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[发明专利]具有纠错的半导体存储器设备及操作其的方法-CN201710781368.X有效
发明人：柳睿信;朴钟旭;姜鈗亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种操作包括存储器单元阵列和纠错码(ECC)引擎的半导体存储器设备的方法，其中存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且ECC引擎被配置为对存储器单元阵列的数据执行纠错操作，该方法可以包括将映射信息存储在非易失性储存器中，所述映射信息指示当第一单位的存储器单元包括超出ECC引擎的纠错能力的许多故障单元时，用来与故障单元的一部分交换的正常单元的物理地址。可以基于逻辑地址访问存储器单元的第一单位的存储器单元。该方法可以包括基于映射信息选择性地对存储器单元阵列执行存储器操作。
具有纠错半导体存储器设备操作方法

[发明专利]用于BTI效应的存储器单元筛选-CN201780008220.0有效
发明人： C·郑;F·阿迈德;S·S·尹;K·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种存储器以及用于操作该存储器的方法。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。控制电路被配置成将工作电压提供给诸存储器单元和该字线驱动器。电压调整电路被配置成在控制电路将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器期间调整提供给诸存储器单元的工作电压。该方法包括将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至该至少一个存储器单元的字线，以及在将工作电压提供给该至少一个存储器单元和字线期间调整提供给该至少一个存储器单元的工作电压。
存储器单元工作电压提供字线驱动器存储器字线工作电压控制电路耦合配置电压调整电路输出字筛选

[发明专利]存储器访问控制-CN201480021912.5有效
发明人：迈克尔·安德鲁·坎贝尔 -专利权人： ARM有限公司;安谋科技（中国）有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：用于控制对包括彼此并列布置的多个存储器单元的存储器的访问的存储器访问电路。该存储器访问电路包括：两个访问单元，各自被配置为响应于接收到的存储器访问请求选择多个存储器单元中的一个存储器单元，并且控制和追踪对所选择的存储器单元的后续访问，多个存储器单元包括至少三个存储器单元；仲裁电路，被配置为从系统接收存储器访问请求并且选择存储器访问请求并将存储器访问请求转发到两个访问单元中的一个访问单元，仲裁电路被配置为将对于访问一个存储器单元的多个存储器访问请求转发到两个访问单元中的第一访问单元，并且将对于访问另一存储器单元的多个存储器访问请求引导到两个访问单元中的第二访问单元，并且随后将对于访问又一存储器单元的多个存储器访问请求引导到第一访问单元或第二访问单元中的一个访问单元。两个访问单元包括：存储电路，该存储电路在将请求传送到相应存储器单元之前将请求存储在队列中；以及追踪电路，该追踪电路追踪被发送到相应存储器单元的请求并且确定何时从队列传送后续请求。
存储器访问控制

[发明专利]存储器系统-CN202010622023.1在审
发明人：文敏焕;罗充彦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统。该存储器系统包括：存储介质，包括具有多个存储器单元的目标存储器区域；以及控制器，被配置为：当由于突然断电而执行存储器转储操作时，将数据存储到一个或多个目标存储器单元中，估计该一个或多个目标存储器单元中的每一个比多个存储器单元之中的任意其他存储器单元花费更少的时间来执行写入操作
存储器系统

[发明专利]存储器系统以及用于编程和读取数据的计算机实现的方法-CN202210206044.4在审
发明人：阿密特·伯曼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了存储器系统以及用于编程和读取数据的计算机实现的方法。所述存储器系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置包括多个存储器单元。存储器控制器被配置为：针对存储器单元的多个电平使用单元电平分配来管理存储器装置，确定与存储器装置的将要被访问的原始数据相关联的所述多个电平中的每个电平的单元计数，从单元计数预测错误率，并且基于错误率选择性地调整单元电平分配
存储器系统以及用于编程读取数据计算机实现方法

[发明专利]多重状态存储器元件及其存储状态值的调整方法-CN201810970278.X有效
发明人：林榆瑄;林昱佑;李峰旻;王超鸿;曾柏皓;许凯捷 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种多重状态存储器元件包括：第一存储器单元、第二存储器单元、第一控制单元以及第二控制单元。第二存储器单元具有与第一存储器单元实质相同的存储单元结构，并与第一存储器单元串接。第一控制单元与第一存储器单元串联或并联。第二控制单元，具有与第一控制单元相同的特征值以及相同连接结构，用以与第二存储器单元电性连接。当第一存储器单元经由第一控制单元接收第一信号和第二信号时，第一存储器单元分别产生第一状态值和第二状态值；其中特征值介于第一状态值第二状态值之间。
多重状态存储器元件及其存储调整方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法以及存储装置-CN202010788417.4在审
发明人：崔容赫;柳载德;李康斌;沈相元;任琫淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器装置、存储装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置的各个存储器块包括柱的第一部分的第一存储器单元和柱的第二部分的第二存储器单元。当在从存储器块选择的存储器块处基于连续地址执行编程操作时，非易失性存储器装置顺序地完成第一存储器单元和第二存储器单元当中不与第一部分和第二部分的边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作，然后完成与边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作
非易失性存储器装置及其操作方法以及存储

