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[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN200910140194.4无效
发明人：李昌炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元和相邻的第二存储器单元；以及数据输入/输出电路，其被配置成将第一存储器单元作为m比特单元操作并且将第二存储器单元作为n比特单元操作，其中m不等于存储器单元阵列可以包括与第一存储器单元相邻的第三存储器单元并且数据输入/输出电路可被进一步配置成将第三存储器单元作为k比特单元操作。数据输入/输出电路可被配置成响应于检测到对于第一存储器单元的擦除操作的数目满足预定准则而将第一存储器单元作为j比特单元操作，其中j小于n。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]断电响应-CN201880056009.0在审
发明人： R·博尼茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：操作存储器的方法和配置成执行类似方法的设备包含：获得指示存储于所述存储器的特定存储器单元中的数据值的信息；将额外数据编程到所述特定存储器单元；在将所述额外数据编程到所述特定存储器单元时，确定是否指示所述存储器的断电；以及如果指示所述存储器的断电，那么响应于指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息而选择性地编程一对栅极连接非易失性存储器单元的一个存储器单元。所述对栅极连接非易失性存储器单元的所述一个存储器单元与所述对栅极连接非易失性存储器单元的另一存储器单元的阈值电压的所得组合表示指示存储于所述特定存储器单元中的所述数据值的所述信息。
断电响应

[发明专利]存储装置及其读取操作方法-CN202110590406.X在审
发明人：徐准浩;康淑恩;李度暻;李柱元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供一种存储装置及其读取操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，OTP存储器单元阵列存储参考计数值，第一存储器单元和第二存储器单元分别连接到第一字线和第二字线；控制器，包括生成第一存储器单元的读取命令的处理器；和读取电平生成器，包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；比较器，从OTP存储器单元阵列接收第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并基于阈值电压移位确定第一存储器单元的读取电平。
存储装置及其读取操作方法

[发明专利]针对存储器设备定制编程脉冲期间的电流幅度和持续时间-CN201910148338.4在审
发明人： K·班纳吉;L·刘;S·兰格恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：描述了用于存储器设备的技术。存储器设备可以包括存储器单元的阵列和存储器控制器。存储器控制器可以接收对存储器单元的阵列内的存储器单元进行编程的请求。存储器控制器可以基于存储器单元的存取极性、存储器单元的先前写入周期的数量以及存储器单元与存储器单元的阵列内的字线/位线解码器之间的电气距离来针对编程设定脉冲选择电流幅度和电流幅度的持续时间。存储器控制器可以响应于该请求而启动编程设定脉冲，以对存储器单元的阵列内的存储器单元进行编程。可以在编程设定脉冲期间施加所选择的电流幅度和所选择的电流幅度的持续时间。
存储器单元电流幅度存储器控制器编程存储器设备位线解码器编程脉冲电气距离脉冲期间脉冲选择时间描述写入周期脉冲字线存取施加响应

[发明专利]基于电阻开关存储器的加速器-CN201810929808.6在审
发明人：郑溟随;朴圭煐;张杰 -专利权人：忆锐公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：提供了一种基于电阻开关存储器的加速器，其被配置为连接到包括CPU和系统存储器的主机。电阻开关存储器模块包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个电阻开关存储器单元，并存储从主机卸载的内核。加速器核包括多个处理单元，并且内核由多个处理单元中的目标处理单元执行。MCU管理根据目标处理单元对内核的执行而生成的存储器请求。存储器控制器连接到电阻开关存储器模块，并根据从MCU传递的存储器请求，允许根据存储器请求的数据在电阻开关存储器模块和目标处理单元之间移动。网络集成了加速器核、多个处理单元和存储器控制器。
电阻开关加速器目标处理单元存储器模块存储器请求处理单元存储器单元阵列存储器控制器存储器内核主机存储器单元系统存储器网络集成卸载存储传递移动配置

[发明专利]用于多个存储器阵列存储器空间的写入缓冲器实施方案-CN202010799939.4有效
发明人： G·卡列洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C8/06 文献下载
摘要：本申请涉及用于多个存储器阵列存储器空间的写入缓冲器实施方案。一种存储器装置包括：存储器阵列，其包含可编程为单层级存储器单元SLC的存储器单元和可编程为三层级存储器单元TLC的存储器单元；存储器控制单元，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且包含处理器，所述处理器配置成用SLC数据和TLC数据编程所述存储器单元；以及写入缓冲器，用于缓冲写入到所述存储器阵列的数据，所述写入缓冲器包含SLC数据存储器空间和TLC数据存储器空间，其中所述存储器控制单元配置成当所述TLC数据存储器空间存在溢出时，将TLC数据存储在所述SLC数据存储器空间中。
用于存储器阵列空间写入缓冲器实施方案

[发明专利]存储器装置及其操作方法和存储器系统-CN202211562287.8在审
发明人：赵诚珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供一种存储器装置及其操作方法和存储器系统。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；监测单元阵列，被配置为检测所述多个存储器单元行中的牺牲存储器单元行，并且生成位数据；位数据解码器，被配置为：接收位数据，并且基于位数据，生成包括关于牺牲存储器单元行的地址信息的牺牲存储器地址；以及刷新管理器，被配置为基于牺牲存储器地址对牺牲存储器单元行执行刷新操作。
存储器装置及其操作方法系统

