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[实用新型]一种低缺陷高品质多晶硅锭-CN201720214710.3有效
发明人：赵博成;刘晓辉;王国军 -专利权人：浙江晶鸿新能源科技有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭，多晶硅锭的外边侧设置有复合保护膜，复合保护膜的内部设置有防尘夹层，防尘夹层的底端设置有防撞夹层，防撞夹层的底端设置有防护夹层，防护夹层的底端设置有防皱夹层本实用新型是一种低缺陷高品质多晶硅锭，在多晶硅锭生产完成后进行覆膜，可以有效的保护多晶硅锭在使用前发生损坏，在运输的运输的过程中，可有效的防止多晶硅锭表面产生污渍和线痕划伤，防止发生碰撞以及崩边的情况发生，可防止多晶硅锭发生缺陷，提高品质，本设计合理简单，十分的便捷实用。
一种缺陷品质多晶

[发明专利]基于工业园区矿热炉和多晶硅协同配合的电网调频方法-CN202110653337.2在审
发明人：张然;刘宗杰;宫飞翔;石立国;陈宋宋;何胜;张海静;冯剑;孙腾;魏新杰;吴清普;胡明;徐玉婷;王瑞琪;张明强;廖思阳;徐箭;周翔宇;谢尊辰 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网河北省电力有限公司;国网山东省电力公司济宁供电公司;国网山东省电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H02J3/24 文献下载
摘要：本发明公开了基于工业园区矿热炉和多晶硅协同配合的电网调频方法，本发明解决了矿热炉和多晶硅单独参与电网需求侧响应时调频容量有限的问题，实现了矿热炉和多晶硅协同配合平抑电网的功率波动，基于矿热炉和多晶硅的实际生产边界约束，确定矿热炉和多晶硅基于某生产状态下的调频容量，以二者调频容量为分配原则，确定在大扰动下需要各自调节的功率值，实现对电网功率波动的协同平抑，矿热炉和多晶硅协同参与电网互动响应，大大增加负荷侧可调容量，同时减轻发电机侧输出压力
基于工业园区矿热炉多晶协同配合电网调频方法

[实用新型]一种多晶硅铸锭过程中二次加料装置-CN201420027401.1有效
发明人：马文会;张聪;魏奎先;郑达敏;谢克强;伍继君;周阳;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭过程中二次加料装置，属于光伏行业中多晶硅铸锭生产技术领域。该多晶硅铸锭过程中二次加料装置，包括装料筒总成、进出气系统总成、加热设备和下料系统总成，进出气系统总成安装在装料筒总成两侧，加热设备为装料筒总成底部锥形区域加热，下料系统连接装料筒总成底部。该多晶硅铸锭过程中二次加料装置既能提高多晶硅铸锭炉的单次产能，又能提高坩埚的利用率，增加下料管的使用寿命，降低多晶硅生产成本。
一种多晶铸锭过程二次加料装置

[发明专利]低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法-CN201810202160.2在审
发明人：徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法。该低温多晶硅制作方法包括：提供基板，在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在半透膜掩模板的遮挡下对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述非晶硅层转变为多晶硅层；所述半透膜掩模板包括透光的衬底和设于所述衬底表面的图案化的半透膜本发明还提供了相应的低温多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制作方法。本发明的低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法可以使得多晶硅结晶效果更好，改善多晶硅薄膜晶体管的电性能，同时又能提升多晶硅层的干法刻蚀效率，释放生产制造多晶硅的产能。
低温多晶硅阵列基板薄膜晶体管非晶硅层半透膜制作多晶硅层缓冲层掩模板基板低温多晶硅薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管准分子激光退火多晶硅结晶衬底表面干法刻蚀电性能多晶硅图案化透光产能衬底遮挡释放制造生产

[发明专利]一种无接触破碎多晶硅的方法-CN201410057558.3无效
发明人：季静佳;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法，更具体的说，本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法，把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块，多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后，该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀，在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力，致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。
一种接触破碎多晶方法

