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[发明专利]一种三合一硅片镀膜工艺-CN202010824658.X在审
发明人：王军;张三洋;赵飞 -专利权人：无锡赛瑞达科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种三合一硅片镀膜工艺，涉及晶硅电池制造领域，采用O3+O2+H2O作为混合氧源氧化方式,可以在较低温度下生成氧化层，在Al2O3膜层生长采用原子层沉积技术（ALD）加等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式，成膜既有原子层沉积技术的优良特性又具有等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式的快速特点,在使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式成膜之前,有热SiO2以及原子层沉积技术（ALD）生产的Al2O3保护表面，能够阻挡离子损伤，避免效率损失；Si02、AL2O3、SiNx三种不同特性的膜在同一炉管腔体内完成，减少硅片运输、插片卸片、存储等步骤，膜层界面也没有在空气中暴露污染的风险，成本更低、工艺步骤简单，适用于规模化生产。
一种三合一硅片镀膜工艺

[发明专利]原子层沉积处理提升固态电池用正极循环稳定性的方法-CN201711443504.0在审
发明人：徐志彬;张海昌;石彬;丁飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积处理提升固态电池用正极循环稳定性的方法。本发明属于固态电池技术领域。原子层沉积处理提升固态电池用正极循环稳定性的方法，采用以下两种工艺过程,一是，将正极活性材料、导电剂、粘结剂以及有机溶剂混合，通过球磨或搅拌得到正极浆料，涂覆到正极集流体上，烘干；原子层沉积处理正极电极，在正极电极颗粒空隙及表面沉积过渡层；将聚合物电解质溶液喷涂或涂覆在电极表面，烘干；二是，将正极活性材料、导电剂、粘结剂、聚合物、锂盐以及有机溶剂混合，涂覆到正极集流体上，烘干；原子层沉积处理正极电极，在正极电极颗粒空隙及表面沉积过渡层。
原子层沉积固态电池正极正极电极循环稳定性烘干涂覆正极活性材料正极集流体表面沉积颗粒空隙有机溶剂导电剂过渡层粘结剂聚合物电解质充放电过程电极表面工艺过程溶液喷涂正极浆料聚合物球磨锂盐

[发明专利]一种利用原子层沉积装置制备氟化石墨烯的方法-CN201310056762.9有效
发明人：林时胜;董策舟 -专利权人：杭州格蓝丰纳米科技有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开的利用原子层沉积装置制备氟化石墨烯的方法，主要包括将石墨烯通过转移基底放置在原子层沉积装置的支撑架上，利用玻璃金属转换件内氟化剂的蒸发进入原子层沉积装置的腔体，并使得石墨烯吸附氟原子，实现氟化石墨烯的可控制备该方法工艺流程完全可控，操作简单方便，特别适合于氟化石墨烯的大规模工业化生产，制备的氟化石墨烯在纳米电子器件、润滑材料、大容量锂电池等领域具有广泛的应用前景。
一种利用原子沉积装置制备氟化石墨方法

[发明专利]通过包含无电和供电的阶段的湿式化学沉积而在图案化的电介质上形成金属层-CN200680049489.5有效
发明人： A·普罗伊塞;S·魏纳;M·诺普 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明为通过在原位(in situ)进行无电沉积和电沉积工艺，而可提供高度可靠的金属化作用，其中可克服由用来形成籽晶层的习知化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和物理气相沉积(PVD)技术所遭遇到的关于污染和器件缩放尺寸在一些实施例中，亦根据湿式化学沉积工艺而沉积阻挡层(barrier layer)。
通过包含供电阶段化学沉积图案电介质形成金属

[发明专利]基于Ether CAT极速控制技术的阀控系统-CN202211184983.X在审
发明人：崔海红;陈金良;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Ether CAT极速控制技术的阀控系统，包括上位机、处理器、信号传输模块和原子层沉积阀；所述处理器与所述上位机通信连接；所述处理器用于接收上位机发出的控制信息，并对控制信息进行处理得到控制指令；所述信号传输模块连接所述处理器、所述原子层沉积阀；所述处理器采用Ether CAT极速控制技术将控制指令传输至所述信号传输模块，原子层沉积阀根据信号传输模块接收的控制指令控制原子沉积阀的开闭状态。本发明的阀控系统能适应现在高速阀的性能和ALD工艺要求。
基于 ether cat 控制技术系统

[发明专利]显示器件及其邦定方法-CN201410250396.5有效
发明人：林立;刘雪洲;柳冬冬;刘胜芳;平山秀雄 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：所述显示器件的邦定方法包括：于基板邦定区覆盖各向异性导电膜；原子层沉积并形成原子层沉积层；对覆盖各向异性导电膜的位置进行穿刺；及将邦定件邦定至各向异性导电膜。上述显示器件邦定方法，使用原子层沉积技术对基板进行封装，并将邦定件的邦定工艺过程设定在各向异性导电膜沉积之后，通过对覆盖各向异性导电膜的位置进行穿刺进而实现基板与邦定件之间的邦定。这种邦定方法无需对原子层沉积层进行图形化处理，就可以实现显示器件的有效邦定，简化了显示器件的邦定工艺并降低了生产成本。
显示器件及其方法

