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[发明专利]降低制造成本的低栅极电荷屏蔽栅半导体器件及制作方法-CN202310397375.5有效
发明人：滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种降低制造成本的低栅极电荷屏蔽栅半导体器件，包括：第一导电类型硅衬底，在硅衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有单胞沟槽和分压沟槽；在单胞沟槽内设有相互分离的源极多晶硅、第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅，在分压沟槽内设有相互分离的第一场板多晶硅、第二场板多晶硅和第三场板多晶硅；第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅分别位于源极多晶硅上方两侧，第二场板多晶硅和第三场板多晶硅分别位于第一场板多晶硅上方两侧；单胞沟槽中的源极多晶硅、第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅通过绝缘介质层相互绝缘；本发明还提供了上述半导体器件的制作方法；能够减少光刻次数，使得其制造工序简化。
降低制造成本栅极电荷屏蔽半导体器件制作方法

[发明专利]SONOS快闪存储器的制作方法-CN200610119062.X无效
发明人：徐丹;蔡信裕;陈文丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅栅极结构、位于多晶硅栅极结构之间的介质层以及半导体衬底内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述多晶硅栅极结构具有作为栅极的第一多晶硅层；在多晶硅栅极结构以及介质层表面形成第二多晶硅层；刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层形成字线；采用湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层。本方法避免在介电层的侧壁产生多晶硅残留，而且不会对第一多晶硅层和第二多晶硅层造成过刻蚀。
sonos 闪存制作方法

[发明专利]多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法-CN201510902664.1在审
发明人：许涛;李琳松 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，包括以下步骤：通过SEMVISON设备观测炉内多晶硅薄膜表面的鼓包数量；调整沉积温度，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止沉积温度的调整；调整磷烷和硅烷的气体流量比例，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止磷烷和硅烷的气体流量比例的调整；调整炉压，提升炉内压力，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止炉压的调整；记录停止调整后的沉积温度、磷烷和硅烷的气体流量比例和炉压的具体数据，作为最优化的参数进行多晶硅薄膜的生产。该方法不仅能满足多晶硅应力要求，还能使多晶硅薄膜表面鼓包情况调整至最低，改善表面粗糙度。
多晶薄膜表面粗糙调整方法

[发明专利]一种多晶硅还原炉取棒装置-CN201610787106.X在审
发明人：鲍守珍;高志明;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及生产多晶硅领域，主要解决的技术问题是提供一次性多晶硅棒抓取装置，主要由夹持罩和安装在夹持罩内的夹持气囊组成，夹持罩内顶端设有气流分布盘，通入空气或致冷气体时，能迅速降低温度。夹持气囊表面均匀布嵌有由多晶硅加工成的触点，当不断地充气时，夹持气囊缓慢鼓起呈倒圆锥形，夹持气囊上的触点与最外层底部的多晶硅棒表面接触，随着夹持气囊不断鼓起，多晶硅棒受到夹持气囊上触点的挤压，与里层多晶硅棒靠近，直至多晶硅棒挤紧在一起，此时，利用升降装置将整个提起放置在指定位置，完成多晶硅棒一次性取棒。
一种多晶还原炉取棒装置

[发明专利]多晶硅棒破碎系统及破碎方法-CN202111584787.7在审
发明人：杨明财;鲍守珍;任长春;宗冰;王生红 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本申请提供一种多晶硅棒破碎系统及破碎方法，涉及多晶硅生产技术领域。多晶硅棒破碎系统包括运输室、加热室、冷却室、破碎室和搬运机构，运输室、加热室、冷却室和破碎室依次连通，加热室具有加热机构，冷却室具有冷却机构，破碎室具有破碎机构，加热机构包括固定于加热室的加热感应线圈，多晶硅棒能够在传输机构的传输过程中穿过加热感应线圈；运输室、加热室、冷却室和破碎室设置有传输机构，传输机构能够将多晶硅棒在运输室、加热室、冷却室和破碎室依次传输；搬运机构用于将还原炉内的具有余热的多晶硅棒直接搬运至运输室的传输机构进行传输多晶硅棒破碎系统能够改善多晶硅棒被污染的情况，且破碎方法还能够减少细粉的产生，减少能量的损失。
多晶破碎系统方法

[发明专利]提高多晶硅生产的方法及其装置-CN200810040241.3无效
发明人：袁建中 -专利权人：上海通用硅晶体材料有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅的生产方法及装置，在还原炉内用电加热硅芯，使SiHCl₃在H₂气氛中还原，所得到的硅在硅芯的表面上沉积而生成多晶硅，本发明采用增大硅芯表面积的方法来提高生产多晶硅的速度根据上述多晶硅的生产方法，本发明还提供了一种生产多晶硅的还原炉，包括炉罩、底板、进料口、出料口和硅芯，该还原炉是密闭的，进料口、出料口和电极安装在底板上，硅芯连接在电极上，其中所述的硅芯是片状的。在本发明的生产方法及装置中，将现有技术中的圆形硅棒改进为片状或管状或任意不规则薄层状的硅芯，增加了硅芯的表面积。由于在反应原料的浓度保持不变的情况下，硅的沉积速度主要取决于硅棒的表面积，因此本发明大幅度提高了硅的沉积速度，节约了生产时间，提高了生产效率。
提高多晶生产方法及其装置

[发明专利]一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺、组件和系统-CN202110486509.1在审
发明人：沈承焕;赵影文;季根华;陈嘉;杜哲仁;马丽敏;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相异的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、设于电介质层表面且掺杂极性相异的第一、第二多晶硅掺杂层，设于第一多晶硅掺杂层与第二多晶硅掺杂层之间的多晶硅层，设于第一多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第三多晶硅掺杂层，设于第二多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第二多晶硅掺杂层的第四多晶硅掺杂层；第一、第三多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层，第二、第四多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层。
一种极性相异钝化接触结构电池制备工艺组件系统

