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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710596191.6有效
发明人：邓浩;徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成层间介质层；在层间介质层中形成露出基底的开口；在开口底部和侧壁上形成栅介质层；通过原子层沉积工艺进行至少1次膜层形成工艺，在栅介质层上形成含铝功函数层，当膜层形成工艺次数为1次时，膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次，当膜层形成工艺次数大于1次时，至少第1次膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次；在形成有功函数层的开口中形成金属栅极。通过增加含铝前驱体的脉冲次数，特别是第1次膜层形成工艺中的脉冲次数，以增加开口中的铝原子含量，提高铝原子在开口中的沉积能力，从而增加功函数层的铝原子含量，进而改善晶体管的阈值电压翻转问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于蚀刻期间的低K沟槽保护的原子层沉积-CN201910423099.9在审
发明人：大卫·欧米拉;安热利克·雷利;孙兴华;鲁彦天 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及用于蚀刻期间的低K沟槽保护的原子层沉积。使用原子层沉积(ALD)技术将一个或更多个层沉积在硬掩模层和低K电介质沟槽的侧壁上作为沟槽蚀刻工艺的一部分。ALD层可以防止硬掩模在各种硬掩模开口工艺期间被侵蚀。此外，ALD层可以用于防止低K电介质侧壁在低K电介质沟槽蚀刻期间被侧向蚀刻。因此，可以提供对沟槽轮廓的更好控制和更好的临界尺寸控制。
低K电介质原子层沉积硬掩模侧壁蚀刻沟槽蚀刻工艺临界尺寸控制侧向蚀刻沟槽轮廓沟槽蚀刻开口工艺硬掩模层沉积侵蚀

[发明专利]一种原子层沉积二硫化钨软涂层刀具及其制备方法-CN201811331570.3在审
发明人：吴泽;刘磊;邢佑强;黄鹏 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明属于金属切削工具制造技术领域，涉及一种原子层沉积二硫化钨软涂层刀具及其制备方法。该软涂层刀具结构包括基体和表面二硫化钨软涂层，基体材料为硬质合金刀具材料，表面二硫化钨软涂层是通过原子层沉积的方法获得，涂层材料与基体材料存在部分弱化学键结合，涂层与基体材料的结合强度较高。该原子层沉积二硫化钨软涂层刀具是通过基体材料表面酸腐去钴、钨源和硫源原子层沉积等工艺制备而成。该刀具可广泛应用于难加工金属材料的干式切削加工，原子层沉积可克服传统软涂层与基体结合强度薄弱的弊端，显著提高刀具的润滑使用寿命。
原子层沉积二硫化钨软涂层刀具基体材料软涂层制备刀具硬质合金刀具材料难加工金属材料干式切削加工基体材料表面金属切削工具工艺制备弱化学键使用寿命涂层材料硫源钨源应用制造

[发明专利]一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置-CN202111088819.4在审
发明人：王怀超;杨然翔;黄琪兵;罗顺松;岳晓 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置，该方法包括：将外延片主体置于反应室中；通过原子层沉积工艺在所述外延片主体上形成钝化层，所述钝化层至少将所述外延片主体的正、侧面覆盖；通过采用原子层沉积工艺制得的外延片的钝化层，具有优异的台阶覆盖特性，对外延片侧壁的包覆效果佳，能够有效减少器件的漏电现象，另一方面，采用原子层沉积工艺制得的钝化层非常致密，具有很好的物理钝化性能，可有效减少载流子的非辐射复合；同时能更好的隔绝环境中的水
一种外延钝化制备方法发光芯片显示装置

