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[发明专利]垂直双栅极电路结构-CN201110294528.0有效
发明人：章正欣;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直双栅极电路结构，包含：具有一凹槽的一半导体基板；置于该凹槽表面的一第一绝缘层；置于该凹槽下半部的一底部导体，该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压；置于该凹槽上半部的一顶部导体，该顶部导体连接至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶端表面高于该半导体基板的表面；以及置于该底部导体和该顶部导体间的一第二绝缘层。
垂直栅极电路结构

[发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
发明人：郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
半导体器件

[发明专利]具有栅极切割偏移的集成电路结构-CN202211411125.4在审
发明人： S·耶门尼西奥卢;汪新宁;A·B·加德纳;T·加尼;M·K·哈兰;L·P·古勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述具有栅极切割偏移的集成电路结构和加工具有栅极切割偏移的集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括第一水平纳米线垂直堆。第二水平纳米线垂直堆与第一水平纳米线垂直堆分隔开，并且平行于第一水平纳米线垂直堆。栅极结构包括在所述第一水平纳米线垂直堆之上的第一栅极结构部分、在所述第二水平纳米线垂直堆之上的第二栅极结构以及在所述第一栅极结构部分和所述第二栅极结构部分之间的栅极切割，与所述第一水平纳米线垂直堆相比，所述栅极切割沿侧向更靠近所述第二水平纳米线垂直堆。
具有栅极切割偏移集成电路结构

[发明专利]具有交错的垂直栅极的3D NAND非易失性存储器-CN201510344392.8有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种存储器装置包括数个叠层的导电条、位于数个叠层的导电条上面并正交于数个叠层的导电条的字线、垂直栅极柱以及控制电路。字线电性耦接至垂直栅极柱，用于作为控制这些叠层的导电条中的电流流动的栅极。垂直栅极柱在这些叠层的导电条之间。垂直栅极柱包括电性耦接至第一字线的第一组垂直栅极柱以及电性耦接至第二字线的第二组垂直栅极柱。第一组垂直栅极柱相对于第二组垂直栅极柱交错。控制电路控制字线作为栅极以控制这些叠层的导电条中的电流流动，并控制非易失性存储器操作。
垂直栅极导电条叠层字线非易失性存储器电流流动电性耦接控制电路交错存储器装置控制字字线电正交耦接

[发明专利]垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板-CN202210178507.0在审
发明人：宋尊庆 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种垂直型晶体管、显示像素、垂直型发光晶体管及显示面板，垂直型晶体管包括：源极层、第一有源层、栅极层、第二有源层、漏极层在垂直方向上依次堆叠设置，栅极层包括：第一栅极结构和第二栅极结构，第一有源层、第二有源层均与第一栅极结构形成肖特基接触；第一栅极结构位于垂直堆叠连接区，与源极层在垂直方向上存在第一有源交叠区域，与栅极层在垂直方向上存在第二有源交叠区域，第一栅极结构采用稀疏栅极材料或具有稀疏镂空结构，第一有源交叠区域为第一有源层与源极层和栅极层连接的两个连接面的投影重叠部分，第二有源交叠区域为第二有源层与漏极层和栅极层连接的两个连接面的投影重叠部分；第二栅极结构位于非垂直堆叠连接区。
垂直晶体管显示像素发光面板

[发明专利]双垂直栅极和包括该双垂直栅极的图像传感器-CN202210842775.8在审
发明人：韩东敏;金元赫;罗承柱;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括双垂直栅极。双垂直栅极包括在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上垂直地延伸到衬底中的两个垂直延伸部分，以及将两个垂直延伸部分彼此连接的连接部分。元件隔离层在第一方向上与垂直延伸部分的侧表面相邻设置。两个垂直延伸部分由在第二方向上延伸的分离区域分开，并且分离区域的顶表面低于元件隔离层的顶表面。
垂直栅极包括图像传感器

[发明专利]栅极输出控制方法及相应的栅极脉冲调制器-CN200910211916.0有效
发明人：萧开元;李建锋;郑晓钟;李宗鸿;徐兆庆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极输出控制方法及相应的栅极脉冲调制器，该栅极输出控制方法包括：提供栅极控制信号；提供削角控制信号对栅极控制信号进行削角调制而产生具有削角的栅极控制信号；对具有削角的栅极控制信号进行调制处理而得到调整后的栅极控制信号；以及输出调整后的栅极控制信号至多个栅极驱动集成电路。其中调整后的栅极控制信号的下降缘包括削角变化期及垂直变化期，在削角变化期内，调整后的栅极控制信号先以第一斜率变化至预定电压，再以第二斜率变直至垂直变化期，且调整后的栅极控制信号在垂直变化期内以接近垂直的方式变化电压通过本发明可有效克服现有技术中存在的垂直面亮度不均的缺陷。
栅极输出控制方法相应脉冲调制器

[发明专利]垂直存储器件及方法-CN200680009015.8有效
发明人： J－F·郑;P·卡拉瓦德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：描述了用于一种存储单元的方法和装置，该存储单元包括衬底、从衬底中垂直伸出的主体、包含垂直件和水平件的第一栅极以及包含垂直件和水平件的第二栅极。第一栅极相对主体横向放置，而第二栅极相对第一栅极横向放置。第一栅极的水平件与第二栅极的水平件重叠。
垂直存储器件方法

