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[发明专利]刻蚀溶液和刻蚀方法-CN201711190003.6有效
发明人：张瑞朋;丁敬秀 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种刻蚀溶液和刻蚀方法，所述刻蚀溶液包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂，在所述待刻蚀层侧壁露出后，使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处，并填充于所述待刻蚀层的侧壁上，以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的，从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果，实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。
刻蚀溶液方法

[发明专利]磷酸刻蚀溶液-CN201910917946.7有效
发明人：徐融;苏界;孙文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磷酸刻蚀溶液，其包括磷酸刻蚀剂及硅刻蚀抑制剂，所述硅刻蚀抑制剂包括还原性添加剂。所述磷酸刻蚀溶液能够避免外延硅层被刻蚀，进而提高存储器的性能。
磷酸刻蚀溶液

[发明专利]一种刻蚀方法-CN201410104938.8在审
发明人：黄海;洪齐元 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀方法，包括以下步骤，步骤一：将芯片固定并浸入用于刻蚀的溶液中；步骤二：在浸入芯片的所述溶液中施加静电场；步骤三：所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀在刻蚀溶液中加入静电场，刻蚀溶液中的离子会选择性的定向移向晶片，对晶片表面进行刻蚀，刻蚀溶液刻蚀晶片呈现出非等向性，保证了线宽的不同和刻蚀均匀性。
一种刻蚀方法

[发明专利]减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法-CN201811138874.8在审
发明人：宋冬门;李君;夏余平;刘开源;王二伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：该发明涉及一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：提供一槽体，槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在槽体内的流量均匀板，流量均匀板设有若干通孔，并将槽体所围成的空间沿槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入上腔；向下腔内注入刻蚀溶液，刻蚀溶液流经流量均匀板到达上腔，并对待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。本发明的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法具有流量均匀板，通过设置在流量均匀板上的孔对穿过流量均匀板的刻蚀溶液进行分流，使得通过孔进入到上腔的刻蚀溶液被分流成更多股，更多股的刻蚀溶液对上腔内存放的刻蚀溶液进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使槽体中的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。
刻蚀溶液均匀板上腔湿法刻蚀刻蚀副产物槽体刻蚀半导体多股体内分流通过孔放入分隔腔内盛放通孔下腔沿槽离子穿过

[实用新型]湿法刻蚀设备-CN202122036107.X有效
发明人：梁堰风;杨永刚;张丝柳;苏界;王家成 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种湿法刻蚀设备，其包括：反应腔，下部设置有至少一进液口；第一加热装置，设置在所述反应腔外，用于加热刻蚀溶液，加热后的刻蚀溶液能够经所述进液口进入所述反应腔；第二加热装置，设置在所述反应腔上方，用于加热所述反应腔内的刻蚀溶液。本实用新型的优点在于，湿法刻蚀设备利用第一加热装置及第二加热装置实现对刻蚀溶液的加热，在提高刻蚀溶液温度的同时能够缩小所述反应腔下部与上部刻蚀溶液温度上升速率的差异，平衡反应腔上部及下部刻蚀溶液的温差，进而在提高刻蚀速率的同时提高刻蚀均匀性。
湿法刻蚀设备

[实用新型]一种纱线刻蚀的加弹机-CN201520997098.2有效
发明人：方华玉;方华珊;吴建通;鲍领翔;蔡培青 -专利权人：福建华峰新材料有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： D06B3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纱线刻蚀的加弹机，其特征在于，包括进纱机构、预处理机构、加捻机构和卷取机构，所述加捻机构和所述卷取机构之间设置刻蚀装置，所述刻蚀装置为两个或者两个以上的盛放不同浓度刻蚀溶液的刻蚀槽组成，在所述刻蚀槽的两端安装纱线导辊，所述刻蚀槽内设置低于所述纱线导辊的压线滚筒。纱线经过刻蚀装置，刻蚀装置中的不同刻蚀槽装有不同浓度的刻蚀溶液或者不同刻蚀溶液，纱线在不同浓度的刻蚀溶液或者不同刻蚀溶液中刻蚀，使纱线上产生微孔，进而提高后续染色的色牢度，并且使纱线编织出的织物具有麻感
一种纱线刻蚀加弹机

