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[发明专利]生产电子级多晶硅的方法-CN202110405133.7有效
发明人：吴锋;黄金发;陈卓;张天雨;王海豹 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了生产电子级多晶硅的方法。该方法包括：(1)在多晶硅还原炉内设置多圈硅棒，其中，内圈硅棒采用低电阻硅芯，中圈硅棒和/或外圈硅棒采用高电阻硅芯；(2)向所述内圈硅棒施加第一电压、以高压击穿的方式通电，并向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第一阶段反应，在所述内圈硅棒上沉积得到第一多晶硅产品；(3)向所述中圈硅棒和/或外圈硅棒施加第二电压，持续向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第二阶段反应，在所述中圈硅棒和/或外圈硅棒上沉积得到第二多晶硅产品该方法可显著降低多晶硅产品中的杂质含量，生产得到高品质的多晶硅产品。
生产电子多晶方法

[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板-CN201710772525.0有效
发明人：班圣光;曹占锋;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板。制备方法包括在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅层形成有源层图形。与现有技术相比，本发明提供的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法省去了一次构图工艺，简化了低温多晶硅TFT阵列基板的制备工艺，提高了低温多晶硅TFT阵列基板的生产效率并降低了生产成本。
一种低温多晶 tft 阵列制备方法

[实用新型]一种多晶硅小块料破碎装置-CN201820272707.1有效
发明人：张孝山;汪成洋;陈斌;李长龙;李有正;镡菊英 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅小块料破碎装置。本实用新型的实施例中提供的多晶硅小块料破碎装置，包括加热装置、冷却装置以及控制装置。在使用过程中，将多晶硅棒放入容纳器的容纳腔中，通过控制装置控制加热件加热至预设的温度，对容纳腔内的硅棒进行注水，待多晶硅棒产生内硬力后，将此容纳腔中的水通过排水通道放出，通过控制装置开启击碎装置以击碎多晶硅棒，多晶硅棒就破裂为小块料。本实用新型的实施例中提供的多晶硅小块料破碎装置使得多晶硅破碎速度快，效率提高；工艺简单；硅棒经过超纯水降温，达到表面硅粉清洗和冲洗，产品质量提升，单晶率提高，提高生产效率，提高自动化程度。
多晶硅小块多晶硅棒破碎装置本实用新型控制装置容纳腔硅棒击碎加热装置冷却装置排水通道生产效率质量提升超纯水加热件容纳器单晶放入硅粉硬力预设加热冲洗破碎清洗注水破裂自动化

[发明专利]柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法-CN201410300874.9在审
发明人：阮绍林;阮正亚;陈诺夫;辛雅焜;吴强;沈潮华 -专利权人：常州英诺能源技术有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法。该方法以柔性石墨纸作为衬底，首先在石墨纸衬底上利用磁控溅射技术沉积硅薄膜；其次对硅薄膜进行热退火，制备出具有一定择优取向及结晶化程度好的柔性多晶硅薄膜籽晶层，以解决在柔性石墨纸衬底上直接沉积一定厚度的多晶硅薄膜而存在的晶格不匹配的问题；然后再通过磁控溅射法或化学气相沉积法对柔性多晶硅薄膜籽晶层进行外延沉积，制得外延多晶硅薄膜；最后对外延沉积的多晶硅薄膜进行热退火，增大多晶硅薄膜晶粒尺寸，降低缺陷密度，制备出柔性多晶硅薄膜。本发明制备的柔性多晶硅薄膜质量高，具有一定的择优取向，且掺杂少量碳，增强了柔性多晶硅薄膜的导电性，同时简化了生产工艺，大幅降低生产成本，可广泛用于后续薄膜太阳电池的制作。
柔性石墨衬底沉积制备多晶薄膜方法