[发明专利]采用循环卷绕式原子层沉积设备提高电池稳定性的方法-CN201810727091.7有效
发明人：陈蓉;刘潇;单斌;曲锴;朱倩倩;李嘉伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明属于新能源材料领域，并公开了采用循环卷绕式原子层沉积设备提高电池稳定性的方法，循环卷绕式原子层沉积设备包括包括加热板、反应喷头组、驱动辊筒和伺服电机，该方法包括以下步骤：(1)将待沉积薄片绕过各驱动辊筒，再用胶布使该待沉积薄片首尾相连形成封闭的环；(2)将待沉积薄片加热到原子层沉积反应所需的温度；(3)反应喷头组对待沉积薄片上被加热的部分进行吹气和喷反应前驱体，在待沉积薄片表面沉积氧化物薄膜。本发明采用原子层沉积技术包覆锂离子电池中的正极、负极和隔膜，解决了锂离子电池正极和负极在充放电过程中的稳定性问题，提高了隔膜的结构强度，防止隔膜破裂导致的电池短路危险，沉积工艺简单，效率高，成本低。
沉积原子层沉积设备卷绕式隔膜电池稳定性负极反应喷头驱动辊筒加热原子层沉积反应原子层沉积技术锂离子电池正极正极沉积氧化物充放电过程反应前驱体稳定性问题新能源材料锂离子电池薄片表面电池短路首尾相连伺服电机加热板胶布包覆吹气绕过薄膜破裂封闭

[实用新型]一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置-CN202222279873.3有效
发明人：赵茂生;雷志佳 -专利权人：厦门韫茂科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置，涉及原子层沉积技术领域。其中，这种定量输气装置，包含用以连通原子层沉积设备的工艺腔室的出气管、分别出气管的至少两个定量进气组件，以及接合于出气管的不定量进气组件。通过定量输气装置，能够有效的控制每次向反应腔室输送的气体的体积，提升工艺的稳定性和沉积层的一致性，减少对阀门反映速度、稳定性的依赖，大大优化了工艺。
一种原子沉积设备定量装置

[发明专利]多组分涂层组成物、其形成方法和半导体工艺腔室部件-CN201710288672.0有效
发明人： D·芬威克;J·Y·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体工艺腔室部件的保护涂层的原子层沉积。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层
组分涂层组成形成方法半导体工艺部件

[发明专利]原子层沉积设备-CN202311036340.5在审
发明人：逄效伟;刘子婵;邵大立;齐彪;史皓然;陆淋康;马敬忠;刘国庆 -专利权人：上海星原驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及一种原子层沉积设备，包括原子层沉积室、载重台以及旋转机构。原子层沉积室包括第一腔室和第二腔室，第一腔室与外界大气连通，第二腔室为真空环境。载重台设置在原子层沉积室内，载重台用于承托晶圆架。即本申请既能够保证ALD沉积工艺中的真空环境，同时还能使得载重台在旋转机构的带动下转动，极大的提升了所沉积薄膜的组分和厚度的均匀性。
原子沉积设备

[发明专利]使用选择沉积工艺制造MOSFET器件的方法-CN200580006136.2有效
发明人：阿卡代依·V·萨莫依洛夫;金以宽;埃罗尔·桑切斯;尼古拉斯·C·达利妲 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供用以沉积含硅材料的方法，例如选择性外延沉积一含有高掺杂剂浓度的硅锗材料的方法。在一实施例中，将一衬底暴露在至少两种不同的工艺气体中以沉积一层在另一层顶部。一种工艺气体含二氯硅烷、一锗源及一蚀刻剂，另一种工艺气体含硅烷及一蚀刻剂。在其它实施例中，一工艺气体包含二氯硅烷、甲基硅烷、及氯化氢，或是含硅烷、甲基硅烷及氯化氢。在一方案中，一沉积层在其晶格中具有间隙位置且在该间隙位置中包含约3原子％或更少量的碳，且后续经过退火以并入至少一部份该间隙位置中的碳。在另一方案中，一硅锗积层具有一分别含有约25原子％或更少、约25原子％或更多及约5原子％的锗的第一、第二及第三层。
使用选择沉积工艺制造 mosfet 器件方法

[发明专利]一种纳米测量仪器校准用标准样板及其制备方法-CN201910877455.4在审
发明人：杨亚威;王琛英;蒋庄德;景蔚萱;林启敬;刘明;张易军;毛琦;王松;张雅馨 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01Q40/02 文献下载
摘要：发明涉及一种纳米测量仪器校准用标准样板及其制备方法，利用原子层沉积工艺在基底表面沉积一层的Al
校准纳米测量仪器标准样板光刻胶去除烘干薄膜原子层沉积工艺原子力显微镜电子束直写薄膜表面基底表面曝光操作曝光图案显影部位校准结构残余的纳米级剩余光显影液一次性后烘显影旋涂沉积制备三维腐蚀图案覆盖