[发明专利]原子层沉积装置-CN201310751621.9在审
发明人：吴基荣 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，所述基板位于所述承受器上。
原子沉积装置

[发明专利]原子层沉积装置-CN201310751630.8在审
发明人：吴基荣 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，基板位于所述承受器上。
原子沉积装置

[发明专利]原子层沉积设备-CN201410449141.1在审
发明人：王祥慧 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积设备。一种原子层沉积设备包括：传送室(110)；分别与传送室连通的预清洗室(134)、热处理室(138)、加载闭锁室(140)、以及多个反应室(121、122、123)；与加载闭锁室连通的前端模块(150)；
原子沉积设备

[发明专利]原子层沉积装置-CN201810890088.7在审
发明人：夏洋 -专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置，所述原子层沉积装置包括：第一真空腔、第一样品台、第一真空泵、第二真空泵、第一反应气体源、第二反应气体源以及第一惰性气体源；其中，所述第一样品台设置在所述第一真空腔中；所述第一真空腔包括进气口和出气口本发明提供的原子层沉积装置，通过设置两个真空泵，能够避免两种反应前驱体在同一个真空泵中发生反应而影响真空泵的抽气效率。
真空泵真空腔原子层沉积装置反应气体源进气口惰性气体源管道连接出气口样品台反应前驱体影响真空泵抽气效率

[发明专利]原子层沉积装置-CN201811162434.6在审
发明人：李丙科;陈庆敏 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置，包括安装台、双层加热腔室和气体过滤装置，安装台上滑动设置有双层门体组件，双层门体组件和双层腔室配合，气体过滤装置连通双层加热腔室。本案中的原子层沉积装置能实现硅片热加工以及加工后气体的过滤，全自动完成且一体化程度高。
门板原子层沉积装置第二腔体双层加热双层门体腔室气体过滤装置安装空间第一腔体滑动设置热加工连接调节板一体化程度侧面活动穿设间隔设置驱动气缸双层腔室组件包括安装台调节板加热板加热管连接杆外侧面导杆硅片内壁热管连通过滤铺设体内包围加工配合

[发明专利]原子层沉积装置-CN201310683377.7在审
发明人：全蓥卓;崔鹤永 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积装置，其包括：腔室，在内部形成封闭的反应空间；第一气体吸排单元，对被供应至所述腔室内部的基板，供给或排出第一气体；以及第二气体吸排单元，对所述基板供给第二气体或排出第二气体；所述基板沿着与所述第一气体吸排单元或者所述第二气体吸排单元中的至少一个气体吸排单元的长度方向交叉的方向进行相对移动如上所述，通过一个单元即可完成气体的排出和吸入工作，因此无需另行具备排出或吸入气体的单元，能够改善原子层沉积工艺的生产率。
原子沉积装置

[发明专利]原子层沉积装置-CN201310395120.1在审
发明人：全蓥卓;崔鹤永;申锡润;朴炷泫;咸基热 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明的原子层沉积装置，包括供气管和吸气管，该供气管具备：供给管体，在其内部沿长度方向形成有供给气体的供气流道；排气部，沿供给管体的长度方向形成于供给管体，并与供气流道连通；该吸气管具备：吸入管体，在其内部沿长度方向形成有吸入气体的吸气流道本发明一实施例中的原子层沉积装置，分开形成用于供给源气体或反应气体的供给管和用于吸入除去残留气体的吸气管，从而不仅能够减少气体使用量，减少沉积原子层的基板轨迹，还能够简化实现气体供给及吸入动作的机械结构
原子沉积装置

[发明专利]原子层沉积设备-CN201611043342.7在审
发明人：周友华;庄国胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种原子层沉积设备，包括处理腔室、至少一个分隔和注入器。所述至少一个分隔安置于所述处理腔室中用于将所述处理腔室划分成多个区段。本发明实施例还提供一种半导体工艺。
原子沉积设备

[发明专利]原子层沉积设备-CN202010348312.7在审
发明人：李哲峰;乌磊;聆领安辛 -专利权人：深圳市原速光电科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积设备，原子层沉积设备包括原子层沉积装置及卷料固定装置，其中，原子层沉积装置用于对待沉积的样品进行沉积处理，卷料固定装置用于安装待沉积的样品，以将待沉积的样品传输到原子层沉积装置中或者从原子层沉积装置中收回卷料固定装置包括第一承重座、第二承重座、卷料轴及驱动件，卷料轴具有相对的安装端及驱动端，安装端与第二安全夹头转动连接，驱动端与第一安全夹头转动连接，并与驱动件驱动连接，以使卷料轴用于对缠绕设置于其上的待沉积样品进行卷料处理本发明改进了原子层沉积设备的结构，提升了原子层沉积设备的装配效率，方便组装原子层沉积设备的各零部件，节省了装配所需的时间。
原子沉积设备