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN201210174662.1无效
发明人：徐予晗 -专利权人：四川瑞能硅材料有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产技术领域。所述多晶硅还原炉的炉盘上，设置有导流隔热罩为进入还原炉的物料提供导流的空间，使物料能够强制上升到炉筒内的顶部。本发明的一种多晶硅还原炉，能够在反应中为多晶硅棒上下部都提供充足的物料进行反应并维持合适的温度，避免产生玉米花状多晶硅和熔断现象，同时还能够达到还原炉的节能降耗目的。
一种多晶还原

[发明专利]用于生产颗粒材料以及用于测量和减少颗粒材料中的粉尘的系统和方法-CN200580027650.4无效
发明人： J·D·霍尔德;H·斯里达拉默西;J·D·希尔克 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明涉及生产颗粒多晶硅的方法以及颗粒多晶硅的供给。本发明还涉及用于测量和用于减少颗粒多晶硅中的粉尘的装置和方法。在一个方面中，一种系统包括处理器皿，该处理器皿具有用于从多晶硅中抽走粉尘的真空端口。本发明的另一种系统包括用于接纳多晶硅料流的阻隔管。一种测量系统包括用于将粉尘与多晶硅料流分开并测量粉尘的歧管和过滤器。
用于生产颗粒材料以及测量减少中的粉尘系统方法

[发明专利]一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一层多晶硅作为PIP多晶硅的顶部多晶硅，在PIP多晶硅的顶部多晶硅上沉积保护膜，然后进行PIP多晶硅光刻，保护膜和PIP多晶硅的顶部多晶硅刻蚀，光刻胶去除；2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶硅结构的顶部淀积一层保护膜，来改善PIP多晶硅在侧墙刻蚀时候的损失，从而达到稳定晶片面内PIP多晶硅的阻值。
一种 pip 多晶刻蚀工艺方法

[实用新型]24对棒多晶硅还原炉-CN201020215600.7有效
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本24对棒多晶硅还原炉在炉子底盘上采用大对数电极、还原炉内壁设置光滑的银层，均匀设置多个进气喷嘴，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量更多，从而显著提高了反应效率和单炉产量；并利用银的化学特性和良好的加工性，以及抛光后的镜面效果，在生产出纯度更高的多晶硅产品的同时，大幅度降低了能耗，大大降低了多晶硅的生产成本。
24 多晶还原

[实用新型]一种多晶硅废酸回收装置及采用该装置的PAC生产装置-CN201220136585.6有效
发明人：李仙寿;李仕杨;沈伟;雷嵩;孙明炳 -专利权人：四川瑞能硅材料有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅废酸回收装置及采用该装置的PAC生产装置，属于多晶硅技术领域。所述多晶硅废酸回收装置主要由洗涤装置、过滤装置Ⅰ、储槽Ⅰ顺次相连组成，所述PAC生产装置主要由所述多晶硅废酸回收装置与反应装置、聚合池和储槽Ⅱ顺次相连组成。本实用新型提供了一种结构简单、成本低廉的多晶硅废气废液回收浓缩盐酸的装置，同时还提供了一种采用该装置的PAC生产装置。解决了多晶硅生产中废气废液污染环境，传统酸碱中和消耗烧碱成本高，处理中和反应生成的盐污染大等难题，回收所得的符合工艺要求的盐酸还为后续PAC生产提供一种价格便宜的原料酸，进一步提高了经济和环保效益。
一种多晶硅废酸回收装置采用 pac 生产