[发明专利]采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法及多晶硅还原系统-CN201610299045.2在审
发明人：吕海花;孙运德;刘丹丹;胡启红;王倩;陈媛 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法以及多晶硅还原系统，该方法包括进料步骤和尾气控制步骤，在进料步骤中，在多晶硅生产的中后期，将未经预热的冷氢与经加热后的混合气体混合，再送入还原炉中，所述混合气体为三氯氢硅和氢气的混合气体该方法及系统能够解决多晶硅还原系统运行中进料温度过高的问题。
采用多晶还原系统生产方法

[发明专利]一种多晶硅生产模拟仿真方法、装置及电子设备-CN202211318950.X在审
发明人：张全珍;高贵成;刘雄;夏进京;宋高杰;徐玉玲;伏慧;莫帅 -专利权人：新特能源股份有限公司;内蒙古新特硅材料有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅生产模拟仿真方法、装置及电子设备，所述方法包括：创建模拟仿真场景，所述模拟仿真场景中的虚拟操作界面、多晶硅生产设备及位置与多晶硅生产场景中的实际操作界面、多晶硅生产设备及位置一一对应；获取用户基于所述模拟仿真场景输入的交互数据，所述交互数据包括操作序列，所述操作序列包括若干个操作；将所述操作序列与预设操作序列进行比对，并确定判断结果，所述判断结果用于确定用户的操作是否满足多晶硅生产的要求本发明可以提高在多晶硅生产培训过程中的培训效果。
一种多晶生产模拟仿真方法装置电子设备

[实用新型]多晶硅生产装置-CN201120352026.4有效
发明人：李严州;周劲松;茅陆荣;张华芹;周积卫 -专利权人：上海森松新能源设备有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能光伏领域，公开了一种多晶硅生产装置。该装置包含第一工艺管道、第二工艺管道、多晶硅反应炉、包含硅芯电极的硅棒；第一工艺管道和第二工艺管道分别接至多晶硅反应炉，包含硅芯电极的硅棒位于多晶硅反应炉内；第一工艺管道将SiCl4和H2按一定摩尔配比输送至多晶硅反应炉，得到Si和HCl，得到的Si沉积在硅芯电极上，直至硅棒的直径达到预设门限Do，此时，第二工艺管道将SiHCl3和H2按一定摩尔配比输送至多晶硅反应炉，得到Si、HCl和SiCl4，得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上从而降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题。
多晶生产装置

[实用新型]一种用于多晶硅生产的氢气循环系统-CN202120454051.7有效
发明人：司文学;汤传斌;张升学;杨永亮;万烨;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本申请提供一种用于多晶硅生产的氢气循环系统。本申请的氢气循环系统适用于太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、区熔级多晶硅共存的生产，可以为太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、区熔级多晶硅的生产分别提供满足不同要求的氢气源。
一种用于多晶生产氢气循环系统

[发明专利]提高多晶硅生产效率的还原炉物料智能配比方法及系统-CN202310565054.1在审
发明人：王一雄;王珏;郑伟明;詹水华 -专利权人：无锡混沌能源技术有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多晶硅生产效率的还原炉物料智能配比方法及系统。其包括：对一多晶硅生产用的还原炉系统，构建所述还原炉系统的物料配比预测模型，其中，利用还原炉系统进行多晶硅生产时，获取当前时刻的生产条件状态信息；对上述获取的生产条件状态信息，利用物料配比预测模型生成下一时刻的生产条件预测信息，以利用所述生产条件预测信息指导还原炉系统在多晶硅生产时的还原炉物料配比，其中，生产条件预测信息包括三氯氢硅流量预测值、氢气流量预测值以及六环电流预测值。本发明能有效实现多晶硅生产时的物料配比，提高多晶硅生产时的智能化程度以及生产效率，安全可靠。
提高多晶生产效率还原物料智能配比方法系统

