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[发明专利]具有金属栅极的半导体元件的制作方法-CN201110451943.2有效
发明人：傅思逸;江文泰;陈映璁;蔡世鸿;林建廷;许启茂;林进富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，其首先提供一基底，该基底表面形成有一第一栅极沟槽与一第二栅极沟槽。在该基底上依序形成一高介电常数栅极介电层与一复合金属层，随后于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层，而该复合金属层暴露于该第二栅极沟槽内。之后进行一第一回拉步骤，以移除该第一栅极沟槽内的部分该第一功函数金属层。第一回拉步骤之后，于该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽内形成一第二功函数金属层。最后进行一第二回拉步骤，用以移除该第一栅极沟槽内与该第二栅极沟槽内的部分该第二功函数金属层。
具有金属栅极半导体元件制作方法

[实用新型]多栅极装置-CN202221735833.9有效
发明人：邱诗航;刘冠廷;徐志安;陈嘉伟;陈建豪;洪正隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种多栅极装置，包括第一与第二通道层分别位于基板上的p型区与n型区中。p型栅极堆叠与n型栅极堆叠分别位于第一与第二通道层周围。p型栅极堆叠包括p型功函数层，位于围绕第一通道层的第一栅极介电层上。p型功函数层包括无氟钨。第一金属填充层位于p型功函数层上。n型栅极堆叠包括n型功函数层位于为绕第二通道层的第二栅极介电层上。盖层位于n型功函数层上。相邻的第一通道层与相邻的第二通道层之间分别具有第一与第二氧浓度，且第二氧浓度大于第一氧浓度。第二金属填充层，位于盖层上。第一金属填充层与第二金属填充层的材料不同。
栅极装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610318187.9有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括NMOS区域的基底，所述基底上形成有层间介质层，且所述NMOS区域的层间介质层内形成有贯穿层间介质层厚度的第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成N型功函数层；对N型功函数层进行退火处理，所述退火处理适于降低所述N型功函数层材料的功函数值，其中，所述退火处理在含氢氛围下进行；在进行所述退火处理后，形成填充满所述第一开口的金属栅极。本发明中所需的N型功函数层的厚度减小，从而增加了在第一开口内形成金属栅极的工艺窗口，使得形成的金属栅极的质量得到改善，进而提高形成的半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]具有HKMG的MOS晶体管及其制造方法-CN202210154809.4在审
发明人：王莎莎;陈东华;张富伟;袁智琦;韩岩岩 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的MOS晶体管，NMOS的第一栅极结构包括形成于第一栅极凹槽中的栅介质层、N型功函数金属层和金属导电材料层；栅介质层中包括高介电常数材料层。N型功函数金属层由第一和第二N型功函数金属子层叠加而成，第一和第二N型功函数金属子层具有不同的晶格结构并在接触面处形成晶格排列变化的第一界面层，利用第一界面层作为阻挡金属导电材料层的金属向下扩散的阻挡层本发明在满足阻挡金属导电材料层的金属向下扩散的条件下，能减少阻挡金属导电材料层的金属向下扩散的阻挡层的厚度，从而有利于金属导电材料层的填充，有利于MOS晶体管的尺寸进一步缩小，还能减少栅极接触电阻。
具有 hkmg mos 晶体管及其制造方法

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201210553000.5有效
发明人：韩秋华;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属栅极的形成方法，包括：在衬底上形成伪栅极层，在所述伪栅极层的两侧形成侧墙；移除所述伪栅极层，以在所述侧墙间形成栅极沟槽；沉积功函数金属，以在所述栅极沟槽的底部及侧壁形成功函数金属层，所述栅极沟槽底部及侧壁的所述功函数金属层围成凹槽；形成保护层填充所述凹槽，然后进行平坦化；蚀刻位于所述栅极沟槽侧壁的所述功函数金属层以形成凹陷；去除所述保护层，使所述凹槽和所述凹陷连接形成缺口；沉积金属材料填充所述缺口本发明提供的金属栅极的形成方法相应的工艺步骤扩大了金属栅极材料进行填充时的开口，从而使得所形成的金属栅极内部不会出现空隙。
金属栅极形成方法

[发明专利]NMOS晶体管及其制作方法-CN201510225525.X有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种NMOS晶体管及其制作方法，在钛基化合物功函数层与钨金属栅扩散阻挡层之间引入硼离子扩散阻挡层，切断了钛基化合物功函数层中含Cl副产物对钨金属栅极形成引入的B的吸附，因而避免了由B引入导致的钛基化合物功函数层的功函数向变大方向漂移此外，硼离子扩散阻挡层不占用较多空间，有利于凹槽中后续其余材质的填充，随着半导体器件尺寸不断减小，此种好处尤为明显。
nmos 晶体管及其制作方法

[发明专利]金属栅极及其形成方法-CN202011439817.0在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及金属栅极及其形成方法。一种方法，包括：在栅极电介质层之上沉积第一导电层；在第一导电层之上沉积第一功函数调整层；从第一导电层的第一区域之上选择性地去除第一功函数调整层；用掺杂剂掺杂第一功函数调整层；以及在掺杂第一功函数调整层之后，执行第一处理工艺以蚀刻第一导电层的第一区域和第一功函数调整层的第二区域。第一处理工艺以与蚀刻第一功函数调整层相比更大的速率蚀刻第一导电层。
金属栅极及其形成方法

