₃晶粒大小保持在50~250nm，并且WO₃晶粒自由堆积成微纳米多孔结构。本发明采用液相热喷涂工艺，通过液料输送装置将纳米WO₃液料送入热喷涂火焰，制得的WO₃涂层与传统方法获得WO₃涂层相比，其多孔微纳米结构得以保存，涂层具有更高的比表面积，有利于发挥WO₃涂层的气敏特性，在气敏传感器领域具有重要的应用价值。此外，本发明生产WO₃涂层的设备和工艺简单、易控，成本低廉，便于工业化生产，有望产生极大的社会经济效益。
一种多孔结构 wo sub 涂层及其制备方法

[发明专利]一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法-CN201910207109.5在审
发明人：刘志锋;张曼滢;郭振刚 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法。首先配制WO₃反应溶液，然后采用水热法制备WO₃纳米棒阵列薄膜；随后再配制MoO₃电沉积液，采用电沉积法在WO₃纳米棒阵列上电沉积MoO₃，制备WO₃/MoO₃复合电致变色膜。本发明所获得的WO₃/MoO₃复合电致变色膜较单一WO₃电致变色膜呈现出较好电致变色性能。本发明提供的制备方法简单易操作，制备的WO₃/M_oO₃复合电致变色膜成本低，无污染。
电致变色膜制备复合配制纳米棒阵列薄膜电致变色性能纳米棒阵列电沉积法电沉积液反应溶液水热法制上电沉积

[发明专利]一种Al/WO3-CN202010975851.3有效
发明人：刘阳思;席晓丽;沈越岗;樊佑书;赵林艳;聂祚仁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种Al/WO3纳米复合薄膜及其制备方法和应用，该Al/WO3纳米复合薄膜的制备方法包括：提供WO3基底，然后通过磁控溅射在所述WO3基底上负载Al，所述WO3基底为水热法制备的海胆状纳米WO3薄膜材料。本发明所提供的简易制备Al/WO3纳米复合薄膜的方法，具有镀膜效率高、纯度高、溅射产物与基底结合力强、薄膜结构紧密稳定、成膜均匀性好且可精确控制的优点。
一种 al wo base sub

[发明专利]一种Z型结ZnO-WO₃电极、其制备方法及其在光电催化中的应用-CN201710047219.0有效
发明人：潘伦;陈英;邹吉军;张香文;王莅 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种Z型结ZnO‑WO₃电极，所述电极本体为FTO导电玻璃，其上生长有ZnO纳米棒阵列，ZnO纳米棒阵列上包覆有WO₃，其中ZnO占ZnO和WO₃总质量的88～98％，WO₃占ZnO和WO₃总质量的2～12％。本发明还公开了所述Z型结ZnO‑WO₃电极的制备方法及在光电催化中提高光响应电流密度和稳定时间的用途。
一种型结 zno wo3 电极制备方法及其光电催化中的应用

[发明专利]一种Pt原子簇负载WO3-CN201811518495.1有效
发明人：田汉;崔香枝;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及一种Pt原子簇负载WO3纳米片析氢反应催化剂及其制备方法，所述析氢反应催化剂以非金属催化剂WO3为主体，且WO3为柔性自支撑基材上原位生长的WO3纳米片结构，还包括以原子簇的形式负载于所述WO3纳米片上形成的WO3氧缺陷表面的Pt。
一种 pt 子簇负载 wo base sub

[发明专利]一种电致变色玻璃-CN201710645571.4在审
发明人：初文静;林俊良;林金锡 -专利权人：常州亚玛顿股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G02F1/1523 文献下载
摘要：本发明提供一种电致变色玻璃，包括依次设置的第一基板、第一导电层、变色层、离子传导层、离子储存层、第二导电层和第二基板，变色层为WO₃薄膜，WO₃薄膜的表面为锋状结构，WO₃薄膜的表面粗糙度为1.6nm～4.6nm，WO₃薄膜的内部为孔状结构，孔状结构的孔隙率为1％～11％。本发明相较于现有技术，WO₃薄膜表面为峰状结构可增加与离子传导层的接触面积，WO₃薄膜内部为疏松的孔状结构可减小锂离子的传输阻力，一方面WO₃薄膜褪色完全，调光性能增加，另一方面WO₃薄膜附着力强，循环寿命长；同时还通过调控折射率，从而控制WO₃薄膜的电致变色性能。
薄膜孔状结构电致变色玻璃离子传导层变色层电致变色性能薄膜附着力表面粗糙度第二导电层第一导电层离子储存层薄膜表面传输阻力第二基板第一基板峰状结构性能增加循环寿命依次设置孔隙率折射率锂离子调光减小疏松褪色调控

[发明专利]WO-CN201810803851.8在审
发明人：姜炜;方宏标;郝嘎子;胡玉冰;吕翔;耿雪其 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B01J27/132 文献下载
摘要：本发明公开了一种WO
制备薄膜光催化薄膜薄膜材料双氧水玻璃基底表面高温处理技术光催化性能气体传感器粘合剂传统粉末反复浸泡分离回收聚乙烯醇制备工艺前驱体溶剂成浆互溶钨酸旋涂杀菌光照应用

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