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[发明专利]半导体装置、编程方法、存储器、存储器系统和电子设备-CN202210775689.X在审
发明人：王砚;侯春源;栗山正男;杜智超;赵利川 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置、编程方法、存储器、存储器系统和电子设备，半导体装置包括：位线单元、字线单元、位线驱动单元和字线驱动单元；位线单元用于将字线单元划分为第一字线单元和第二字线单元；所述第二字线单元与所述字线驱动单元之间的距离大于所述第一字线单元与所述字线驱动单元之间的距离；字线驱动单元，用于向字线单元提供用于编程的驱动电压；位线驱动单元，用于在编程的充电阶段向划分第一字线单元的位线单元施加第一偏置电压，在编程的放电阶段向划分第二字线单元的位线单元施加第二偏置电压。
半导体装置编程方法存储器系统电子设备

[发明专利]存储器设备-CN202210354837.0在审
发明人：李玟洙;柳民泰;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：公开了一种存储器设备，包括：基于来自外部设备的行地址来生成字线(WL)控制信号的行解码器；包括连接到字线的存储器单元的第一子阵列；基于与奇数编号的字线相对应的奇数编号的WL控制信号来向字线中奇数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第一子字线驱动器(SWD)；以及基于与偶数编号的字线相对应的偶数编号的WL控制信号来向字线中偶数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第二SWD。第一SWD响应于偶数编号的WL控制信号来向偶数编号的字线的非选择字线施加非选择电压，并且第二SWD响应于奇数编号的WL控制信号来向奇数编号的字线的非选择字线施加非选择电压。
存储器设备

[发明专利]用于存储器的低功率字线逻辑的系统和方法-CN201510239132.4有效
发明人：贝克·穆罕默德;保罗·巴西特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种用于存储器的低功率字线逻辑的系统和方法。接收存取存储器装置的请求，所述存储器装置包括解码器、多个字线驱动器和多个字线。每一字线与所述多个字线驱动器中的一字线驱动器相关联。选择性地为所述多个字线驱动器中的一字线驱动器供电以存取所述存储器装置的所述地址，其中所述字线驱动器与所述多个字线中与地址位有关的特定字线相关联，而不为所述多个字线中的其它字线供电。
用于存储器功率逻辑系统方法

[发明专利]一种闪存器件的制造方法-CN201510490472.4有效
发明人：张振兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存器件的制造方法，先通过采用字线多晶硅层与字线保护层的刻蚀比大于6的破层刻蚀工艺刻蚀所述字线保护层，形成尖角结构并暴露出字线多晶硅层的刻蚀表面，在字线多晶硅层刻蚀形成字线雏形之后，采用偏置射频功率为0的各向同性刻蚀工艺对尖角结构进行修整，去除字线上方多余的尖角结构，保证最终形成的字线最外端尖角的强度，从而保证了字线的高度。进一步的，尖角结构修整完成后，对字线多晶硅层进行过刻蚀，以完全去除源线上方等处残留的多余字线多晶硅层并调整字线的宽度，从而保证字线提高了器件性能。
一种闪存器件制造方法

[发明专利]半导体集成电路-CN200810081831.0无效
发明人：山上由展 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：其包括：布置为矩阵状的多个存储单元，分别对应于所述多个存储单元的各行的多条字线，分别驱动所述多条字线中所对应的字线的多个字线驱动器，以及分别连接在所述多条字线中所对应的字线上的多个下拉电路，当所述连接的字线处于激活状态时，所述下拉电路使该字线的电压成为电源电压以下；所述多个字线驱动器分别具有用以使所对应的字线成为激活状态的晶体管；所述多个下拉电路分别具有下拉晶体管，该下拉晶体管是导电型与包括在驱动所对应的字线的字线驱动器中的所述晶体管一样的晶体管，对该字线进行下拉。
半导体集成电路

[发明专利]埋入式字线结构及其制作方法-CN201810679961.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种埋入式字线结构及其制备方法，该结构包括半导体衬底、字线沟槽、栅介质层、氧阻隔内衬层及漏电抑制层。字线金属填充于字线沟槽中，且字线金属的第二顶面低于所述有源区的第一顶面，以形成一容置槽于字线金属上方，氧阻隔内衬层覆盖于字线金属表面，且氧阻隔内衬层上方保留有容置空间，氧阻隔内衬层用以抑制氧渗入至字线金属而造成字线金属的氧化本发明通过在字线金属表面覆盖氧阻隔内衬层，能在随后的加热工艺其间，抑制氧渗入至字线金属而造成字线金属的氧化，从而能够增强字线金属的抗氧化能力并提高字线晶体管的可靠性。
字线内衬层氧阻隔金属漏电抑制层埋入式字线金属表面容置空间字线沟槽顶面渗入抗氧化能力字线晶体管加热工艺介电常数金属填充栅介质层容置槽衬底覆盖填充源区制备半导体保留制作

[发明专利]基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备-CN201710212512.8在审
发明人：苏志强;刘会娟;李建新 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备，该方法应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，所述方法包括在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作本发明实施例可以防止因虚拟字线对应存储器单元的阈值电压右移对数据字线对应存储器单元的数据读写准确性造成的影响，将虚拟字线对应存储器单元的阈值电压调整到正常范围。
基于 nand 闪存阈值电压校验方法装置存储设备