[发明专利]钽的离子诱导原子层沉积-CN201180053148.6无效
发明人：朴桂珍;罗郑硕;维克托·卢 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了用于在晶片衬底上沉积钽层的系统、方法和装置。在一个方案中，可以使用利用钽前体的离子诱导原子层沉积工艺在晶片衬底的表面上沉积钽层。可以在所述钽层上沉积铜。
离子诱导原子沉积

[发明专利]原子层沉积设备-CN201910384724.3在审
发明人：申雄澈;崔圭政;白敏;杨澈勋 -专利权人： NCD株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及不是双重腔室而是具有单一腔室结构并且能够对以多列配置的多张基板实施均匀的薄膜形成工艺的原子层沉积设备，包括：工艺腔室，一侧形成开口部且具有一定的内部空间，从而实施原子层沉积工艺；多个工艺用盒，被装载到所述工艺腔室内部而进行原子层沉积工艺，工艺完成后被卸载到外部；气体供给装置，对装载到所述盒的所有基板，对所述基板的前端部供给气体，以使得各基板之间的空间形成层状流动；排气侧层状流动形成部，使得由所述气体供给装置喷射的工艺气体的层状流动保持到所述基板的后端部；排气装置，吸入所述工艺腔室内部的气体并排气；加热装置，加热所述工艺腔室；以及门，打开和关闭所述开口部。
原子沉积设备

[发明专利]耐高温抗氧化碳纤维的制备方法-CN202210698690.7有效
发明人：李文斌;金鑫鹏;何加浩;张贺;李久刚;刘可帅;刘洋 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： D06M11/79 文献下载
摘要：本发明提供了一种耐高温抗氧化碳纤维的制备方法，包括碳纤维表面处理、原子层沉积抗氧化层以及高温无氧退火的工艺步骤，得到表面沉积耐高温抗氧化薄膜的碳纤维。碳纤维表面的耐高温抗氧化薄膜复合了不同成分，并对其进行结构设计，通过优先沉积硅原子在碳纤维和抗氧化薄膜间形成碳化硅界面层，以化学键增强两者间的结合力；氧化硅层和氧化铝层交替层叠沉积，且氧化铝沉积层数呈周期性变化本发明基于原子层沉积技术，对碳纤维的单纤维进行处理，沉积均匀，显著提升碳纤维的耐高温抗氧化性；且抗氧化薄膜层的厚度在纳米和微米级，保证了碳纤维的柔软性；同时具有工艺简单、易操作、无污染、绿色环保的优点。
耐高温氧化碳纤维制备方法

[发明专利]预沉积处理和原子层沉积（ALD）工艺及其形成的结构-CN201510784312.0有效
发明人：蔡承晏;李达元;李欣怡;蔡明兴;曹学文;张文;洪英杰;林逸宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含金属层执行基于氯的处理。使用原子层沉积(ALD)在第一含金属层和第二含金属层上沉积第三含金属层。
沉积处理原子 ald 工艺及其形成结构

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110249319.8在审
发明人：杨军伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有栅极结构；在栅极结构的侧壁形成侧墙，侧墙包括覆盖栅极结构侧壁的第一侧墙层、覆盖第一侧墙层侧壁的牺牲层、以及覆盖牺牲层侧壁的第二侧墙层，其中，牺牲层通过低温原子层沉积工艺形成，低温原子层沉积工艺的工艺温度小于或等于90℃；去除牺牲层，形成空气间隙，空气间隙用于作为空气隙侧墙。通过低温原子层沉积的方法形成牺牲层，则能够形成类似孔状结构的疏松薄膜，有利于在去除牺牲层的过程中，提高去除的速率，进而提高了牺牲层和侧墙中其他膜层的去除选择比，减少对侧墙中其他膜层的损伤，从而降低去除牺牲层的工艺引起栅极结构损伤问题的概率
半导体结构形成方法