[发明专利]存储器装置-CN200510104053.9无效
发明人：佐藤知稔 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：第1存储器芯片(10a～10d)具有作为用来存储数据的存储单元的存储器单元，但不具有作为用来补救存储单元的错误位的冗余存储单元的冗余存储器单元。进一步，只具有最低限度的逻辑器，以便利用第2存储器芯片的控制逻辑器进行工作。第2存储器芯片(20)既具有进行存储器单元和冗余存储器单元等存储器控制的控制逻辑器，也具有用来补救第1存储器芯片(10a～10d)的错误位的冗余存储器单元。存储器装置1将第1存储器芯片和第2存储器芯片层叠而构成。
存储器装置

[发明专利]配置成减轻读取和写入操作错误的非易失性存储器系统-CN202310343389.9在审
发明人：索恩克·奥斯特顿 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种用于存储器系统的系统和方法。存储器装置包括非易失性存储器单元阵列。存储器控制器连接到所述非易失性存储器单元阵列。所述存储器控制器被配置成执行以下步骤：接收读取存储器标记的值的请求，其中所述存储器标记包括存储于所述非易失性存储器单元阵列的第一存储器单元和第二存储器单元中的2位值；读取所述第一存储器单元的第一值；读取所述第二存储器单元的第二值；以及基于所述第一值和所述第二值确定所述存储器标记的所述值。在实施例中，所述存储器标记可超过2位。
配置减轻读取写入操作错误非易失性存储器系统

[发明专利]具有多电平、单次写入存储器单元的可重写存储器件-CN201080056716.3无效
发明人： R.E.舒尔莱恩;L.法索里 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：在此描述的实施例涉及具有多电平、单次写入存储器单元的存储器件。在一个实施例中，存储器件具有存储器阵列，其包括多个多电平单次写入存储器单元，其中，每个存储器单元可编程到多个电阻率等级之一。该存储器件还包括被配置以从存储器阵列选择一组存储器单元并读取与该组存储器单元相关的一组标记位的电路。该组标记位指示该组存储器单元已经被写入的次数。该电路还被配置以为选择适合于该组存储器单元已经被写入的次数的阈值读取电平，并且对该组中的每个存储器单元，基于所选择的阈值读取电平，读取该存储器单元作为未编程的单个位的存储器单元或作为已编程的单个位的存储器单元
具有电平写入存储器单元重写存储器件

[发明专利]存储器单元的多态编程-CN202080091411.X在审
发明人：杰里米·M·赫斯特;S·K·贾因;H·A·卡斯特罗;R·K·道奇;W·A·梅尔顿 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于存储器单元的多态编程的设备、方法和系统。实施例包含：存储器，其具有多个存储器单元；和电路，其配置成通过以下操作将所述多个存储器单元中的存储器单元编程为多个可能的数据状态中的一者：将电压脉冲施加到所述存储器单元；确定所述存储器单元响应于施加的电压脉冲而突返；在确定所述存储器单元突返后，关断到所述存储器单元的电流；及在关断到所述存储器单元的所述电流之后，将多个额外电压脉冲施加到所述存储器单元。
存储器单元编程

[发明专利]深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器单元的超精确调谐-CN202080097429.0在审
发明人： S·莱姆克;H·V·特兰;Y·卡其夫;L·施奈德;H·奥姆曼尼;T·乌;N·多;V·蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：对神经存储器中的选定存储器单元进行超精确调谐。首先使用粗略编程和精细编程方法对选定存储器单元进行编程。然后，选定存储器单元通过相邻存储器单元的编程经历超精确编程。由于相邻存储器单元被编程，相邻存储器单元的浮栅与选定存储器单元的浮栅之间的电容耦合将导致选定存储器单元的浮栅的电压增加，但是比通过对选定存储器单元进行直接编程可以实现的增量小。以此方式，可以利用超精确刻度对选定存储器单元进行编程。
深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器单元精确调谐

[发明专利]动态调整编程目标电压的装置和方法-CN202310252566.2在审
发明人：阿密特·伯曼;加里·狐狸;叶夫根尼·布莱克曼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：提供了一种存储设备。该存储设备包括：非易失性存储器；以及至少一个处理器，该至少一个处理器被配置为：获得要存储在非易失性存储器的多个存储器单元中的目标存储器单元中的输入符号；获得多个存储器单元的单元特征；基于输入符号和多个存储器单元的单元特征来确定目标存储器单元的目标电压；并且向目标存储器单元提供该目标电压。
动态调整编程目标电压装置方法

[发明专利]共享的易失和非易失存储器-CN03136045.9无效
发明人： M·沙马;F·佩尔纳 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供存储器备份系统的设备和方法。存储器备份系统包括第一存储器单元[310]，和与该单元接口的非易失存储器单元[320]。控制电路允许数据被写入第一存储器单元[310]或非易失存储器单元[320]，和提供数据从第一存储器单元[310]和非易失存储器单元[320]中的一个向第一存储器单元[310]和非易失存储器单元[320]
共享失和非易失存储器

[发明专利]存储器单元失效检测方法与系统-CN201511030997.6有效
发明人：刘奕宏;杨春晖;黄晓昆;陈华军;罗银;张宝林;王剑亮;陈立明 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所;南方电网科学研究院有限责任公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器单元失效检测方法与系统，将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容，将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容，检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容修改，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明存储器单元正常整个过程，能够检测可能发生的存储器单元转换故障以及对周边存储器单元数据操作引发的单个存储器单元的耦合故障，能够准确检测存储器单元是否失效。
存储器单元失效检测方法系统