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[发明专利]一种考虑环境影响的编织陶瓷基复合材料稳态基体开裂应力的预测方法-CN201910061936.8在审
发明人：李龙彪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷基复合材料稳态基体开裂应力预测技术领域，具体涉及一种考虑环境影响的编织陶瓷基复合材料稳态基体开裂应力的预测方法。本发明提供的稳态基体开裂应力分布方程，利用纤维/基体界面氧化区长度、温度条件下的纤维/基体界面氧化区摩擦剪应力和温度条件下的纤维/基体界面脱粘区摩擦剪应力构建得到，使温度和氧化因素纳入至稳态基体开裂应力方程中，为准确预测编织陶瓷基复合材料稳态基体的开裂应力提供依据。实施例结果表明，本发明提供的预测方法能够预测编织陶瓷基复合材料在不同使用温度下的开裂应力。
陶瓷基复合材料稳态纤维/基体界面预测编织环境影响温度条件剪应力氧化区摩擦氧化因素应力方程应力分布应力预测构建脱粘

[发明专利]一种碳化硅基氧化镓复合物及其制备方法和应用-CN202311014544.9在审
发明人：马宏平;沈毅 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅基氧化镓复合物及其制备方法和应用。该碳化硅基氧化镓复合物是通过在碳化硅基氧化镓的碳化硅衬底和氧化镓薄膜之间设置氧化硅层。该碳化硅基氧化镓复合物可以显著的提高碳化硅和氧化镓接触的界面导热能力，界面导热可以达到82.25MW/m2·K。
一种碳化硅氧化复合物及其制备方法应用

[发明专利]膜／基结合强度的检测方法及其装置-CN91106170.3无效
发明人：李曙;李诗卓;魏向东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 1991-07-01 - 公布日： 1998-02-11 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：一种膜／基结合强度的检测方法及其装置，系属于力学测试领域。本发明的主要特征是基于膜／基界面的不连续性，利用所测的能耗或切向力在破膜时出现的突变作力膜／基剥离的判据，扣除膜、基各自的能耗而获得一个与界面结合密切相关的结合能判据。
结合强度检测方法及其装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004480.7在审
发明人：赵起越;石瑜 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第一栅极、第一S/D电极和第一场板。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。第一和第二氮化物基半导体层共同具有有源部分和电隔离部分，有源部分和电隔离部分是非半导体的，并包围有源部分以形成沿第一方向延伸并通过有源部分彼此间隔的至少两个界面。第一栅极电极和第一S/D电极布置在第二氮化物基半导体层上方。第一场板设置在第二氮化物基半导体层上方，并沿第二方向延伸并穿过两个界面，使得场板延伸至电隔离部分，并在界面附近与第一栅极电极重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法-CN200910031266.1有效
发明人：王怀兵;孔俊杰;杨辉;梁秉文 -专利权人：苏州纳晶光电有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔离形成氮化镓基单元器件，将划片槽划穿至蓝宝石衬底表面，并在划片槽中填充保护材料；以金属层作为中间层，将所述氮化镓基外延膜连接于高导热导电衬底上；对激光光斑进行整形，将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处理为图形化光斑阵列，该图形化光斑可有效降低和抑制激光冲击波应力；采用上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处，使界面处的氮化镓发生分解，实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离。本发明实现了低损伤激光剥离，大大降低了氮化镓基外延膜的损伤，提高了芯片良品率。
一种氮化外延激光剥离方法

[发明专利]双界面卡的封装方法及其挑线夹子-CN201210397286.2有效
发明人：李建军;魏云海;王久君;王晓亮 -专利权人：中电智能卡有限责任公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明为一种双界面卡的封装方法及其挑线夹子，该方法是在卡基上铣外槽，以漏出双界面卡的天线线头；通过一加热的挑线夹子将天线从卡基中挑出拉起；在拉起天线的卡基上铣出内层槽；将模块的外焊盘与拉起的天线焊接；本发明的挑线夹子具有加热及温控装置，可以轻松分离双界面卡基中的天线与卡基，并将天线线头从卡基上挑出，同时由于夹头与卡基接触时间很短，提高了挑线速度；夹头的夹持力可以调整，保证挑线工序的顺利进行，并且可避免挑线过程中出现断线问题；本发明的挑线工艺解决了目前国内外智能卡行业没有自动化挑线设备的现状
界面封装方法及其夹子

