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[发明专利]一种纳米针界面的PEEK基台及其制备方法-CN202111347060.7有效
发明人：姚李韬;盛列平;李立;楼维维;周亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：本发明针对现有的种植体基台表面改性方式难以兼顾促进软组织封闭和抗菌问题，提供了一种纳米针界面的PEEK基台，包括基台、顺次覆盖在所述基台上的金属涂层和FHA涂层；其中，所述基台为PEEK基台，所述金属涂层为镁合金涂层中的至少一种同时提供了一种纳米针界面的PEEK基台的制备方法，使用磁控溅射技术制备了具有均匀、粘附力强、成膜率高的金属涂层，同时配合水热合成技术制备得到具有纳米针状结构的FHA涂层，在PEEK基台表面建立了同时具有抗菌及促进软组织封闭的仿生界面，可极大提高种植基台的抗菌效果及软组织封闭能力。
一种纳米界面 peek 及其制备方法

[发明专利]嵌入式界面设计方法、装置、电子设备及存储介质-CN201910638140.4在审
发明人：刘均;沈海煌 -专利权人：深圳市元征科技股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F9/451 文献下载
摘要：本申请提供了一种嵌入式界面设计方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：界面开发设备实现各待设计界面的共有属性，并将所述共有属性放在基类模板中；所述界面开发设备在新增第一待设计界面时，提取所述基类模板，以为所述第一待设计界面生成所述共有属性；所述各待设计界面包括所述第一待设计界面；所述界面开发设备为所述第一待设计界面设置独有属性。本申请实施例提供的嵌入式界面设计方法有利于降低资源占用率，从而提高设备适用性。
设计界面嵌入式界面界面开发存储介质电子设备基类资源占用率设备实现申请

[发明专利]一种编织陶瓷基复合材料热机械疲劳迟滞回线的预测方法-CN201811637741.5有效
发明人：李龙彪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明提供的编织陶瓷基复合材料热机械疲劳迟滞回线的预测方法，考虑热机械疲劳机制，采用断裂力学脱粘准则获得纤维/基体界面脱粘长度方程、卸载纤维/基体界面反向滑移长度方程和重新加载纤维/基体界面新滑移长度方程，基于纤维/基体界面滑移机理，建立纤维/基体界面部分脱粘与纤维/基体界面完全脱粘情况下编织陶瓷基复合材料卸载应力‑应变方程、重新加载应力‑应变方程，根据得到的应力‑应变方程预测编织陶瓷基复合材料热机械疲劳迟滞回线
一种编织陶瓷复合材料机械疲劳迟滞预测方法

[发明专利]用于外延生长源极/漏极晶体管区域的碳基界面-CN201580080044.2有效
发明人： G·A·格拉斯;P·H·基斯;H·W·肯内尔;R·米恩德鲁;A·S·默西;K·贾姆布纳坦 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：公开了用于在外延生长的S/D区域和沟道区域之间形成具有一个或多个碳基界面层的p‑MOS晶体管的技术。在一些情况下，碳基界面层可以包括具有大于20％碳的碳含量和0.5‑8nm的厚度的单层。在一些情况下，碳基界面层可以包括具有小于5％的碳含量和2‑10nm的厚度的单层。在一些这样的情况下，单层还可以包括硼掺杂硅(Si:B)或硼掺杂硅锗(SiGe:B)。在一些情况下，一个或多个附加界面层可以沉积在碳基界面层上，其中附加界面层包括Si:B和/或SiGe:B。这些技术可用于改善短沟道效应，并改善所得晶体管的有效栅极长度。
用于外延生长晶体管区域界面

[发明专利]一种将镓基热界面材料应用于铝基底增强界面传热的方法-CN201910351403.3有效
发明人：纪玉龙;闫慧龙;肖秀;马鸿斌 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B32B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种将镓基热界面材料应用于铝基底增强界面传热的方法，包括以下步骤：(一)铝片预处理：将铝片依次浸没在丙酮溶液、乙醇、水中，超声处理10‑25分钟；(二)氧化铝薄膜制备：将预处理后的铝片进行碱洗、抛光、脱氧、铬酸阳极氧化制备氧化铝薄膜；(三)三层结构试样制备：将镓基液态金属涂覆于铝片的氧化铝薄膜表面，按照铝基底、氧化铝薄膜、镓基液态金属、氧化铝薄膜、铝基底的顺序叠放在一起，并在4‑11MPa的压力下制备本发明首次实现了在铝基底表面上应用镓基液态金属热界面材料增强界面间传热，填补了这一领域的空白，解决了将液态金属热界面材料应用于金属固体界面时存在的导电问题。
一种将镓基热界面材料应用于基底增强传热方法