[实用新型]同时生产多尺寸多晶硅和多种类硅基气体的系统-CN202023136053.6有效
发明人：张宝顺;陈海宝;刘建华;刘廷泽;蔡延国;蔡向忠;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了同时生产多尺寸多晶硅和多种类硅基气体的系统，包括多晶硅还原炉、流化床反应器、粉末多晶硅收集装置、第一换热器、第二换热器、第一精馏塔、第二精馏塔、第三精馏塔、第四精馏塔、第五精馏塔、第六精馏塔本实用新型可以仅利用一套系统同时生产出块状多晶硅、颗粒多晶硅和粉末多晶硅，以及四氯化硅等多种单体或聚合硅基气体，能够从最大程度上降低多晶硅和硅基气体的生产成本，将有效促进光伏能源产业和集成电路产业的快速
同时生产尺寸多晶多种类硅基气体系统

[发明专利]多晶硅还原生产装置及方法-CN201210320361.5有效
发明人：齐林喜;王晓亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：多晶硅还原生产装置及方法。一种多晶硅还原生产方法，包括：将第一路高纯三氯氢硅气体与高纯氢气混合均匀后送入第一还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的一级尾气，通过冷凝分离出一级尾气中的四氯化硅，剩余一级尾气作为多晶硅生产的还原气体原料本发明能够减少在多晶硅生产中的能耗，降低生产成本；同时还有利于提高多晶硅产品的质量。
多晶还原生产装置方法

[发明专利]一种多晶硅铸锭快速退火冷却工艺-CN201610632643.7在审
发明人：肖贵云;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅铸锭快速退火冷却工艺，包括：在第一预设时间内，将长晶结束后的多晶硅铸锭温度降至退火温度；在所述退火温度下，将所述多晶硅铸锭保温，持续第二预设时间；将退火完成的所述多晶硅铸锭以1.5本申请提供的上述多晶硅铸锭快速退火冷却工艺，能够降低多晶硅铸锭的位错缺陷水平，有效提升多晶硅铸锭的品质，同时减少运行周期，提高多晶铸锭炉台生产效率。
一种多晶铸锭快速退火冷却工艺

[发明专利]一种多晶硅棒破碎的装置和方法-CN201811469114.5在审
发明人：李力;刘逸枫;付绪光;沈峰;阮继政;郭磊;田野;徐浩;陈其国 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅棒破碎的装置及系统。一种多晶硅棒破碎的装置和系统，包括采用电磁加热多晶硅棒，将加热后的多晶硅棒进行快速冷却，以使多晶硅棒内部产生应力，使多晶硅棒破碎。与现有技术相比，本方案解决了现有机械破碎导致的杂质污染和辐射加热速度慢、能耗高的问题，提高了生产效率、降低了能源消耗。
一种多晶破碎装置方法

[实用新型]一种多晶硅棒破碎的装置和系统-CN201821970101.1有效
发明人：刘逸枫;李力;陈其国;付绪光;沈峰;阮继政;郭磊;田野;徐浩 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多晶硅棒破碎的装置及系统。一种多晶硅棒破碎的装置和系统，包括采用电磁加热多晶硅棒，将加热后的多晶硅棒进行快速冷却，以使多晶硅棒内部产生应力，使多晶硅棒破碎。与现有技术相比，本方案解决了现有机械破碎导致的杂质污染和辐射加热速度慢、能耗高的问题，提高了生产效率、降低了能源消耗。
多晶硅棒破碎本实用新型装置及系统电磁加热方案解决辐射加热机械破碎快速冷却能源消耗生产效率杂质污染加热能耗

[发明专利]一种多晶电阻的制作方法-CN201510112523.X有效
发明人：潘光燃;文燕;高振杰;王焜;马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种多晶电阻的制作方法，包括：在半导体单晶片上依次生长氧化层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂并刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅电阻条；生长介质层；在所述介质层上涂布光刻胶并刻蚀所述介质层形成所述多晶硅电阻条接触孔，所述多晶硅电阻条的接触孔底部与所述多晶硅电阻条接触；通过所述多晶硅电阻条的接触孔进行离子注入，去除所述光刻胶；生长金属层并刻蚀所述金属层形成引线。本发明解决多晶电阻制作工艺复杂、生产成本较高的问题。
一种多晶电阻制作方法