[发明专利]垂直可重配置场效应晶体管-CN202180075473.6在审
发明人： B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直可重配置场效应晶体管(VRFET)具有衬底和垂直沟道。垂直沟道与顶部硅化物区和顶部硅化物区接触，顶部硅化物区与垂直沟道形成下肖特基结，顶部硅化物区与垂直沟道形成上肖特基结。下栅极堆叠围绕垂直沟道，并且具有包围下肖特基结的下交叠。上栅极堆叠围绕垂直沟道，并且具有包围上肖特基结的上交叠。下栅极堆叠与上栅极堆叠电绝缘。下栅极堆叠可以电控制下肖特基结(S/D)。上栅极堆叠可以电控制上肖特基结(S/D)。对下肖特基结(S/D)的控制独立于对上肖特基结(S/D)的控制，并与之分开。上栅极堆叠被堆叠在下栅极堆叠上方，从而实现减小的器件占用面积。
垂直配置场效应晶体管

[发明专利]用于堆叠式垂直传输场效应晶体管的混合栅极堆叠集成-CN202080027677.8在审
发明人：山下典洪;安藤崇志;O·格鲁申克夫;张辰;渡部宏治 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括：形成一个或多个垂直鳍部，每个垂直鳍部包括为堆叠式VTFET结构的下部垂直传输场效应晶体管(VTFET)提供垂直传输通道的第一半导体层，所述第一半导体层上方的隔离层，以及所述隔离层上方的为所述堆叠式VTFET结构的上部VTFET提供垂直传输通道的第二半导体层。该方法还包括形成第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠包括第一栅极电介质层和和第一栅极导体层，其围绕垂直鳍部的第一半导体层的一部分。该方法还包括形成第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠包括第二栅极电介质层和第二栅极导体层，其围绕垂直鳍部的第二半导体层的一部分。第一栅极导体层和第二栅极导体层是相同的材料。
用于堆叠垂直传输场效应晶体管混合栅极集成

[发明专利]半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法-CN202211465513.0在审
发明人：李建泳;金尚秀;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入第一栅极堆叠结构的下部垂直通道；第二栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠在第一栅极堆叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电层；部分地穿入第二栅极堆叠结构的第一选择线隔离结构；连接到下部垂直通道、同时穿入第二栅极堆叠结构的上部垂直通道；以及在垂直方向上与虚设垂直通道重叠的第二选择线隔离结构，第二选择线隔离结构穿入第二栅极堆叠结构的一部分。
半导体存储器设备制造方法

[发明专利]单元中的有源区上方的栅极触点-CN201980035109.X在审
发明人：理查德·T·舒尔茨 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在各种实施方案中，将栅极金属放置在非平面垂直导电结构上，所述非平面垂直导电结构用于形成非平面器件(晶体管)。栅极触点将栅极金属连接至所述栅极金属上方的栅极延伸金属(GEM)。GEM放置在所述栅极金属上方，并通过一个或多个栅极触点与栅极金属连接。在所述GEM上在有源区上方形成栅极延伸触点。与栅极触点类似，以相比使用自对准触点工艺不太复杂的制造工艺来形成栅极延伸触点。栅极延伸触点将GEM连接至互连层，例如金属零层。栅极延伸触点与所述非平面垂直导电结构中的一者垂直对准。因此，在实施方案中，一个或多个栅极延伸触点位于所述有源区上方。
单元中的有源上方栅极触点

[发明专利]CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法-CN202010831333.4在审
发明人：田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01B7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法，通过同样版图面积的平面型和垂直型栅极的结合，通过平面型测试得到参照CMOS图像传感器转移管的平面型栅极多晶硅有效电学厚度EOT，通过垂直型测试得到待测CMOS图像传感器转移管的垂直栅极结构的电容Cox(VTG)，然后据此计算出待测CMOS图像传感器转移管垂直栅极的等效深度，有效监测垂直栅极深度，可以实现在不破坏硅片的情况下进行在线监测所有CMOS图像传感器的转移管栅极深度，便于及时发现转移管栅极深度异常，有效监测CMOS图像传感器的产品质量。
cmos 图像传感器转移垂直栅极深度检测方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210899819.0在审
发明人：林志昌;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：器件包括衬底、第一栅极结构和第二栅极结构、第一混合鳍和第二混合鳍以及第一侧壁和第二侧壁。第一栅极结构位于第一纳米结构垂直堆叠件上方并且围绕第一纳米结构垂直堆叠件。第二栅极结构位于第二纳米结构垂直堆叠件上方并且围绕第二纳米结构垂直堆叠件。第二栅极结构和第一栅极结构沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此横向分隔开，第二方向基本上垂直于第一方向。第一混合鳍延伸穿过第一栅极结构和第二栅极结构并且位于第一栅极结构和第二栅极结构下面，延伸沿第二方向。第二混合鳍位于第一栅极结构和第二栅极结构之间。第二混合鳍具有：第一侧壁，邻接第一栅极结构；以及第二侧壁，邻接第二栅极结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度-CN201710912237.0有效
发明人：谢瑞龙;山下天孝;程慷果;叶俊呈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度，其中，一种半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底上方的第一垂直晶体管的底部源/漏层，位于该源/漏层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属栅极，该垂直沟道在与该金属栅极之间的接口处相对金属栅极具有固定高度。半导体结构还包括位于该垂直沟道上方的顶部源/漏层，以及至各顶部及底部源/漏层及该栅极的自对准接触。半导体结构可通过以下步骤实现：提供上方具有底部源/漏层的半导体衬底，在底部源/漏层上方形成垂直沟道，形成包覆垂直沟道的伪栅极，以及分别围绕垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度
垂直晶体管替代栅极流程控制对准长度

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