[发明专利]使用照射刻蚀溶液来降低材料粗糙度的加工系统和平台-CN201980089026.9在审
发明人：奥米德·赞迪;雅克·法戈特 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了照射刻蚀溶液提从而供对材料的受控刻蚀的加工系统和平台实施例。这些加工系统和平台将液体刻蚀溶液沉积在待刻蚀的材料上并且照射该液体刻蚀溶液从而调节反应物水平。该液体刻蚀溶液具有第一反应物水平，并且该照射使该液体刻蚀溶液具有不同于该第一水平的第二反应物水平。用经照射的刻蚀溶液使该材料改性，并且去除经改性的材料。该输送、暴露和去除可以重复从而提供循环的刻蚀。被刻蚀的材料可以是多晶材料、多晶金属、和/或其他材料。液体刻蚀溶液可以包括被照射从而形成过羟基自由基的过氧化氢。
使用照射刻蚀溶液降低材料粗糙加工系统平台

[实用新型]一种纱线刻蚀的加弹机-CN201520998053.7有效
发明人：方华玉;方华珊;吴建通;鲍领翔;蔡培青 -专利权人：福建华峰新材料有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： D06B3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纱线刻蚀的加弹机，其特征在于，包括进纱机构、预处理机构、加捻机构和卷取机构，所述进纱机构和所述预处理机构之间设置刻蚀装置，所述刻蚀装置为两个或者两个以上的盛放不同浓度刻蚀溶液的刻蚀槽组成，在所述刻蚀槽的两端安装纱线导辊，所述刻蚀槽内设置低于所述纱线导辊的压线滚筒。纱线经过刻蚀装置，刻蚀装置中的不同刻蚀槽装有不同浓度的刻蚀溶液或者不同刻蚀溶液，纱线在不同浓度的刻蚀溶液或者不同刻蚀溶液中刻蚀，使纱线上产生微孔，进而提高后续染色的色牢度，并且使纱线编织出的织物具有麻感
一种纱线刻蚀加弹机

[发明专利]湿法刻蚀方法-CN201910689404.9在审
发明人：符德荣;林凤雏;高郁聪 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀方法，包括如下步骤：提供待处理基底，对待处理基底进行预热处理；使用湿法刻蚀溶液对预热处理后的待处理基底进行湿法刻蚀，湿法刻蚀溶液的温度大于待处理基底预热处理前的温度。本发明通过对待处理基底进行预热处理后再使用湿法刻蚀溶液对待处理基底进行湿法刻蚀，预热处理可以减小待处理基底与湿法刻蚀溶液之间的温差，甚至可以使得待处理基底的温度与湿法刻蚀溶液的温度相同，可以确保在湿法刻蚀过程中待处理基底表面的温度均匀分布，从而使得待处理基底表面不同区域具有相同的刻蚀速率；由于在湿法刻蚀之初所述待处理基底的温度已经与湿法刻蚀溶液的温度相近或相同，可以缩短湿法刻蚀的时间，提高湿法刻蚀的效率。
湿法刻蚀方法

[发明专利]一种基于TOPCon电池的刻蚀方法及电池制备方法-CN202210704611.9在审
发明人：王泊温;付少剑;郁寅珑 -专利权人：上饶捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TOPCon电池的刻蚀方法及电池制备方法，涉及太阳能电池技术领域，通过碱溶液刻蚀TOPCon电池片正面的多晶硅层，避免富硝酸刻蚀溶液的使用，可以有效降低工艺成本及化学品消耗量；而在刻蚀去除TOPCon电池片正面的PSG层、多晶硅层以及BSG层时，交替使用酸刻蚀溶液以及碱刻蚀溶液，可以有效对各个刻蚀溶液的使用时长以及温度等参数进行精确控制，从而降低过刻蚀的风险。
一种基于 topcon 电池刻蚀方法制备

