专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]NAND闪存器件、高压运算晶体管及其制作方法-CN202311219258.6在审
  • 金汉洙;高伟;申女 - 联和存储科技(江苏)有限公司
  • 2023-09-21 - 2023-10-27 - H01L21/336
  • 本发明涉及闪存技术领域,具体公开了一种NAND闪存器件、高压运算晶体管及其制作方法,包括:提供半导体基板;在半导体基板上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层背离半导体基板的表面形成栅极电极;在栅极绝缘层朝向半导体基板的表面形成第一掺杂浓度的第一源漏区域;去除部分栅极绝缘层,并在第一源漏区域内且与栅极绝缘层的去除部分对应的位置处形成第二掺杂浓度的第二源漏区域,去除部分栅极绝缘层和形成第二掺杂浓度的第二源漏区域基于同一图形掩膜实现;在栅极电极和第二源漏区域位置均形成金属连接部;在金属连接部的表面形成金属层。本发明提供的高压运算晶体管的制作方法能够降低成本的同时提升NAND闪存器件的集成度。
  • nand闪存器件高压运算晶体管及其制作方法
  • [发明专利]非易失性存储器件及其制备方法-CN202311113059.7在审
  • 文才煥;朴鍾旻;金汉洙;高伟;申女 - 联和存储科技(江苏)有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-20 - H10B41/35
  • 本申请提供一种非易失性存储器件及其制备方法,其中制备方法包括:在部分衬底上形成第一栅氧化层;在其余衬底上形成第二栅氧化层;形成浮栅多晶硅层;形成介质层;形成控制栅多晶硅层;在衬底中形成重掺杂区;在部分浮栅多晶硅层上表面形成台阶;形成层间绝缘层;形成第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞。本申请通过在浮栅多晶硅层底部形成由第一栅氧化层和第二栅氧化层构成的组合氧化层结构,可以在形成接触孔时有效缓解刻蚀对浮栅多晶硅层底部的组合氧化层的损伤,改善了器件的电性能;此外,本申请形成并联的第一电容器、第二电容器和第三电容器,并且将第三电容器中的第二栅氧化层的厚度减薄,最大限度地增加了器件电容器的静电容量。
  • 非易失性存储器及其制备方法
  • [发明专利]显示装置-CN201810478981.9有效
  • 权善子;郭源奎;金东煜;金汉洙;申爱 - 三星显示有限公司
  • 2018-05-18 - 2023-09-01 - H10K59/131
  • 提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一基底,具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域;发光元件,位于显示区域中并包括像素电极、共电极以及位于像素电极与共电极之间的发射构件;共电压传输线,位于非显示区域中并电连接到共电极;第二基底,与第一基底相对;密封件,在第一基底与第二基底之间位于非显示区域中,密封件围绕显示区域,其中,共电压传输线包括与密封件叠置的第一部分和位于密封件与显示区域之间的第二部分,其中,第二部分具有至少一个开口或切除部。
  • 显示装置
  • [发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN201811382025.7有效
  • 李琦;杨川;高晶;霍宗亮;金汉洙 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-11-20 - 2023-08-22 - H10B43/40
  • 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该存储器件包括:半导体衬底;源极,位于半导体衬底中;栅叠层结构,位于半导体衬底上,包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构,并与半导体衬底电相连;以及导电通道,贯穿栅叠层结构,将位于半导体衬底中的源极引出形成公共源极线,导电通道包括:导电层,至少部分位于半导体衬底上;氧化层,至少部分位于导电层上;以及多个导电柱,贯穿氧化层并与导电层接触,其中,多个导电柱的延伸方向与导电通道的延伸方向相同。该3D存储器件不仅采用氧化层中和了应力,而且采用导电柱与导电层结合的方式减小了电阻。
