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[发明专利]三维存储器器件-CN201010110949.9无效
发明人：沈善一;金汉洙;张在焄;郑载勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该三维半导体器件包括半导体衬底、以矩阵形式布置在该半导体衬底上的垂直沟道结构、设置在该半导体衬底处与该垂直沟道结构直接接触的P型半导体层以及设置在该垂直沟道结构之间的半导体衬底处的公共源极线。该公共源极线可以与该P型半导体层相接触。
三维存储器器件

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202110793576.8在审
发明人：藤井干;久保田浩史;相宗史记 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制将衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部，所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部，所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。
半导体制造装置方法

[发明专利]一种衬底处理方法-CN202010624195.2在审
发明人：杨国文;赵勇明;张雨;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种衬底处理方法，所述衬底处理方法包括：提供半导体衬底置于反应室中；通入保护气体，在第一预设温度下，对所述半导体衬底进行烘烤；通入刻蚀气体，刻蚀所述半导体衬底表面的氧化层；停止通入所述刻蚀气体本申请实现了有效去除衬底表面的氧化层及杂质。
一种衬底处理方法

[发明专利]形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统-CN200980153949.2有效
发明人：周辉星;王志坚;林建福;阿穆兰·赛恩;林少雄 -专利权人：豪锐恩科技私人有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种用于制造倒装芯片半导体封装的方法，该方法包括处理半导体器件(例如半导体芯片)以及处理器件载体(例如衬底)。半导体器件包括在其表面上形成的凸块结构。衬底包括在其表面上形成的焊接焊盘。半导体芯片被加热至芯片处理温度。芯片处理温度使凸块结构上的焊料部分熔化。衬底被加热至衬底处理温度，其中，所述衬底处理温度可以不同于芯片处理温度。半导体芯片在空间上关于衬底进行对准，从而相应地使凸块结构关于焊接焊盘进行对准。半导体芯片朝向衬底移动，从而使凸块结构邻接焊接焊盘，从而在它们之间形成焊接。还公开了执行上述方法的系统。
形成倒装芯片互连原位熔化回流处理及其系统

[发明专利]半导体器件及其形成方法、半导体封装件-CN201710318982.2有效
发明人： G·朗古斯;A·B·伊勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体器件包括布置在半导体衬底中的晶体管的有源器件。隔离层布置在半导体衬底处，多晶硅衬底层布置在隔离层和半导体衬底上方。多晶硅衬底层包括晶体管的接口保护电路的半导体器件区域。
半导体器件及其形成方法半导体封装

[发明专利]半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法-CN03119636.5有效
发明人：中尾隆;宫崎邦浩 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种需要时可以只供给需要量衬底处理方面直接地或间接地使用的液体、气体或固体等物质，能够实现供给设备或输送设备小型化的半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法。半导体制造装置1和半导体制造系统具备缓冲部件4。缓冲部件4是暂时性贮存由外部供给源20供给的，衬底处理方面需要的物质，并可将该贮存的物质供给处理室2。
半导体制造装置系统衬底处理方法

[发明专利]衬底处理设备-CN200510113420.1无效
发明人：青木秀充;铃木达也;清水裕司 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-08 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理设备，其在抗蚀剂去除、清洗等方面提供高的处理效果。衬底处理设备包括：衬底安装台，其旋转保持其上的半导体衬底；第一容器，其储存要被提供到半导体衬底表面的第一液体；第二容器，其储存要被提供到半导体衬底表面的第二液体；连接第一容器和第二容器的混合单元，以便混合从第一和第二容器提供的第一液体和第二液体，由此提供混合溶液；和连接混合单元的喷嘴，以便将混合溶液提供到半导体衬底的表面。
衬底处理设备

