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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]耦合到存储器阵列的解码电路-CN201880056011.8有效
发明人： R·K·道奇;T·C·兰特里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在实例中，一种设备包含：存储器阵列，其与半导体分开；触发装置，其与所述半导体分开且耦合到所述存储器阵列中的存取线；选择装置，其与所述半导体分开且耦合到所述触发装置及所述存取线；及解码电路，其在与半导体分开的第二区域中。所述解码电路耦合到所述存储器阵列中的存取线。
耦合存储器阵列解码电路

[发明专利]使用非对称电流脉冲来对存储器单元进行编程-CN202180050139.5在审
发明人： M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;R·K·道奇 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于使用非对称电流脉冲来对存储器单元进行编程的设备及方法。实施例包含具有多个自选择存储器单元的存储器，及经配置以通过将第一电流脉冲或第二电流脉冲施加到所述存储器的自选择存储器单元来对所述自选择存储器单元进行编程的电路系统，其中所述第一电流脉冲被施加比所述第二电流脉冲更长的时间量，且所述第一电流脉冲具有比所述第二电流脉冲更低的幅值。
使用对称电流脉冲存储器单元进行编程

[发明专利]存储器单元的三态编程-CN202080090601.X在审
发明人： H·A·卡斯特罗;J·M·赫斯特;S·K·贾因;R·K·道奇;W·A·梅尔顿 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于存储器单元的三态编程的装置、方法和系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器和电路系统，所述电路系统配置成通过以下操作将所述多个存储器单元中的存储器单元编程为三个可能的数据状态中的一者：将电压脉冲施加到所述存储器单元；确定所述存储器单元是否响应于所述所施加电压脉冲而突返；及基于对所述存储器单元是否突返的确定而将额外电压脉冲施加到所述存储器单元。
存储器单元三态编程

[发明专利]存储器单元的多态编程-CN202080091411.X在审
发明人：杰里米·M·赫斯特;S·K·贾因;H·A·卡斯特罗;R·K·道奇;W·A·梅尔顿 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于存储器单元的多态编程的设备、方法和系统。实施例包含：存储器，其具有多个存储器单元；和电路，其配置成通过以下操作将所述多个存储器单元中的存储器单元编程为多个可能的数据状态中的一者：将电压脉冲施加到所述存储器单元；确定所述存储器单元响应于施加的电压脉冲而突返；在确定所述存储器单元突返后，关断到所述存储器单元的电流；及在关断到所述存储器单元的所述电流之后，将多个额外电压脉冲施加到所述存储器单元。
存储器单元编程

[发明专利]存储器装置的自适应写入操作-CN202080059703.5在审
发明人： M·博尼亚蒂;R·K·道奇;I·托尔托雷利;M·罗布斯泰利;M·阿莱格拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明描述用于存储器装置的自适应写入操作的方法、系统及装置。在实例中，所述技术可包含：识别对存储器阵列执行的存取操作的数量；基于存取操作的所述经识别数量修改写入操作的一或多个参数；及通过根据所述一或多个经修改参数执行所述写入操作而将逻辑状态写入到所述存储器阵列。在一些实例中，所述存储器阵列可包含与例如硫族化物材料的可配置材料元件相关联的存储器单元，所述可配置材料元件基于所述材料元件的材料性质存储逻辑状态。在一些实例中，所述技术可至少部分补偿归因于随着时间的老化或其它降级或改变(例如，归因于经积累存取操作)的存储器材料性质的改变。
存储器装置自适应写入操作

[发明专利]重置相变存储器位-CN201080062218.X有效
发明人： R·K·道奇;T·兰特里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-09-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：在确定重置脉冲已经达到其编程阈值电压电平之后，可以进行较低的电压检验。这之后可以进行另一个编程步骤，以增大编程阈值电压。通过避免在所述单元已经达到其期望的阈值电平之后，对于后续检验的需要，在一些实施例中可以减少读取干扰。在一些实施例中，通过使用较低电压，不需要将较高的偏置电压施加到取消选择的单元，其中将较高的偏置电压施加到取消选择的单元可以导致电流泄漏。
重置相变存储器

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