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[发明专利]横向高压器件及其制造方法-CN201510478465.2在审
发明人：乔明;王裕如;代刚;周锌;何逸涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用外延工艺依次形成第二导电类型半导体子漂移区，在第二导电类型半导体子漂移区中注入形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层和第一导电类型半导体体区，本发明是将传统的漂移区结构制作为多层漂移区叠加构成漂移区的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻的最近导电路径，可以降低器件的导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。
横向高压器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202310086095.2在审
发明人：村松徹;内藤达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：半导体装置具备半导体基板，所述半导体基板具有晶体管部和二极管部并设置有多个沟槽部，晶体管部具有：第一导电型的发射区，其设置于半导体基板的正面；第二导电型的基区，其设置于半导体基板；以及第二导电型的接触区，其设置于半导体基板的正面且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度，二极管部具有第二导电型的阳极区，其设置于半导体基板的正面且掺杂浓度低于基区的掺杂浓度，晶体管部具有主区和第一边界区，所述主区与二极管部分离，并且在半导体基板的正面具有发射区和接触区，所述第一边界区设置于主区与二极管部之间，且在半导体基板的正面具有沿沟槽延伸方向交替地设置的发射区和基区。
半导体装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710001708.9无效
发明人：铃木进也;泽田敏昭;岩崎全利 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中在半导体晶片的多个半导体芯片区(后来要变成半导体芯片的区域)的每个区域中形成半导体集成电路，然后沿着每个在相邻半导体芯片区之间提供的划片区切割所述半导体晶片。半导体芯片区每个是具有长边和短边的矩形形状。所述划片区包括与短边接触的第一划片区和与长边接触的第二划片区。第二划片区的宽度小于第一划片区的宽度。在光刻过程中，用于在X和Y方向中进行对准的第一和第二对准图案全部在第一划片区中形成，并且在第二划片区中不形成。可以同时获得对准精度的提高和半导体器件制造成本的降低。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510089596.8有效
发明人：田中琢尔;野村浩;入山靖德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的阱，其形成于半导体衬底中；晶体管，其形成于阱中；第二导电类型的扩散区，其形成于半导体衬底中，以覆盖阱的侧面和底面；端子，其形成于半导体衬底上扩散区的外部；以及导电区，其与阱相接触，阱通过导电区和半导体衬底与端子欧姆接触，导电区的杂质浓度水平超过半导体衬底的杂质浓度水平。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装及形成半导体封装的方法-CN201310178073.5有效
发明人：爱德华·菲尔古特;哈利勒·哈希尼;约阿希姆·马勒;汉斯-约尔格·蒂默 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装及形成半导体封装的方法。在一个实施方式中，一种半导体封装包括竖直半导体芯片，该竖直半导体芯片具有位于竖直半导体芯片的一侧上的第一主表面以及位于竖直半导体芯片的相对侧上的第二主表面。第一主表面包括第一接触区，并且第二主表面包括第二接触区。竖直半导体芯片构造为调节沿电流方向从第一接触区到第二接触区的电流。在第二主表面的第二接触区处设置有背面导体。半导体封装进一步包括第一密封剂，在该第一密封剂中设置有竖直半导体芯片和背面导体。
半导体封装形成方法

[发明专利]衬底、分割衬底的方法及半导体器件-CN201810188499.1有效
发明人：赵允来;金善大;白亨吉;白南奎;申承勋;元东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。
衬底分割方法半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201510150344.5有效
发明人：陈信良;蔡英杰;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置。该半导体装置包括第一金属氧化物半导体结构、第二金属氧化物半导体结构以及双极结结构。第一金属氧化物半导体结构包括第一漏极区、第一通道区以及第一源极区，依次沿第一方向排列。第一金属氧化物半导体结构还包括漏极电极，形成于第一漏极区之上且电性耦接至第一漏极区以及本体区，形成于第一通道区之下且电性耦接至第一通道区。第二金属氧化物半导体结构包括第二漏极区、第二通道区以及第二源极区，依次沿第二方向排列，第二方向不同于第一方向。双极结结构包括射极区、基极区以及集极区。第一源极区与第二漏极区在基板中共享第一共同半导体区。漏极电极与基极区在基板中共享第二共同半导体区。本体区与集极区在基板中共享第三共同半导体区。
半导体装置