[发明专利]一种固体电解质的碳基界面层及其制备方法和应用-CN201710990899.X在审
发明人：胡勇胜;邵元骏;李泓;陈立泉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种固体电解质的碳基界面层及其制备方法和用途,碳基界面层在固体电解质与电池的碱金属负极相接触的表面上；碳基界面层为碳材料或者碳基材料或者所述碳材料与所述碳基材料的复合材料；其中，碳材料包括：天然石墨、人工石墨、石墨微片、乙炔黑、碳纳米管、碳纤维、石墨烯、氧化石墨烯、还原氧化石墨烯或无定形碳中的一种或多种；碳基材料包括：含烷基、羟基、羧基、羰基、氰基、烯基、炔基的有机基团的碳基材料。
碳基材料界面层碳基固体电解质碳材料碱金属还原氧化石墨烯制备方法和应用烷基氧化石墨烯负极人工石墨石墨微片碳纳米管天然石墨无定形碳有机基团复合材料石墨烯碳纤维乙炔黑氰基炔基烯基羟基羧基羰基制备电池

[发明专利]一种硅碳基陶瓷涂层界面力学特性的跨尺度分析方法-CN201610557395.4有效
发明人：廖宁波;周峰;薛伟 -专利权人：温州大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅碳基陶瓷涂层界面力学特性的跨尺度分析方法，采用基于混合法则的Tersoff三体势函数描述碳化硅基陶瓷材料内部各原子的相互作用；采用EAM势函数描述金属基体材料内部原子的相互作用；采用Buckingham函数和Morse势函数描述碳化硅基陶瓷与金属基体界面的相互作用；利用大规模MD对材料界面进行I型和II型断裂模拟，利用大规模MD断裂模拟中初始裂纹附近的应力和位移参数，提取CZM模型的TSL信息，获得硅碳基陶瓷和金属基体各自的界面本发明能更有效地对不同材料界面进行分析及设计，因而提高了涂层结构的设计效率并大大降低了设计成本。
一种硅碳基陶瓷涂层界面力学特性尺度分析方法

[发明专利]一种石墨烯基环氧树脂复合热界面材料的制备方法-CN201610230991.1有效
发明人：黄维秋;唐波;许继星;曹玉春;顾倩玉 -专利权人：常州大学
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提出一种改性石墨烯基环氧树脂复合热界面材料制备方法，该石墨烯基环氧树脂复合热界面材料主体为环氧树脂基体，热导填料为改性石墨烯。制备过程包括氧化石墨的制备、石墨烯的制备和改性石墨烯基环氧树脂复合热界面材料的制备三个步骤。通过控制石墨烯含量(2～15wt％)制出的石墨烯基环氧树脂复合热界面材料相对比环氧树脂本身热导率得到了很大的提高，同时通过氧化石墨制备过程中对离心转速(4000～7000rpm)及材料复合时对搅拌时间(0.5～2h)的控制可调节石墨烯片的尺寸大小，进一步提高复合热界面材料的热稳定性。
一种石墨环氧树脂复合界面材料制备方法

[发明专利]一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法-CN201910721653.1有效
发明人：刘汝强;杨川;李宗乐 -专利权人：山东道普安制动材料有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明首先制备涂层浆料，采用真空浸渍法制备涂层/增强体复合物；然后制备陶瓷粉体浆料，将涂层/增强体复合物于陶瓷粉体浆料中真空压力浸渍，经固化、高温烧结制备陶瓷基复合材料；然后经空气中热处理，于界面前驱体浆料中真空压力浸渍，最后经烧结制备得到含界面相的陶瓷基复合材料。本发明制备方法简单，反应条件易于实现，成本较低；本发明方法避免了界面材料以及增强体的破坏，防止增强体与基体陶瓷材料在高温下发生反应生成强界面，大幅提高了陶瓷基复合材料的韧性等力学性能。
一种界面陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种铝基填充热界面复合材料及其制备方法与应用-CN201610907573.1有效
发明人：符显珠;毛大厦;孙蓉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝基填充热界面复合材料及其制备方法与应用，以该热界面复合材料的总重量为100％计，其包含10‑70％的环氧树脂基体及30‑90％的导热填料。本发明还提供了上述铝基填充热界面复合材料的制备方法及其在电子元器件散热中的应用。本发明所涉及到的工艺流程以及操作都十分简单便捷，生产效率高，设备投入成本低。且本发明所制备得到的铝基填充热界面复合材料呈现出较高的热导率和耐压性能，用于热界面之间能有效填充空气孔隙，极大提高界面散热性能，是一种极佳的热界面材料。
一种填充界面复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种无界面反应的石墨烯/钛基纳米复合材料制备方法-CN202110414370.X有效
发明人：穆啸楠;张洪梅;陈鹏万;程兴旺;段红强;刘亮;葛宇鑫;熊倪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种无界面反应的石墨烯/钛基纳米复合材料制备方法，属于金属基复合材料的制备技术领域。先采用超声分散技术将石墨烯粉和钛基粉体混合均匀，再对混合粉体进行高压扭转大塑性变形，得到无界面反应的石墨烯/钛基纳米复合材料，该方法基于高压扭转工艺室温条件下的大塑性变形，一方面可以使石墨烯在钛基体内均匀分散且获得钛基体的亚微米或纳米化，另一方面可以极大抑制石墨烯与钛基体的反应从而获得无界面反应的复合材料，从根本上解决石墨烯增强钛基复合材料界面反应难以控制的瓶颈，而且该方法有利于改善石墨烯/钛基纳米复合材料的力学性能。
一种界面反应石墨纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种预测纤维增强陶瓷基复合材料非闭合迟滞回线的方法-CN202111466105.2在审
发明人：李龙彪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种预测纤维增强陶瓷基复合材料非闭合迟滞回线的方法，属于复合材料非闭合迟滞回线预测技术领域。本发明提供的预测纤维增强陶瓷基复合材料非闭合迟滞回线的方法，首先根据基体随机碎断模型确定基体裂纹间距，采用断裂力学界面脱粘准则确定界面脱粘长度、卸载界面反向滑移长度和重新加载界面新滑移长度，然后在此基础上分析卸载和重新加载过程中的纤维轴向应力分布，进而获得卸载和重新加载过程中纤维增强陶瓷基复合材料的应力‑应变关系方程，以此预测纤维增强陶瓷基复合材料非闭合迟滞回线。本发明提供的方法能够准确预测纤维增强陶瓷基复合材料非闭合迟滞行为。
一种预测纤维增强陶瓷复合材料闭合迟滞方法