[发明专利]多晶硅还原炉的控制方法及装置-CN202310465519.6在审
发明人：周鹏程 -专利权人：创新奇智（合肥）科技有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本申请涉及多晶硅生成技术领域，提供一种多晶硅还原炉的控制方法及装置。所述方法包括：将多晶硅还原炉的各控制参数输入训练好的第一神经网络模型，获取与各控制参数一一对应的各观测数据；从各观测数据中，获取与至少一个预设观测数据相匹配的目标观测数据，以根据目标观测数据对应的控制参数，控制多晶硅还原炉运行。本申请实施例提供的多晶硅还原炉的控制方法能够在不降低多晶硅品质的基础上，降低单位产量的能耗，提高多晶硅的生产效率。
多晶还原控制方法装置

[实用新型]一种多晶硅全自动生产系统-CN201721533526.1有效
发明人：何建志 -专利权人：浙江启瑞电子有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅全自动生产系统，包括多晶硅原料的处理装置，该装置包括原料检测筛选机、原料清洗装置和原料干燥装置，多晶硅原料的处理装置之后设有原料传输轨道，原料传输轨道的末端连接在多晶硅的铸锭装置上，多晶硅的铸锭装置包括坩埚喷涂装置和抽真空/加热装置，多晶硅的铸锭装置之后设有硅锭传输轨道，多晶硅的铸锭装置末端通往硅锭的裁切装置，所述硅锭的裁切装置依次为开方装置，去头尾装置，磨面、倒角装置以及粘胶装置和切片装置，硅锭的裁切装置之后设有废料的回收装置和硅片的处理装置，硅片的处理装置前后工序依次为硅片的脱胶/清洗/干燥和硅片的包装、入库两部分。本实用新型结构完善，设计合理，可满足实际生产需要。
多晶硅处理装置铸锭装置硅片硅锭裁切装置传输轨道全自动生产系统本实用新型多晶硅原料原料干燥装置原料清洗装置倒角装置回收装置加热装置结构完善末端连接切片装置原料检测粘胶装置坩埚喷涂开方抽真空筛选机磨面脱胶清洗入库生产

[发明专利]一种多晶硅锭模及使用方法、涂料制备方法-CN201910371694.2有效
发明人：庹开正;周旭 -专利权人：新疆泰宇达环保科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅锭模及使用方法、涂料制备方法，侧壁、模顶、模底均由多晶硅材料制作而成，因此本发明降温快，而且不会污染硅产品，不会干扰硅锭的纯度。大锭涂料专用于以多晶硅为原料制作而成的工业硅成型模具中，解决了现有技术中没有能够与多晶硅模具相匹配的涂料的问题，能够保证多晶硅模具维持自身传热快、不污染的优势，以此改善硅锭成型质量。大锭涂料摒弃了传统模具涂料以碳或含碳有机物作为涂料主剂的方式，以硅基主剂来配合工业硅生产所用的多晶硅模具，碳化硅和氮化硅能够确保不会对硅料成型造成杂质污染，同时也与多晶硅具有极好的适配性，确保了在多晶硅不会污染工业硅的同时，涂料也不会污染工业硅。
一种多晶硅锭模使用方法涂料制备方法

[发明专利]一种多晶硅破碎方法及设备-CN201910155929.4有效
发明人：肖贵云;张涛;张坚;卢亮;邹江华;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅破碎方法，包括将多晶硅置于密闭空间中；将所述多晶硅加热至预设温度；对加热后的多晶硅进行冷却，以使冷却后的多晶硅产生内应力；对所述冷却后的多晶硅进行破碎，以得到多晶硅碎料。本申请中将多晶硅放入密闭空间中加热至预设温度后，再对加热后的多晶硅进行冷却，使得多晶硅内部产生内应力，由于内应力的存在，对所述冷却后的多晶硅进行破碎时，只需要较小的冲击力即可将多晶硅击碎，得到多晶硅碎料，同时减少多晶硅粉末的产生，即减少多晶硅的损耗。此外，本申请还提供一种具有上述优点的多晶硅破碎设备。
一种多晶破碎方法设备

[发明专利]一种单元栅蚀刻方法-CN201010002835.2无效
发明人：陶志波;陈伏宏 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。
一种单元蚀刻方法

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