[发明专利]一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置-CN200710008984.8有效
发明人：洪永强 -专利权人：佳科太阳能硅（厦门）有限公司;厦门大学
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置，涉及一种以材料或形状为特征的具有一定结构的均匀多晶材料。提供一种冶金法从金属硅制造太阳能级多晶硅过程中大批量连续生产多晶硅锭的定向凝固方法与装置。将空石墨模具按轴向空间序列排列，由炉车带动同步前移，空石墨模具在预热区预热；经熔融精炼的液态硅倒入预热后的空石墨模具内；在炉膛高温区保温后进入中温区；液态硅在石墨模具中经高温区到中温区，液态硅逐步定向凝固；凝固硅在石墨模具中在回转轨道护罩下逐步冷却到室温，获得定向凝固的多晶硅锭。连续生产多晶硅锭的定向凝固连续轨道炉设有炉体、炉膛、炉车轨道、炉车、前辅助小车、后辅助小车、回转轨道、推进装置、供电和温控系统。
一种连续生产多晶定向凝固方法及其装置

[发明专利]多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺-CN201310315273.0有效
发明人：谭毅;李鹏廷;王峰;熊华江;安广野;姜大川 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺，按照以下步骤进行：（1）多晶硅铸锭工艺中长晶结束后进行第一次退火；（2）将多晶硅铸锭冷却至室温；（3）将多晶硅铸锭进行开方，本发明的优点在于：（1）开方阶段已去除杂质含量高的边角料，因此在后期退火时可减轻反向扩散，提高出成率；（2）硅块尺寸相对较小，因此在退火阶段内部温度分布均匀，可提高退火效果；（3）减少了生产周期，提高了生产效率，生产成本降低5%。
多晶铸锭减少杂质扩散二次退火工艺

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201910959310.9在审
发明人：徐孟雷;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池制作方法，在形成具有多晶硅间隔区、极性相反的第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域的第二多晶硅层时，均采用激光加热的方式形成第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，整个制作过程不需要对任何一层进行图案化的步骤，也不需要额外的高温处理过程，简化太阳能电池制作过程，从而提高太阳能电池的生产效率。
掺杂多晶硅区域太阳能电池制作过程高温处理过程多晶硅间隔多晶硅层激光加热极性相反生产效率图案化申请制作

[实用新型]多晶硅棒破碎设备-CN201120515915.8有效
发明人：戴煜;羊建高;谭兴龙 -专利权人：湖南顶立科技有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多晶硅棒破碎设备，包括：采用微波作为热源，对多晶硅棒进行加热的加热室；与加热室相连，用于将加热后的多晶硅棒快速冷却的冷却室。应用上述技术方案，首先加热室采用微波作为热源，将多晶硅棒加热，其次，将加热后的多晶硅棒送到冷却室快速冷却，从而使多晶硅棒获得一个瞬间的晶间应力使自身瞬间破碎，避免产生大量的碎屑和微粉。因此，与现有技术相比，本技术方案解决了现有机械破碎方式导致的杂质玷污、收率降低、进一步污染环境和降低生产安全性隐患。
多晶破碎设备

[发明专利]一种开方机中多晶硅锭的放置结构-CN201110114840.7无效
发明人：姚兴平 -专利权人：江苏新潮光伏能源发展有限公司
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭、晶托和杂质层，所述多晶硅锭的下表面设置有杂质层，所述杂质层的下表面与所述晶托固定连接。本发明将多晶硅锭翻转再与晶托粘牢后放入开方机中开方，提高了产品的合格率，增加了产量，降低了生产成本。
一种开方多晶放置结构

[实用新型]一种多晶硅铸锭炉-CN201120266378.8有效
发明人：刘伏初;李蔚霞;刘元月;李启刚 -专利权人：湖南阳东磁性材料有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉，可以使用设置在炉体上的微波产生装置产生微波并对炉体内的多晶硅原料进行加热。由于处于电磁场内的多晶硅原料可以直接吸收微波的部分能量而被加热，因此加热较为均匀。本实用新型提供的一种多晶硅铸锭炉可以有效减小加热时间，提高生产效率。
一种多晶铸锭

[发明专利]用多晶硅原料制备熔硅的方法-CN96117958.9无效
发明人： K-M·吉姆;L·A·艾伦 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-12-25 - 公布日： 1997-08-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于由切氏法制造单晶硅的由多晶制备熔硅的方法。粒状多晶硅和块状多晶硅形成混合原料装入切氏坩埚。粒状多晶硅最好装在底面上，对着坩埚的中心线堆起，不接触坩埚壁的上半部分。块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面。熔化粒状多晶硅和块状多晶硅以形成熔硅。
多晶原料制备方法

[发明专利]GCL法多晶硅生产方法-CN201010604555.9有效
发明人：蒋文武;崔树玉;蒋立民;李力;钟真武 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种GCL法多晶硅生产方法，也称为闭环式多晶硅生产方法，其包括氯氢化步骤、反歧化步骤、还原/循环步骤和纯化步骤，其中所述纯化步骤将来自其他步骤的供料分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅，并将其循环返回至这些其他步骤中该多晶硅生产方法可以最大限度地(循环)利用所有的原料或副产物，极大地降低生产体系对外界的依赖程度，并且生产方法的三废排放量显著减少，从而显著地降低多晶硅的生产成本和生产能物耗，是一种真正意义上的绿色生产方法
gcl 多晶生产方法