[发明专利]一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件-CN201911357653.4在审
发明人：程元伟;郑淑云;刘翰林 -专利权人：宿州市高智信息科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域包含第一鳍片和第二鳍片，所述PMOS区域包含第三鳍片和第四鳍片；依次沉积第一、第二阻挡层和第一功函数层，第一阻挡层和第二阻挡层所用材料不同，第一功函数层材料与第二阻挡层材料不同；去除所述NMOS区域上的第一功函数层；在所述NMOS区域上进行处理，去除所述第一鳍片或所述第二鳍片上的所述第二阻挡层；沉积第二功函数层、第三功函数层，第二功函数层和第三功函数层所用材料不同；在所述PMOS区域上进行处理，去除所述第三鳍片或所述第四鳍片上的所述第三功函数层。
一种调节金属 cmos 器件阈值方法

[发明专利]FinFET SRAM静态噪声容限的边界设计方法-CN202110597289.X在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：提供位于基底上沿纵向间隔排列的P型Fin结构和N型Fin结构，P型Fin结构位于N型Fin结构的一侧；Fin结构上覆盖有沿横向间隔排列的多个栅结构，并且沉积覆盖栅结构以及栅结构之间的Fin结构的TaN层；沉积第一金属功函数层；将位于P型Fin结构一侧的全部第一金属功函数层去除，暴露出的TaN层与剩余的第一金属功函数层的分界面位于N型Fin结构中与P型Fin分界处的第一个N型Fin结构上的中线位置；沉积覆盖暴露出的TaN层和剩余的第一金属功函数层的第二金属功函数层。
finfet sram 静态噪声容限边界设计方法

[发明专利]晶体管结构及其制备方法-CN202310975923.8在审
发明人：倪振飞;俞华亮;王淑奇 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成第一功函数调整结构，第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层；在第一功函数调整结构上形成第二功函数调整结构，包括：在第二扩散阻挡层上形成第二功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在第二功函数调整层上形成第三扩散阻挡层；利用直流薄膜沉积工艺在第三扩散阻挡层上形成第四扩散阻挡层；以及在第二功函数调整结构上形成栅极层本公开的制备方法能够使晶体管结构有效阻挡金属元素的扩散，提高晶体管结构的电学性能，提高良率。
晶体管结构及其制备方法

[发明专利]CMOS器件结构及其制作方法-CN201410136567.1有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件结构及其制作方法，包括：提供衬底；形成伪栅以及与伪栅齐平的介质层；形成开口；在开口中覆盖PMOS功函数层并形成金属栅极结构；对金属栅极结构进行热处理，使处理后的PMOS功函数层的功函数位于第一功函数与第二功函数之间本发明具有以下优点：有利于方便CMOS器件的后续制造步骤中对PMOS区域以及NMOS区域中分别将要形成的PMOS器件以及NMOS器件的功函数进行进一步调整，进而比较灵活的对后续将形成的PMOS器件以及NMOS器件进行功函数的调整；在一定程度上简化了流程并节省了空间体积；不会增加其它的制造工序，例如前期的源漏区掺杂等步骤的难度和复杂程度。
cmos 器件结构及其制作方法

[发明专利]一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件-CN202011547623.2有效
发明人：殷华湘;罗彦娜;张青竹;吴振华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备CFET器件的方法及CFET器件，包括：第一环绕式栅极结构和第二环绕式栅极结构的形成具体为：假栅去除后，形成界面层和高K介电层；沉积第一阻挡层和I型金属栅功函数层；填充隔离介质；对隔离介质选择性刻蚀，暴露出第一或第二堆栈部区域；将暴露出的堆栈部的I型金属功函数层选择性腐蚀去掉；将剩余的隔离介质去掉；沉积II型金属功函数层；沉积第二阻挡层和导电金属层。本发明提供的CFET的制备方法可以得到上下不同沟道类型区的不同环绕式金属栅层，形成相对应的功函数层，实现CFET器件中不同分层沟道的阈值的分别灵活。
一种 cfet 结构制备方法以及应用半导体器件

[发明专利]用于半导体器件的栅极堆叠的制造方法-CN201610725262.3有效
发明人：马库斯·慕勒;瑞格胡那斯·辛加那马拉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-23 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：此方法包括：沉积多个栅极堆叠形成层于半导体表面上；依照预期的栅极堆叠的尺寸图案化附加栅极层，露出金属层的上表面；将功函数调控杂质从金属层露出的上表面掺入该金属层中且掺入该图案化的附加栅极层中；在掺入功函数调控杂质之后，以图案化的附加栅极层作为硬掩模，图案化金属层及该栅极绝缘层以形成栅极堆叠；移除该附加栅极层；以及在移除该附加栅极层之后，降低该源极区及该漏极区中所述功函数调控杂质的浓度。采用本申请的方案，通过在金属层中掺入具有在器件的源极区及漏极区之间变化的浓度轮廓的杂质，来调控包括金属层及栅极绝缘层的栅极堆叠的有效功函数。
用于半导体器件栅极堆叠制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911353670.0在审
发明人：李炳训;朴钟昊;金完敦;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：分别在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别延伸跨过第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极；以及在第一有源图案和第一栅电极之间以及在第二有源图案和第二栅电极之间的高k电介质层。第一栅电极包括功函数金属图案和电极图案。第二栅电极包括第一功函数金属图案、第二功函数金属图案和电极图案。第一功函数金属图案包含与高k电介质层的杂质相同的杂质。第二栅电极的第一功函数金属图案的杂质浓度大于第一栅电极的功函数金属图案的杂质浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310370321.6在审
发明人：周明杰;黄辉;钟铁涛;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及复合阴极；所述复合阴极的材料为低功函数金属、铁盐以及钝化材料的混合物。这种有机电致发光器件，通过在电子注入层上制备材料为低功函数金属、铁盐以及金属钝化材料的混合物的复合阴极提高出光效率，低功函数金属功函数较低，有利于电子注入，提高电子的注入效率，同时，可对光进行散射，使出射的光反射回到底部出射
有机电致发光器件及其制备方法