[发明专利]一种用于光催化选择性氧化5-羟甲基糠醛的界面Pt-O键合的Pt-Ov-BiOBr催化剂的制备方法-CN202310038960.6在审
发明人：董玉明;龚明;赵辉;王光丽;潘成思;朱永法 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01J27/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光催化选择性氧化5‑羟甲基糠醛的界面Pt‑O键合的Pt‑Ov‑BiOBr催化剂的制备方法。本发明建立了贵金属半导体催化界面上超氧自由基和HMF高效反应的机制，由于Ov‑BiOBr上的不饱和配位的环境，Pt可以通过形成Pt‑O键，作为电子传输通道，将光生电子从Ov‑BiOBr传输到Pt上高效生成超氧自由基同时光生空穴会聚集在Pt和Ov‑BiOBr接触的界面上，氧化HMF形成碳中心自由基。在Pt‑Ov‑BiOBr接触界面上形成的超氧自由基和碳中心自由基在空间上距离较近，这有利于相互碰撞从而反应，从而实现转化率91.5％和选择性76.7％的高活性。
一种用于光催化选择性氧化甲基糠醛界面 pt ov biobr 催化剂制备方法

[发明专利]一种乙烯基改性纳米填料界面相容剂及其增容共混聚合物的制备方法-CN202110829008.9有效
发明人：汪斌;李熹平;柳和生 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C08K9/06 文献下载
摘要：本发明属于聚合物加工技术领域，具体涉及一种乙烯基改性纳米填料界面相容剂及其增容共混聚合物的制备方法。本发明以乙烯基改性纳米填料作为相容剂，通过引发剂引发共混聚合物各组分的分子链同时与乙烯基改性纳米填料表面的乙烯基发生自由基反应原位形成“共交联”产物来提高相容性，可有效强化共混聚合物组分间的界面作用，提高拉伸强度和模量实施例结果表明，接枝的乙烯基硅烷为乙烯基改性纳米填料作为相容剂提供了有利条件，乙烯基改性纳米填料能够有效地作为相容剂提高不同聚合物的相容性，强化界面作用。
一种乙烯基改性纳米填料界面相容及其增容聚合物制备方法

[发明专利]一种降低钛铝基合金熔体与石墨铸型界面反应的方法-CN201310753716.4无效
发明人：刘鑫旺;刘富初;张兆龙;樊自田;孙锐 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B22D21/06 文献下载
摘要：一种降低钛铝基合金熔体与石墨铸型界面反应的方法，属于钛铝基合金铸件的制造方法，解决钛铝基合金熔体与石墨铸型的界面反应严重，钛铝基合金铸件性能降低的问题。本发明在钛铝基合金的熔炼浇注过程中通入氢气，通入氢气的分压不低于5kPa，氢气与钛铝基合金熔体作用时间不少于2分钟，然后将所得到的钛铝基合金熔体浇注到石墨铸型中。本发明工艺简单、能耗和成本均比较低、易于在生产中实现，有效地降低了钛铝基合金熔体与石墨铸型界面反应，适用于常见的非自耗电弧熔炼及水冷坩埚感应熔炼等熔炼方式。
一种降低钛铝基合金石墨铸型界面反应方法