[发明专利]包括减少穿通泄漏的非挥发性存储器单元的集成电路-CN201210043400.1有效
发明人：张力禾;蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括减少穿通泄漏的非挥发性存储器单元的集成电路，每一存储器单元具有漏极、源极、通道、以及上覆于电荷储存材料及通道的控制栅极。第一存储器单元的源极耦接至第二存储器单元的漏极。将一电压施加于第一存储器单元的漏极，且将第二存储器单元的源极接地。此方法包含浮动第二存储器单元的漏极及第一存储器单元的源极，并接通第一及第二存储器单元的通道，从而有效形成一扩展通道区域。将热载流子注入至第一单元的电荷储存材料以写入第一存储器单元。扩展通道降低电场并减少未选定存储器单元中的穿通泄漏。
包括减少泄漏挥发性存储器单元集成电路

[发明专利]用于补偿电阻存储器设备的劣化的方法和系统-CN201910374387.X在审
发明人：白承柔;朱汉城;金起圣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器控制器可以控制包括存储器单元的电阻存储器设备，可以控制电阻存储器设备将存储器单元编程为第一电阻状态，控制电阻存储器设备从被编程的存储器单元读取数据、从电阻存储器设备接收在读取操作中发生的存储器单元的误码率(BER)，可以确定对与BER相对应的存储器单元进行的编程操作的次数，并且可以基于所确定的编程操作的次数，通过使用具有高于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流来控制将存储器单元编程为第一电阻状态，该最小写入电流是将存储器单元改变为第一电阻状态所必需的。
用于补偿电阻存储器设备方法系统

[发明专利]存储器控制器及其操作方法-CN202210323068.8在审
发明人：李东旭;梁海昌;李宪昱 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开提供存储器控制器及其操作方法，该存储器控制器包括：状态检测器，其检测存储器设备是否处于空闲状态中；编程控制器，其基于指示存储器设备的状态的检测信息来选择与耦合到存储器单元之中的对其执行编程操作或读取操作的存储器单元的串邻近的相邻串，选择耦合到至少一个字线的监控存储器单元，监控存储器单元是相邻串的一部分，并且控制存储器设备执行多个循环以对监控存储器单元进行编程；以及坏块选择器，其基于监控存储器单元的阈值电压分布的增加速率来选择具有监控存储器单元的存储器块作为坏块
存储器控制器及其操作方法

[发明专利]用于快速数据销毁的设备和方法-CN202011588280.4在审
发明人：张正宜;许丹;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：具有包括多个主存储器单元和多个虚设存储器单元的串联连接的存储器单元串的设备可具有控制器，所述控制器经配置以致使所述设备将第一编程脉冲施加到所述多个虚设存储器单元中的特定虚设存储器单元，所述第一编程脉冲足以将所述特定虚设存储器单元的阈值电压增加到足以致使所述特定虚设存储器单元在对所述串联连接的存储器单元串的读取操作期间保持去活的电压电平，且将第二编程脉冲同时施加到所述多个主存储器单元中的每一主存储器单元，所述第二编程脉冲足以增加所述多个主存储器单元的至少一部分的阈值电压。
用于快速数据销毁设备方法

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202110873506.3在审
发明人：罗充彦;权良玹 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储装置及其操作方法。一种存储装置包括：存储器装置，包括被配置为存储数据的多个存储器单元以及连接到多个存储器单元的多个字线；以及存储器控制器，与存储器装置通信并且控制存储器装置，包括控制存储器装置：对一组存储器单元执行读取操作；在对存储器单元的读取操作失败时，通过基于历史读取表改变读取电压来执行读取重试操作，并且其中存储器控制器进一步被配置为在读取重试操作成功时，基于连接到存储器单元的字线是否为连接到该组存储器单元的字线之中的
存储装置及其操作方法

[发明专利]存储器单元的三态编程-CN202080090601.X在审
发明人： H·A·卡斯特罗;J·M·赫斯特;S·K·贾因;R·K·道奇;W·A·梅尔顿 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于存储器单元的三态编程的装置、方法和系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器和电路系统，所述电路系统配置成通过以下操作将所述多个存储器单元中的存储器单元编程为三个可能的数据状态中的一者：将电压脉冲施加到所述存储器单元；确定所述存储器单元是否响应于所述所施加电压脉冲而突返；及基于对所述存储器单元是否突返的确定而将额外电压脉冲施加到所述存储器单元。
存储器单元三态编程

[发明专利]具有类似RAM和ROM单元的半导体存储器-CN201310150378.5有效
发明人：丹·克里斯蒂安·劳恩·延森 -专利权人： GN瑞声达A/S
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有类似RAM和ROM单元的半导体存储器。一种半导体存储器，包括：易失性存储器单元的阵列，其中易失性存储器单元中的一个具有连接在第一存储器单元电路中的晶体管；以及具有连接在第二存储器单元电路中的晶体管的至少一个非易失性存储器单元，其中第一存储器单元电路中的晶体管比第二存储器单元电路中的晶体管至少多一个
具有类似 ram rom 单元半导体存储器

[发明专利]用于减少穿通泄漏的存储器单元与阵列操作方法-CN200810170461.8有效
发明人：张力禾;蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种用于写入存储器阵列中的第一存储器单元的方法。在特定实施例中，每一存储器单元具有漏极、源极、通道、以及上覆于电荷储存材料及通道的控制栅极。第一存储器单元的源极耦接至第二存储器单元的漏极。将一电压施加于第一存储器单元的漏极，且将第二存储器单元的源极接地。此方法包含浮动第二存储器单元的漏极及第一存储器单元的源极，并接通第一及第二存储器单元的通道，从而有效形成一扩展通道区域。将热载流子注入至第一单元的电荷储存材料以写入第一存储器单元。扩展通道降低电场并减少未选定存储器单元中的穿通泄漏。
用于减少泄漏存储器单元阵列操作方法

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