专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种有机太阳能电池器件及其制备方法-CN201510416905.1有效
  • 许博为;侯剑辉 - 中国科学院化学研究所
  • 2015-07-15 - 2017-12-08 - H01L51/42
  • 它包括依次连接的阳极电极层、阳极界面修饰层、光活性层、阴极界面修饰层和阴极电极层,制备阳极界面修饰层和阴极界面修饰层的材料相同,且均为式Ⅰ所示聚合物;式Ⅰ中,A选自磺酸、磺酸钠、磺酸钾、磺酸锂、磺酸铵基、磺酰胺基、羧酸、羧酸酯、羧酸钠、羧酸钾、羧酸锂、羧酸铵基和酰胺基中的任一种;R选自C1~C12的烷基;Ar选自未取代或取代的单环亚芳、双环亚芳、三环及以上环的亚芳、单环杂亚芳、双环杂亚芳、三环及以上环的杂亚芳、通过单键连接的2~6个亚芳所形成的基团;n为2~500。本发明不仅简化了界面修饰层材料的优化过程和制备工艺,并且降低了材料的合成成本。
  • 一种有机太阳能电池器件及其制备方法
  • [发明专利]界面IC卡-CN201110058044.6有效
  • 刘彩凤;王忠于;胡体玲;闾邱祁刚;王丹宁 - 北京豹驰智能科技有限公司;刘彩凤;王忠于;胡体玲
  • 2011-03-10 - 2011-07-20 - G06K19/077
  • 本发明实施例公开了一种双界面IC卡,包括:卡、双界面IC卡模块和耦合标签;双界面IC卡模块和耦合标签内嵌在所述卡中,所述双界面IC卡模块位于耦合标签所围合的区域内;双界面IC卡模块包括基板、电极膜片、RFID标签天线和IC卡芯片;基板内嵌在所述卡中,电极膜片设置于基板背向卡的一面上,RFID标签天线设置于基板朝向卡的一面上,IC卡芯片设置于基板朝向卡的一面和卡之间的区域中,IC卡芯片通过连接线分别与电极膜片和本发明公开的双界面IC卡具有较好的连接稳定性,较高质量和较长使用寿命,制造该双界面IC卡工艺的难度较小,且具有较高的生产效率。
  • 界面ic
  • [发明专利]一种建筑墙体无机外保温系统及其施工工艺-CN200810013400.0无效
  • 杨建良 - 杨建良
  • 2008-09-26 - 2010-03-31 - E04F13/075
  • 一种建筑墙体无机外保温系统及其施工工艺,包括有墙,其特点是界面外围砌筑有无机外保温砌块层,保温砌块层中的砌块之间砌块与界面之间均涂有和砌块相同或相似材料勾制的砌块粘浆,无机外保温砌块层外还设有护面层,护面层外还设有界面层或饰面层或界面层和饰面层。砌筑时,在每块砌块与界面和周围的保温砌块接触面均涂有砌块粘浆,使砌块粘贴严密,无缝隙且牢固可靠并在墙1界面均匀设置预留洞,在预留洞使用保温砌块加粘浆代替锚栓嵌入预留洞内,使其界面与无机外保温砌块层连成一体本发明具有与墙粘合牢固、阻燃性能好、保温效果好、不受白蚁生物破坏、施工简单容易和不易开裂等特点。
  • 一种建筑墙体无机保温系统及其施工工艺
  • [实用新型]界面IC卡-CN201120062445.4有效
  • 刘彩凤;王忠于;胡体玲;闾邱祁刚;王丹宁 - 北京豹驰智能科技有限公司;刘彩凤;王忠于;胡体玲
  • 2011-03-10 - 2011-11-30 - G06K19/077
  • 本实用新型实施例公开了一种双界面IC卡,包括:卡、双界面IC卡模块和耦合标签;双界面IC卡模块和耦合标签内嵌在所述卡中,所述双界面IC卡模块位于耦合标签所围合的区域内;双界面IC卡模块包括基板、电极膜片、RFID标签天线和IC卡芯片;基板内嵌在所述卡中,电极膜片设置于基板背向卡的一面上,RFID标签天线设置于基板朝向卡的一面上,IC卡芯片设置于基板朝向卡的一面和卡之间的区域中,IC卡芯片通过连接线分别与电极膜片和上述双界面IC卡具有较好的连接稳定性,较高质量和较长使用寿命,制造该双界面IC卡工艺的难度较小,且具有较高的生产效率。
  • 界面ic
  • [发明专利]界面残余应力的表征方法-CN202011483209.X有效
  • 邱龙时;潘晓龙;赵婧;胡小刚;刘璐;孙国栋;张思雨;张于胜 - 西安稀有金属材料研究院有限公司
  • 2020-12-15 - 2022-07-22 - G01L5/00
  • 本公开提供了一种膜界面残余应力的表征方法,属于表面工程技术领域。该方法包括在基体表面形成薄膜,获取基体表面形成薄膜后的实际形变参数;根据基体表面形成薄膜后的实际几何尺寸和材料性能参数,建立有限元分析模型;施加热载荷,获取所述有限元分析模型中膜几何模型的模拟形变参数;当所述模拟形变参数与所述实际形变参数的差值在阈值范围内时,获取所述膜几何模型的膜界面处的剪切应力或最大主应力,采用所述剪切应力或最大主应力表征膜界面残余应力。本公开提供的膜界面残余应力的表征方法,其获得的膜界面的残余应力的准确性高,可进一步用于表征膜结合性能,预判残余应力所致的薄膜界面失效行为。
  • 界面残余应力表征方法

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