[发明专利]微电子装置以及相关存储器装置和电子系统-CN202211040477.3在审
发明人：田中智晴;福住嘉晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种微电子装置包括局部数字线结构、全局数字线结构、源极线结构、感测晶体管、读取晶体管和写入晶体管。所述局部数字线结构耦合到存储器单元串。所述全局数字线结构上覆于所述局部数字线结构。所述源极线结构插入于所述局部数字线结构与所述全局数字线结构之间。所述感测晶体管插入于所述源极线结构与所述全局数字线结构之间，并且耦合到所述局部数字线结构和所述源极线结构。所述读取晶体管插入于所述感测晶体管与所述全局数字线结构之间且耦合到所述感测晶体管和所述全局数字线结构。所述写入晶体管插入于全局数字线结构与局部数字线结构之间且耦合到全局数字线结构和局部数字线结构。
微电子装置以及相关存储器电子系统

[发明专利]半导体存储装置-CN202110593694.4有效
发明人：孙会娟;李智勋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体存储装置，包括译码模块、主字线驱动模块、子字线驱动模块和存储单元阵列。译码模块被配置为对目标存储单元行地址进行译码，以生成主字线选择信号和子字线选择信号；主字线驱动模块被配置为响应主字线选择信号而驱动多条主字线；子字线驱动模块被配置为响应子字线选择信号而驱动多条子字线；一个存储单元阵列包括多个存储单元，子字线驱动模块布置在存储单元阵列的任意一侧边缘处，且子字线驱动模块的输出端连接存储单元阵列的字线；至少两个不同的存储单元阵列共同使用一组主字线驱动模块，且一个译码模块连接至少一组主字线驱动模块。
半导体存储装置

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010092525.8在审
发明人：雒曲;徐政业 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体基板；形成第一字线沟槽结构；在第一字线沟槽结构底部形成第一牺牲层；利用外延生长法填满位于有源区内的第一字线沟槽结构；形成第一绝缘层，其覆盖半导体基板的顶部和第一字线沟槽结构，并将第一字线沟槽结构封口；在有源区内形成第二字线沟槽结构和鳍型结构，第二字线沟槽结构的深度小于第一字线沟槽结构的深度，且第二字线沟槽结构在竖直方向上的投影与第一牺牲层在竖直方向上的投影完全重叠；去除第一牺牲层以形成字线隧道与所述第一字线沟槽结构连通；对第一字线沟槽结构、第二字线沟槽结构和字线隧道进行填充，以形成埋入式字线结构，埋入式字线结构环绕鳍型结构。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]存储器设备以及包括该存储器设备的存储器系统-CN202110039513.3在审
发明人：金亨燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器设备，该存储器设备包括：单元阵列，包括多个第一字线和多个第二字线，每个第一字线包括多个第一存储器单元，每个第二字线包括多个第二存储器单元；熔丝阵列，利用多个第二字线来替代多个第一字线中的选择字线；故障确定器，将在对多个第一字线的访问操作期间，与第一条件匹配的字线确定为故障字线，并基于第二条件来确定故障字线的故障等级；信息存储单元，将故障字线中的物理地址、故障等级和访问计数存储为故障字线的确定信息；以及断裂操作组件，分析信息存储单元中存储的确定信息，基于分析结果从故障字线中选择选择字线，并执行将选择字线的物理地址断裂到熔丝阵列中的断裂操作。
存储器设备以及包括系统

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110004636.3有效
发明人：赵向南;关蕾;黄莹;刘红涛;宋雅丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行验证操作及读取操作的目标字线；在验证操作及读取操作时分别对目标字线施加验证电压和读取电压，对与目标字线相邻的第一字线组施加第一导通电压，以及对与目标字线相邻的第二字线组中的至少一部分字线施加小于第一导通电压的第二导通电压，目标字线连接的存储单元连接于第一字线组及第二字线组连接的存储单元之间；其中，与第一字线组中的字线相连的存储单元在所述验证操作时为未编程状态，与第二字线组中的字线相连的存储单元在所述验证操作时为已编程状态。
三维存储器及其控制方法

[实用新型]存储晶体管的字线结构以及存储晶体管-CN201820938152.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储晶体管的字线结构，包括字线，字线包括第一字线部和第二字线部，第二字线部形成于第一字线部的上端面，且与第一字线部电连接，第二字线部的外侧壁与栅介质层之间以及第二字线部的上端面上分别覆盖有隔离绝缘层，隔离绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层形成于字线沟槽的内壁上，第二绝缘层形成于字线沟槽中，第二字线部的侧面距离至栅介质层的间隔由第一绝缘层在字线沟槽的内壁的保留厚度所界定和调整。第一字线部的基础上形成第二字线部，有效增加了字线厚度，降低字线电阻，提高栅极对沟道的控制能力。第一绝缘层和第二绝缘层防止形成漏电流，避免存储晶体管性能降低。本实用新型还提供了一种存储晶体管。
字线部绝缘层存储晶体管字线沟槽字线本实用新型隔离绝缘层绝缘层形成栅介质层字线结构内壁侧面距离控制能力性能降低字线电阻电连接漏电流上端面外侧壁上端沟道界定保留覆盖

[发明专利]使用半导体存储元件的神经网络运算电路-CN201880057222.3有效
发明人：中山雅义;河野和幸;早田百合子;小野贵史;持田礼司 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：将存储器阵列(10)的多个字线在逻辑上划分为多个字线区；按每个字线区，具备将任意的字线设为选择或非选择的区内字线多路选择电路；区内字线多路选择电路按每个字线具备第一闩锁(31)及第二闩锁(32)。
使用半导体存储元件神经网络运算电路

[发明专利]一种字线的填充空隙率的确定方法-CN202110270847.1在审
发明人：李国梁;李漪;张笑;郑合凤;魏强民 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种字线填充空隙率的确定方法，包括：提供待确定结构，所述待确定结构包括字线，所述字线包括字线壳体和位于所述字线壳体内的空隙；分别确定所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H；基于所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H，确定所述字线的填充空隙率k。
一种填充空隙确定方法