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- [发明专利]半导体装置-CN201810650900.9有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-06-22
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2023-10-27
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H01L29/06
- 本发明提供一种半导体装置，具备：形成于半导体基板的漂移区；以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在半导体基板的上表面的栅极沟槽部；分别与栅极沟槽部的一个侧壁及另一个侧壁邻接的第一台面部及第二台面部；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在漂移区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的蓄积区；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在蓄积区的上方的基极区；在第一台面部中设置于半导体基板的上表面，与栅极沟槽部的一个侧壁邻接，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的发射极区；在第二台面部设置有第二导电型的浮置区域，所述第二导电型的浮置区域与栅极沟槽部分离，在基极区的下方电浮置。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810648520.1有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-06-22
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2023-10-24
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H01L29/36
- 本发明提供一种半导体装置，具备：形成在半导体基板的漂移区、在半导体基板的上表面延伸而设置的栅极沟槽部、分别与栅极沟槽部的一侧和另一侧邻接的第一台面部和第二台面部、在第一台面部中设置在漂移区的上方的积累区、在第一台面部中设置在积累区的上方的基区、在第一台面部中设置在基区与半导体基板的上表面之间的发射极区、在第二台面部中设置在漂移区的上方的中间区、以及在第二台面部的上表面设置在中间区的上方的接触区，栅极沟槽部具有栅极导电部，栅极导电部的底部在与第一台面部相对的一侧和与第二台面部相对的一侧分别具有第一台阶和第二台阶，中间区的至少一部分设置在台阶与栅极沟槽部的底部之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980005950.4有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2019-06-07
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2023-09-26
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H01L29/739
- 能够抑制半导体装置的短沟道效应。提供一种半导体装置，其中，与栅极沟槽部接触的至少一个台面部具有：被设置成在半导体基板的上表面露出并且与栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区；设置于发射区的下方且被设置成与栅极沟槽部接触的第二导电型的基区；设置于基区的下方且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的蓄积区；以及设置于基区的上端与蓄积区的下端之间的深度位置的第二导电型的中间区域，基区在半导体基板的深度方向的掺杂浓度分布中具有第一峰，中间区域在深度方向的掺杂浓度分布中从第一峰到沟槽部的下端的深度位置为止的部位具有第二峰和弯折部中的至少一个。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN202310086095.2在审
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村松徹;内藤达也
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富士电机株式会社
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2023-02-01
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2023-09-19
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H01L27/07
- 半导体装置具备半导体基板，所述半导体基板具有晶体管部和二极管部并设置有多个沟槽部，晶体管部具有：第一导电型的发射区，其设置于半导体基板的正面；第二导电型的基区，其设置于半导体基板；以及第二导电型的接触区，其设置于半导体基板的正面且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度，二极管部具有第二导电型的阳极区，其设置于半导体基板的正面且掺杂浓度低于基区的掺杂浓度，晶体管部具有主区和第一边界区，所述主区与二极管部分离，并且在半导体基板的正面具有发射区和接触区，所述第一边界区设置于主区与二极管部之间，且在半导体基板的正面具有沿沟槽延伸方向交替地设置的发射区和基区。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810193165.3有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-03-09
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2023-09-05
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H01L29/739
- 本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的内部；多个栅沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到漂移区；虚拟沟槽部，其设置于两个栅沟槽部之间，且从半导体基板的上表面设置到漂移区；第二导电型的基区，其在与任意的栅沟槽部邻接的半导体基板的区域中设置于半导体基板的上表面与漂移区之间；第二导电型的第一阱区，其在与虚拟沟槽部邻接的半导体基板的区域设置到比虚拟沟槽部的下端深的位置，且掺杂浓度比基区高。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201980005301.4有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2019-04-26
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2023-09-05
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H01L29/739