  • 存储器件及其制造方法
  • [发明专利]3D NAND闪存器件及其制作方法-CN202310637072.6在审
  • 金汉洙;文才煥;高伟;申女 - 联和存储科技(江苏)有限公司
  • 2023-06-01 - 2023-08-01 - H10B43/35
  • 本申请涉及半导体存储器件技术领域,具体涉及3D NAND闪存器件及其制作方法。其中,所述制作方法包括:先提供半导体衬底层,在半导体衬底层上形成单元隔离结构、沟道结构和源极引出空间,单元隔离结构为堆叠结构包括单元隔离层、存储单元占据空间。再依次沉积第一介质层和第二介质层,第一介质层至少覆盖在单元隔离结构外露的表面。再刻蚀第二介质层,去除位于侧面上全部的第二介质层,去除位于第二表面上至少部分的第二介质层,保留位于第一表面上全部的第二介质层,剩余的第二介质层形成存储单元结构的电子捕获层,最后制作闪存器件的存储单元结构和电极结构。所述闪存器件的电子捕获层结构减少了向源极位置延伸的部分,能够提高数据保持能力。
  • nand闪存器件及其制作方法
  • [发明专利]皮肤美容仪-CN201980010567.8有效
  • 权珉庆;金汉洙;李静璘;郑相东 - 株式会社爱茉莉太平洋;阿莫善斯有限公司
  • 2019-02-25 - 2023-04-14 - A61N1/40
  • 本发明提供一种皮肤美容仪。本发明的例示实施例的皮肤美容仪包括:壳体部,包括主体部及装饰部,上述主体部具有内部空间,上述装饰部与上述主体部的一侧相结合;两个接触电极,以隔着间隔的方式隔开配置于上述装饰部侧,当与使用人员皮肤相接触时,使电流在上述使用人员皮肤流动;电流发生部,与上述两个接触电极电连接,当施加电源时,向上述两个接触电极供给所生成的电流;以及控制部,用于控制整体驱动,上述装饰部包括:第一部分,包括金属层;以及第二部分,不包括上述金属层,上述两个接触电极配置在上述第二部分。
  • 皮肤美容
  • [发明专利]非破坏性检查系统-CN201910079248.4有效
  • 李秉鲁;李受敃;李南昊;蔡文植;文靖镐;吴曔珉;姜彰求;金汉洙 - 韩国原子力研究院
  • 2019-01-28 - 2022-03-25 - G01N23/04
  • 公开了非破坏性检查系统,所述非破坏性检查系统包括:辐射源系统,产生不同类型的辐射并将产生的不同类型的辐射向检查对象照射;检测器系统,检测透射穿过检查对象的每个辐射;传递系统,改变检查对象的位置,使得由辐射源系统产生的辐射照射到检查对象;以及图像系统,基于来自检测器系统的检测结果产生关于检查对象的图像,其中,辐射源系统包括:电子枪,生成电子束;电子加速器,使电子枪产生的电子束加速;以及目标系统,当由电子加速器加速的电子束照射到其上时,根据变量选择性地产生各种类型的辐射中的至少一种。
  • 破坏性检查系统
  • [发明专利]移动终端-CN201710018104.9有效
  • 金珉奭;金汉洙;郑广在;权宁培;卢昇桢;尹彰源;田景元;金德伦;林亨旭;姜允模;金夏容 - LG电子株式会社
  • 2017-01-10 - 2020-12-18 - H01Q1/52
  • 一种移动终端,包括:窗口,该窗口包含透明区域和围绕透明区域的不透明区域;金属壳体,该金属壳体提供在窗口下方以容纳窗口,具有面向窗口的后表面部分,且具有形成为从后表面部分朝着前表面延伸并且向外地露出的侧表面部分;非金属构件,该非金属构件在通过切掉壳体的一部分形成的区域中形成,并且具有与侧表面部分以预定间隔隔开的缝隙形成部分和从缝隙形成部分延伸并且横贯侧表面部分以将侧表面部分分割为第一至第三构件的分割部分对;以及第一至第三天线图案,该第一至第三天线图案形成在不透明区域中并且电连接到第一至第三构件以分别形成第一和第三天线。
  • 移动终端

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