[发明专利]一种碲化铋基热电元件及其制备方法-CN201110295849.2无效
发明人：陈立东;李菲;黄向阳;柏胜强;吴汀;江莞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基热电元件及其制备方法。所述的碲化铋基热电元件包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电层之间；所述的阻挡层材料为金属锑或金属锑与其它金属的合金。所述的热电元件的制备包括如下步骤：分别称取碲化铋基热电层材料、阻挡层材料及电极层材料；按照碲化铋基热电层材料、阻挡层材料、电极层材料的顺序依次装入石墨模具中；在真空中进行热压烧结。本发明提供的碲化铋基热电元件中各界面间结合良好，界面处未见有裂纹和明显的扩散现象存在，且界面电阻低，能够经受长时间的热疲劳试验。
一种碲化铋基热电元件及其制备方法

[实用新型]用于双界面卡封装工艺的挑线夹子-CN201220534551.2有效
发明人：李建军;魏云海;王久君;王晓亮 -专利权人：中电智能卡有限责任公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于双界面卡封装工艺的挑线夹子，该封装工艺是在卡基上铣外槽，以漏出双界面卡的天线线头；通过一加热的挑线夹子将天线从卡基中挑出拉起；在拉起天线的卡基上铣出内层槽；将模块的外焊盘与拉起的天线焊接；本实用新型的挑线夹子具有加热及温控装置，可以轻松分离双界面卡基中的天线与卡基，并将天线线头从卡基上挑出，同时由于夹头与卡基接触时间很短，提高了挑线速度；夹头的夹持力可以调整，保证挑线工序的顺利进行，并且可避免挑线过程中出现断线问题
用于界面封装工艺夹子

[发明专利]一种铁基非晶合金增强的铝基复合材料及其制备方法-CN201910193344.1在审
发明人：王修昌;谭军;武宽;李敏;张帆;邓攀 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁基非晶合金增强的铝基复合材料及其制备方法，属于复合材料制备技术领域。以铝合金为基体，以铁基非晶合金为增强体，铁基非晶合金均匀的分散在铝合金中；铁基非晶合金增强的铝基复合材料中铁基非晶合金体积分数为5%～30%，铝合金的体积分数为70%～95%；铁基非晶合金为Fe52Cr26Mo18B2C2铁基非晶合金。本铝基复合材料以铝合金为基体，铁基非晶合金为增强体，增强体分散均匀，与基体界面结合强度高，界面状态好，复合材料的致密度和硬度高。
铁基非晶合金铝基复合材料铝合金增强体体积分数制备复合材料制备分散均匀基体界面界面状态复合材料

[发明专利]一种碱金属电池使用的电解质及其制备和应用-CN202310319707.8在审
发明人：崔光磊;崔子立;许高洁;乔立鑫;敏学卿;徐红霞;张圣行 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M10/0568 文献下载
摘要：所述电池电解质为液态或固态电解质，电解质中盐为阴离子含氰基的盐中的一种或几种；或，阴离子含氰基的盐中的一种或几种和一种或几种的常规锂盐混合；其中，含氰基盐占电解质质量的0.1％‑80％。本发明电解质的盐中阴离子的多氰基结构可以在正极表面形成一层稳定的正极界面膜(CEI膜)来抑制电解质的氧化分解，同时阴离子中的氰基还可以在负极界面还原形成一层有利的负极界面膜(SEI膜)来抑制电解质的还原分解；CEI/SEI膜中多氰基结构有利于发挥多氰基的协同传导离子的作用，这有利于界面膜中的离子的传输，有利于CEI/SEI电导率的提高。
一种碱金属电池使用电解质及其制备应用

[发明专利]一种三维交联界面强韧化金刚石膜-基系统制备方法-CN202310283117.4在审
发明人：张召;檀卓鸣;黄绪鹏;于元昊;侯俊鹏;王立平;马天琪 -专利权人：烟台大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维交联界面强韧化金刚石膜‑基系统制备方法，包括以下步骤：硬质合金基底超短脉冲激光加工三维微纳结构并进行脱Co；对基底表面三维微纳结构进行超声植晶；金刚石涂层生长，采用化学气相沉积技术（CVD）在硬质合金表面生长1μm左右厚度的微米晶金刚石涂层；通过调控金刚石锥的高度和多层膜调制周期实现三维交联界面结构的控制。本发明的有益效果在于：通过基底表面微纳结构、金刚石锥、微纳米交替金刚石涂层形成的三维交联界面有效抑制涂层内部以及膜基界面处的裂纹扩展，界面处产生裂纹屏蔽效应，减少微裂纹的归并现象，抑制贯穿裂纹的产生，达到提升涂层韧性和膜‑基界面断裂韧性的目的。
一种三维交联界面强韧金刚石系统制备方法