[发明专利]衬底处理系统的机械手臂的自动清洁-CN202080092155.6在审
发明人：侯赛因·萨迪吉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种系统包括多个入口，所述入口被配置为将气体分配到衬底处理系统的外壳中。外壳与衬底处理系统的处理半导体衬底的处理室分开。该系统包括控制器，该控制器被配置成将用于在衬底处理系统的处理室之间传送半导体衬底的机械手臂移动到外壳中。控制器被配置为响应于机械手臂被移动到衬底处理系统的外壳中而通过一个或多个入口将气体分配到外壳中。
衬底处理系统机械手臂自动清洁

[发明专利]衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法-CN201410432238.1有效
发明人：山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法，本发明提供能够抑制副产物的发生并能够提高衬底的面内均匀性的衬底处理装置、衬底处理方法及半导体制造装置的制造方法。所述衬底处理装置具有处理衬底的处理室；气体供给部，具有在所述处理室内将处理衬底的处理气体分别独立地供给到所述衬底的中心部和所述衬底的周缘部的气体供给孔；对所述处理室内进行排气的排气部；和控制部，以将从所述气体供给部供给的处理气体供给到所述衬底的周缘部之后、再供给到所述衬底中心部的方式控制所述气体供给部。
衬底处理装置方法半导体器件制造

[发明专利]一种在半导体处理装置中动态调节喷头倾斜的致动器-CN201611224666.0有效
发明人：约翰·威尔特斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体处理装置中动态调节喷头倾斜的致动器。本文公开提供了一种喷头模块调节机构，其支撑在半导体衬底处理装置中的所述顶板中的喷头模块，所述喷头模块调节机构能动态地操作以在半导体衬底处理装置中相对于衬底基座模块的与所述面板邻近的上表面调节所述喷头模块的面板的平坦化
一种半导体处理装置动态调节喷头倾斜致动器

[发明专利]喷头倾斜机构-CN202210526003.3在审
发明人：罗彬;蒂莫西·斯科特·托马斯;达明·斯莱文;大卫·坎普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种喷头倾斜调节机构，其在半导体衬底处理装置的顶板中支撑喷头模块，该喷头倾斜调节机构包括差动螺丝，该差动螺丝提供粗调和微调，以调节喷头模块的面板的相对于与半导体衬底处理装置中的面板相邻的衬底基座模块的上表面的间隙
喷头倾斜机构

[发明专利]喷头倾斜机构-CN201880050579.9有效
发明人：罗彬;蒂莫西·斯科特·托马斯;达明·斯莱文;大卫·坎普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种喷头倾斜调节机构，其在半导体衬底处理装置的顶板中支撑喷头模块，该喷头倾斜调节机构包括差动螺丝，该差动螺丝提供粗调和微调，以调节喷头模块的面板的相对于与半导体衬底处理装置中的面板相邻的衬底基座模块的上表面的间隙
喷头倾斜机构

[发明专利]半导体器件的制造装置和制造系统-CN02800931.2无效
发明人：宮崎邦浩 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-26 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体器件的制造装置(13)，包括投入部(13－1)、处理部和运出部(13－2)。投入部(13－1)接受保持了半导体衬底的运送箱的投入。处理部取入已被投入到投入部(13－1)中的半导体衬底并进行半导体衬底的处理。运出部(13－2)被配置在与投入部(13－1)不同的面上，运出保持从半导体衬底处理部排出的半导体衬底的运送箱。
半导体器件制造装置系统

[发明专利]半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件-CN201110309216.2有效
发明人：山本克彦;竹林雄二;斋藤达之;奥野正久 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本公开的一些实施方式提供了半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件。一种半导体器件制造方法，包括：将衬底加载到处理室中，在该衬底上形成了高k膜；通过在衬底上辐射微波而加热高k膜；以及从处理室卸载该衬底。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[外观设计]用于半导体衬底处理系统的可移动边缘环-CN202230671078.1有效
发明人：克里斯托弗·金博尔;达雷尔·欧利希;约翰尼·彭 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于半导体衬底处理系统的可移动边缘环。2.本外观设计产品的用途：用于半导体衬底处理系统。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状、图案及其结合。
用于半导体衬底处理系统移动边缘

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