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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法-CN202211465513.0在审
发明人： 李建泳;金尚秀;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法。一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入第一栅极堆叠结构的下部垂直通道；第二栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠在第一栅极堆叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电层；部分地穿入第二栅极堆叠结构的第一选择线隔离结构；连接到下部垂直通道、同时穿入第二栅极堆叠结构的上部垂直通道；以及在垂直方向上与虚设垂直通道重叠的第二选择线隔离结构，第二选择线隔离结构穿入第二栅极堆叠结构的一部分。
半导体存储器设备制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211444041.0在审
发明人： 李建泳;金尙秀;金南局;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供了半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠在基板上的多个导电图案和多个层间绝缘层；多个沟道结构，其在基本垂直于基板的第一方向上延伸以贯穿层叠结构；至少一个第一狭缝，其在与基板基本水平的第二方向上延伸，同时贯穿多个导电图案当中的用于选择线的导电图案；第二狭缝，其在第二方向上延伸，同时贯穿用于选择线的导电图案；以及多个支撑结构，其设置在第二狭缝的底部，多个支撑结构贯穿多个导电图案当中的用于字线的导电图案。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201911069774.9有效
发明人： 李建泳;金兑京 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：半导体存储装置及其制造方法。提供了一种半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置包括：第一基板，该第一基板包括外围电路、连接到所述外围电路的第一导电接触图案以及具有使所述第一导电接触图案暴露的凹槽的第一上绝缘层；第二基板，该第二基板包括存储单元阵列、设置在所述存储单元阵列上的第二上绝缘层以及第二导电接触图案，所述第二上绝缘层形成在所述存储单元阵列和所述第一上绝缘层之间，所述第二导电接触图案穿过所述第二上绝缘层突出到所述凹槽的开口中；以及导电粘合剂图案，该导电粘合剂图案填充所述凹槽，以将所述第二导电接触图案连接到所述第一导电接触图案。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置的制造方法-CN201911120031.X有效
发明人： 李建泳;金兑京 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：半导体存储器装置的制造方法。一种制造半导体存储器装置的方法包括：处理包括第一对准标记和第一结构的第一基板；处理包括第二对准标记和第二结构的第二基板；将第一基板和第二基板定向为使得第一结构和第二结构彼此面对；以及通过使用第一对准标记和第二对准标记控制第一结构和第二结构之间的对准，以将第一结构与第二结构联接。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110913271.6在审
发明人： 李建泳;金南局 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的实施例提供一种混合式存储器和混合式存储器制造方法，其包括在单个衬底上的易失性存储器和非易失性存储器，以提高半导体器件的运行速度并降低制造成本。一种混合式存储器包括：衬底；非易失性存储器，其包括在衬底上的交替叠层，在该交替叠层中多个绝缘层和多个水平字线交替地层叠；以及易失性存储器，其包括电容器，该电容器穿通交替叠层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202110300410.8在审
发明人： 李建泳;金昶汉;尹盛铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道层，其穿过层叠结构；铁电层，其围绕沟道层的侧壁；第一电介质层，其围绕铁电层的侧壁；以及牺牲图案，其插置于第一电介质层和绝缘层之间并且包括比第一电介质层具有更高介电常数的材料。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及该半导体装置的制造方法-CN202110300855.6在审
发明人： 李建泳;金昶汉;尹盛铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括多个导电层以及分别插置在导电层之间的多个间隙；沟道层，其穿过层叠结构；铁电层，其围绕沟道层的侧壁；以及多个第一介电图案，其分别插置在铁电层和导电层之间。间隙在多个第一介电图案之间延伸。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202110465387.8在审
发明人： 李建泳;金东协 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；绝缘柱，其穿过层叠结构；第一沟道图案，其围绕绝缘柱的侧壁；第二沟道图案，其围绕绝缘柱的侧壁；第一绝缘体，其形成在第一沟道图案和第二沟道图案之间；以及存储器层，其围绕第一沟道图案、第二沟道图案和第一绝缘体，所述存储器层具有位于第一沟道图案和第二沟道图案之间的第一开口。
半导体装置制造方法

[发明专利]包含铁电层的三维结构的半导体器件-CN202110011497.7在审
发明人：李在吉;李建泳;刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含铁电层的三维结构的半导体器件。根据本公开实施例的半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括孔图案，该孔图案包括在垂直于衬底的表面的方向上延伸的中心轴线。栅极结构包括沿着中心轴线交替地层叠的栅电极层与层间绝缘层。该半导体器件包括：铁电层，其在孔图案内与栅电极层的侧壁表面相邻地设置；以及沟道层，其在孔图案内与铁电层相邻地设置。在这种情况下，栅电极层和层间绝缘层中的一个相对于栅电极层和层间绝缘层中的另一个朝向孔图案的中心轴线突出。
包含铁电层三维结构半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010782784.3在审
发明人： 李建泳;金藇炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成包括模具层和支撑体层的模具堆叠层；通过刻蚀所述模具堆叠层形成开口；在位于所述开口中的所述支撑体层的暴露表面上选择性地形成支撑体加强层；在形成有所述支撑体加强层的所述开口中形成底电极；通过刻蚀所述支撑体层的一部分形成支撑体开口，以形成支撑所述底电极的外壁的支撑体。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法-CN202010653916.2在审
发明人： 李建泳;金宣荣;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本技术包括半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：堆叠，其包括导电图案和绝缘图案；沟道结构，其穿透该堆叠；以及存储器图案，其在导电图案与沟道结构之间。该存储器图案包括阻挡图案、隧道图案、存储图案和铁电图案。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]竖直存储器件-CN201911280167.7在审
发明人： 李建泳;金宣荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种竖直层叠的3D存储器件，并且该存储器件可以包括：位线，其从衬底竖直地延伸，包括第一竖直部分和第二竖直部分；竖直有源层，其被配置为围绕位线的第一竖直部分和第二竖直部分；字线，其被配置为围绕竖直有源层和位线的第一竖直部分；以及电容器，其与字线在竖直方向上间隔开，并被配置为围绕竖直有源层和位线的第二竖直部分。
竖直存储器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610326845.9有效
发明人：桂祯涉;金载盛;金兑谦;李建泳 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于制造半导体结构的方法，包括：准备半导体衬底，半导体衬底包括存储单元区域和外围电路区域；在存储单元区域中的半导体衬底中形成掩埋字线；在存储单元区域中的半导体衬底之上形成位线结构；在外围电路区域和存储单元区域中形成电介质层；在存储单元区域中的电介质层中形成第一开口；在第一开口中填充硅填充物；在外围电路区域中的电介质层中形成第二开口；在第二开口的侧壁之上形成侧壁间隔物；凹进硅填充物以形成硅插塞，其中，硅插塞填充第一开口的下部；以及在硅插塞的顶表面之上形成第一金属硅化物，以及同时地在第二开口的下部形成第二金属硅化物。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于半导体器件的空运的中子屏蔽包装体-CN201910035377.3在审
发明人： 李建泳;林相俊;金欢喜;金炫佑;文再梵;李相佶 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B65D5/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种被配置为包装半导体器件的中子屏蔽包装体。中子屏蔽包装体通过在半导体器件的空运期间与中子碰撞来减少在半导体器件中引起的电离总剂量TID缺陷。中子屏蔽包装体包括氢和硼。
半导体器件中子屏蔽包装体空运总剂量电离配置

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