[发明专利]一种高温电解液添加剂、电池电解液以及钠离子电池-CN202111613088.0在审
发明人：顾士杰;许寒;刘凯;朱波青;杨萌;刘兴江 -专利权人：天津中电新能源研究院有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：电池电解液以及钠离子电池，包括：其中，通式1中的R1、R2、R3分别选自氢原子、卤素原子、酯基、氰基、烷氧基、硅烷基、酮基、磺酸酯基、磺酰基、砜基、胺基、硝基、碳酸酯、吡咯基、噻吩基、呋喃基、羟基、取代或未取代的C1‑C6烷基、取代或未取代的C6‑C30芳基和取代或未取代的C7‑C30芳烷基中的任意一种本发明的有益效果是可以有效提高电解液在高温下的稳定性，调节电极‑电解液界面的化学成分，抑制正极材料过渡金属的溶出，提高材料的结构稳定性，修饰后的界面膜可以阻止电极和电解液的直接接触，降低副反应的发生，减小了电极‑电解液界面阻抗和电池的极化，显著提高电池在高温下的电化学稳定性。
一种高温电解液添加剂电池以及钠离子

[发明专利]保存核酸样本的方法-CN200410104900.7有效
发明人：黄栋梁;林上琪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C07H21/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种稳定或保存生物检体中核酸方法，将生物检体与一含有胺类界面活性剂的试剂进行接触，使生物检体中RNA与胺类界面活性剂形成一络合物，其中胺类界面活性剂具备如式(I)的通式：R₁R₂R₃N(O)_x，式中R₁与R₂分别为氢，含1－6个碳的烷基，含6－12个碳的芳香烃基或是含6－12个碳的烃基芳香烃基；R₃为含1－20个碳的烷基、含6－26个碳的芳香烃基或是含6－26个碳的烃基芳香烃基；且x为0或1；胺类界面活性剂存在于试剂中的含量不限，较佳为0.001
保存核酸样本方法

[发明专利]一种界面修饰材料、全印刷碳基钙钛矿电池及其制备方法-CN202310936387.0在审
发明人：张普涛;王赫麟;杨甫;李晓慧 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07D409/04 文献下载
摘要：本发明公开一种界面修饰材料、全印刷碳基钙钛矿电池及其制备方法，界面修饰材料制备过程如下：以4‑溴‑1,8‑萘酸酐和3‑氨基戊烷为原料制得Br‑NI；向Br‑NI、5‑（4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂双环‑2‑基）噻吩‑2‑甲醛和四（三苯基膦）钯的混合物中加入THF和碳酸钾水溶液的脱气混合物，在氩气气氛下搅拌反应完全，后处理得到CTNI；将CTNI、氰基乙酸和哌啶在无水氯仿中混合并在氩气气氛下于搅拌反应完全，后处理得到CATNI界面修饰材料。本发明还公开了一种碳基钙钛矿太阳能电池，自下而上依次包括导电衬底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿层、空穴传输层、碳电极。本发明通过界面修饰层的修饰，在器件的电压和效率等多方面都得到了明显提升，提高了钙钛矿电池的性能。
一种界面修饰材料印刷碳基钙钛矿电池及其制备方法

[发明专利]天线与智能卡的连接方法以及双界面智能卡-CN200810226703.0有效
发明人：王晓虎;严光文 -专利权人：北京握奇数据系统有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01R4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种天线与智能卡的连接方法以及双界面智能卡，涉及智能卡制造领域，能够解决天线焊盘与SIM卡触点接触不良的问题。天线与智能卡的连接方法包括：将单向导电胶置于天线层上的卡片接触部分与智能卡之间，卡片接触部分上的天线焊盘与智能卡的双界面模块上的备用触点相对应；将所述卡片接触部分、所述单向导电胶以及所述智能卡压接在一起双界面智能卡包括：卡基和设置于卡基上的双界面模块；天线层，包括线圈部分和通过连接柄与线圈部分相连接的卡片接触部分，其中，卡片接触部分附设于卡基上，所述天线层上的天线焊盘与双界面模块上的备用触点相对应设置；卡片接触部分与卡基之间通过单向导电胶连接。
天线智能卡连接方法以及界面