- 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板、晶体管部和二极管部，晶体管部和二极管部分别具有：沿排列方向排列多个的沟槽部；形成于沟槽部的内壁的绝缘部；设置于沟槽部的内部的导电部；在排列方向上配置在沟槽部之间的多个台面部；设置有接触孔的层间绝缘膜；以及经由接触孔与台面部相接的第一电极，晶体管部的台面部具备最靠近二极管部地配置的2个以上的T侧台面部，二极管部的台面部具备最靠近晶体管部地配置的1个以上的D侧台面部，晶体管部中的与第一电极电连接的台面部的最大台面宽度大于T侧台面部的台面宽度和D侧台面部的台面宽度中的任一台面宽度。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810809893.2有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-07-23
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2023-08-22
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H01L27/06
- 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，具有第一导电型的漂移区；第一栅沟槽部和虚设沟槽部，从半导体基板的上表面设置到漂移区为止并沿延伸方向延伸；第一晶体管台面部，被夹在第一栅沟槽部与虚设沟槽部之间；基区，在漂移区的上方与第一栅沟槽部接触；发射区，在半导体基板的上表面与第一栅沟槽部接触；以及第二导电型区，在半导体基板的上表面露出，其中，发射区和第二导电型区沿延伸方向交替地配置，发射区的与第一栅沟槽部接触的延伸方向上的宽度大于第二导电型区的与第一栅沟槽部接触的延伸方向上的宽度。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201711058491.5有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2017-11-01
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2023-07-18
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H01L27/06
- 提供一种半导体装置，其中，晶体管部以及二极管部这两者具有：第二导电型的基区，其在半导体基板的内部设置于漂移区的上方；多个沟槽部，其从半导体基板的上表面贯通基区地设置，并且在内部设置有导电部；以及台面部，其夹在沟槽部之间，晶体管部在各台面部具有设置于基区与漂移区之间的一个以上的第一导电型的积累区，二极管部在各台面部具有设置于基区与漂移区之间的一个以上的第一导电型的高浓度区，晶体管部的至少一部分的台面部中的一个以上的积累区的积分浓度比二极管部的台面部中的一个以上的高浓度区的积分浓度高。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201880020162.8有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-10-15
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2023-07-04
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H01L29/78
- 本发明提供一种半导体装置，其具备：在半导体基板的上表面与下表面之间流通电流的有源部；设置在有源部的晶体管部；向晶体管部供给栅极电压的栅极金属层；与栅极金属层电连接的栅极焊盘；在半导体基板的上表面设置在有源部的上方的温度感测部；在半导体基板的上表面配置在有源部与半导体基板的外周端之间的外周区域的温度检测用焊盘；以及具有在半导体基板的上表面沿预先设定的长度方向延伸的长度部分并连接温度感测部与温度检测用焊盘的温度感测布线，在半导体基板的上表面，栅极焊盘配置在将温度感测布线的长度部分沿长度方向延伸到半导体基板的外周端的延伸区域以外的区域。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201880034326.2有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-12-13
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2023-07-04
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H01L29/78
- 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；栅极沟槽部，其从半导体基板的上表面起设置到半导体基板的内部，并且在半导体基板的上表面沿预先设定的延伸方向延伸地设置；台面部，其在与延伸方向垂直的排列方向上与栅极沟槽部相接地设置；以及层间绝缘膜，其设置于半导体基板的上方，在栅极沟槽部的排列方向上的至少一部分的上方设置有层间绝缘膜，在层间绝缘膜设置有使台面部露出的接触孔，接触孔的排列方向上的宽度为台面部的排列方向上的宽度以上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710952010.9有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2017-10-13
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2023-06-23
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H01L27/07
- 在二极管部中，存在在芯片的上表面侧设置有P+型的接触区的情况。在该P+型的接触区的整个下部设置有N+型的阴极区的情况下，存在从芯片的下表面向上表面流通的电流集中到该接触区的一部分的问题。本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板、设置于半导体基板的晶体管部、以及与晶体管部相邻地设置于半导体基板的二极管部，二极管部具有第二导电型的阳极区、第一导电型的漂移区、第一导电型的阴极区、沿着预定的排列方向排列的多个虚设沟槽部、沿着多个虚设沟槽部的与排列方向不同的延伸方向设置的接触部、以及设置于延伸方向的接触部的外侧的端部的正下方的下表面侧半导体区。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710058325.9有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2017-01-23
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2023-05-16
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H01L27/02
- 本发明提供具有RC‑IGBT结构且具备FWD(Free Wheel Diode：续流二极管)区域和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)区域的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。
- 半导体装置
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