[发明专利]一种半导体器件-CN201810283968.8在审
发明人：张广胜;张志丽 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一埋层区和第二埋层区；在所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层中分别形成有阱区、源极区和漏极区，所述阱区和源极区均位于所述第一埋层区上方，所述漏极区区位于所述第二埋层区上方；其中，所述第二埋层区从靠近所述源极区的一端到靠近所述漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深。根据本发明提供的半导体器件，通过使半导体衬底内的埋层区从靠近源极区的一端到靠近漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深，漂移区结深逐渐加大，从而得到优化击穿电压和导通电阻关系的半导体器件，并且更够更好地优化半导体器件的表面电场
埋层半导体器件衬底半导体漏极区源极区外延层阱区掺杂表面电场导通电阻击穿电压靠近源漂移区极区加深结深漏极优化

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811301115.9在审
发明人：甘铠铨;许书维;宋建宪;陈姿亘 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板中的埋藏层、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第一阱区、第二阱区、第三阱区与第四阱区。上述半导体装置亦包括设置于上述第二阱区中的源极区、设置于上述第一阱区中的漏极区、设置于上述第一阱区与上述第二阱区之上的栅极结构、以及设置于上述半导体基板中且围绕上述源极区与上述漏极区的深沟槽隔离结构。上述第二阱区围绕上述第一阱区。上述第三阱区与上述第四阱区位于上述第二阱区的相对两侧。上述深沟槽隔离结构穿过上述埋藏层。本发明可降低半导体装置的尺寸、减少或避免基板漏电流的发生，并避免或减轻闩锁效应。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体管芯及其制造方法-CN202111150537.2在审
发明人： S·维塔诺夫;J·布汉达里;G·埃伦特劳特;C·拉纳赫尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本申请涉及半导体管芯（1），所述半导体管芯（1）包括：在半导体本体（7）的有源区域（3）中形成的晶体管器件（2），具有沟道区（20）、栅极区（21）和场电极区（35），栅极区（21）横向布置在沟道区（20）旁边并且具有栅极电极（22）以控制沟道区（20）中的电流流动，栅极电极（22）形成在延伸到半导体本体（7）中的栅极沟槽（30）中；以及，附加器件（4），形成在半导体本体（7）的附加器件区域（5）中，其中，凹陷（50）在附加器件区域（5）中延伸到半导体本体（7）中，半导体材料（6）布置在凹陷（50）中，附加器件（4）形成在该半导体材料中。
半导体管芯及其制造方法

[发明专利]半导体封装-CN201910658593.3在审
发明人：金贤基;金祥洙;金承焕;吴琼硕;李镕官;李种昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装，包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域；第一区域上的第二半导体芯片；第二区域上的热辐射间隔物；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。
半导体芯片间隔物热辐射第二区域第一区域半导体封装模塑层支撑覆盖

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管-CN202110052644.5在审
发明人： A·毛德;F-J·尼德诺施泰德;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中
具有完全耗尽沟道功率半导体晶体管

[发明专利]鳍式场效晶体管的制造方法-CN201711292065.8有效
发明人：洪同萱;沈冠傑;许秉诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。
鳍式场效晶体管制造方法

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管-CN201610918118.1有效
发明人： A.毛德;F-J.尼德诺施泰德;C.P.桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中
具有完全耗尽沟道功率半导体晶体管

[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法-CN200910179033.6无效
发明人：李昇埈;李云京 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型半导体器件及其制造方法。该垂直型半导体器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有单元区和外围电路区；字线结构，该字线结构位于半导体衬底的单元区上，字线结构包括堆叠在彼此顶部的多条字线；半导体结构，该半导体结构穿过字线结构；栅电介质，该栅电介质位于字线结构和半导体结构之间；以及虚拟字线结构，该虚拟字线结构位于外围电路区上，虚拟字线结构具有垂直结构，并且包括与字线结构相同的组件。
垂直半导体器件及其制造方法