[发明专利]GaN基材料的侧壁加工工艺-CN201610402689.X在审
发明人：张帆;李宏磊;吴永胜 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基材料的侧壁加工工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）将GaN基材料进行正面切割，得到正面切割槽；（2）将切割后的GaN基材料浸入刻蚀溶液中进行刻蚀，对正面切割除槽的侧壁和/或底表面形状进行改变，刻蚀温度为20~105℃，刻蚀时间为0.1~1000分钟。所述刻蚀溶液采用KOH溶液。所述刻蚀溶液的浓度为0.1~20mol/L。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的形状为正梯形、倒梯形或矩形。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的侧壁为平滑表面或锯齿形表面。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的侧壁与底表面呈圆弧过渡。
gan 基材侧壁加工工艺

[发明专利]一种氧化锌材料的化学刻蚀方法-CN200510002695.8无效
发明人：郑浩;杜小龙;薛其坤;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2005-01-26 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法包括以下步骤：首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过三氯化铁水溶液或含三氯化铁的酸溶液进行刻蚀。上述刻蚀方法中，由于采用三氯化铁溶液作为刻蚀剂，因此可保证刻蚀表面平整，并且只需改变三氯化铁溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；而且，还可通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度
一种氧化锌材料化学刻蚀方法

[发明专利]一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻液及其应用-CN202210387167.2有效
发明人：童浩;彭忻怡;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子工艺领域，具体涉及一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻液及其应用，碱性蚀刻液质量百分组成为：10～30％的碱性溶液，0～5％的氧化剂，余量为去离子水；其中碱性溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或TMAH溶液。本发明所提蚀刻液能够应对现在干法刻蚀过程中卤素气体对相变材料组分造成改变影响器件性能的问题，同时本配方的刻蚀溶液相较酸性刻蚀溶液所存在的刻蚀速率较快不够稳定且表面较为粗糙的问题，能得到表面粗糙度较低的刻蚀表面将上述碱性蚀刻液应用于功能器件单元制备，利用碱性溶液的上述刻蚀效果以及金属上电极耐碱性溶液刻蚀可做硬掩模的性质，避免传统刻蚀工艺中刻蚀气体使材料表面卤化而影响器件性能的问题并降低工艺成本。
一种用于湿法蚀刻相变材料碱性及其应用

[发明专利]混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202310167327.7有效
发明人：高创;何小帝;郝利兰;韩小琴 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：混酸的补酸控制方法包括：获取所述混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数；根据所述刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率；根据所述刻蚀速率、目标刻蚀速率和第一预设曲线获取所述混酸的刻蚀补充溶液的目标补充量，所述刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液；其中，所述第一预设曲线用于表征所述刻蚀速率与所述目标补充量之间的对应关系；根据所述目标补充量向所述混酸中注入所述刻蚀补充溶液。本申请的混酸的补酸控制方法可以获得精准的刻蚀速率，以对待刻蚀样品进行准确刻蚀，不会造成过刻或者蚀刻不足的情况。
控制方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种刻蚀溶液、一种半导体器件制造方法及设备-CN202210721594.X在审
发明人：马诗潇;杨云春;王荣栋;陆原 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种刻蚀溶液、一种半导体器件制造方法及设备。其中，半导体器件制造方法包括：将半导体器件浸入刻蚀溶液中，刻蚀溶液包括过氧化氢和氢氧化物，通过过氧化氢和氢氧化物与阻挡层中钛和氮化钛反应，实现对阻挡层的刻蚀；在浸入时长达到目标刻蚀时长后，从刻蚀溶液中取出半导体器件过氧化氢和氢氧化物能够与阻挡层中的钛以及氮化钛进行反应，因而在半导体器件浸入刻蚀溶液达到目标刻蚀时长后，能够刻蚀掉半导体器件上的阻挡层。过氧化氢和氢氧化物较为容易获得，使得本发明的实施成本较现有干式刻蚀更低，并且，只需将半导体器件浸入刻蚀溶液中就能够进行刻蚀，刻蚀条件要求较低，另外，还能够对阻挡层进行较为全面的刻蚀。
一种刻蚀溶液半导体器件制造方法设备

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