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[发明专利]电极蒸镀装置-CN201810601634.0有效
发明人：郑澄;胡小鹏;薛其坤;陈曦 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别是涉及一种电极蒸镀装置，包括：支撑台、第一限位件、掩膜架、第一弹性件和第二限位件。第一限位件固定于支撑台的一侧，掩膜架滑设于第一限位件；第一弹性件设置于第一限位件和掩膜架之间；第二限位件滑设于支撑台；利用传样抓手将样品安装到支撑台，传样抓手对第二限位件施加外力，第二限位件在外力的作用下，将掩膜架朝远离支撑台的方向推动。当外力撤除时，第一弹性件将掩膜架向支撑台的方向推动，以使掩膜与样品接触。这样，本发明的电极蒸镀装置，不需要利用单独的操作杆来操作掩膜架，而是在完成样品传送的同时实现样品与掩膜的接触。从而便于检测人员操作，简化了操作的步骤，降低了操作的难度。
电极装置

[发明专利]微动装置、显微镜扫描头及显微镜装置-CN201611031638.7有效
发明人： 薛其坤;陈曦;胡小鹏;季帅华;李鲁新;郑澄 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本技术方案提供的微动装置，通过压力施加装置与支撑底座来向所述第一移动台和所述第二移动台施加垂直于第一方向和第二方向的力，与具有第一夹角的所述两个第一压电陶瓷接触面，和具有第二夹角的所述两个第二压电陶瓷接触面配合工作，提高了微动装置的准直性。所述微动装置还进一步包括第三方向微动组件，从而使得所述微动装置可以实现三维移动。另外，本技术方案还提供一种采用所述微动装置的显微镜扫描头和显微镜。
微动装置显微镜扫描

[发明专利]约瑟夫森结器件及其制备方法-CN202310149555.1在审
发明人：朱玉莹;汪恒;张定;薛其坤 -专利权人：北京量子信息科学研究院;清华大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种约瑟夫森结器件及其制备方法。制备方法包括：准备第一衬底和单晶薄膜；在第一衬底上形成间隔设置的第一电极和第二电极；将单晶薄膜转移至第一衬底上，并覆盖第一电极的至少一部分；对贴附有单晶薄膜的第一衬底进行退火处理；对进行退火处理后的单晶薄膜进行解理，获得留在第一电极上的第一薄膜和与第一薄膜分离的第二薄膜；以及将第二薄膜转移至第一衬底上，并覆盖第二电极的至少一部分和第一薄膜的第一部分；其中第一薄膜与第二薄膜之间具有第一角度。本发明制得的约瑟夫森结的质量好。
约瑟夫器件及其制备方法

[发明专利]低温真空实验设备-CN201810634854.3有效
发明人：崔文强;胡小鹏;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及超高真空检测技术领域，特别是涉及一种低温真空实验设备，包括：液氦容器、连接法兰和管道；连接法兰包括相连接的第一法兰和第二法兰；第一法兰与第二法兰不同轴，且第一法兰的轴线与第二法兰的轴线相互平行；第一法兰的面积大于第二法兰的面积，第二法兰的外周在液氦容器的横截面的投影，内切于第一法兰的外周在液氦容器的横截面的投影，第一法兰具有差集法兰部；管道穿设于差集法兰部且与液氦容器内部连通。该低温真空实验设备，通过在第一法兰上形成差集法兰部，以设置可用于插设标准液氦输液管的管道，从而在需要补充液氦时可采用标准液氦输液管进行液氦补充。操作简单方便，且减少输液过程中液氦的消耗。
低温真空实验设备

[发明专利]超高真空处理SrTiO3-CN201910518116.7有效
发明人：王立莉;丁翠;刘充;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高真空处理SrTiO3衬底的方法以及一种制备FeSe超导薄膜的方法。该超高真空处理SrTiO3衬底的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；以及将该SrTiO3衬底加热至900℃以上，对该SrTiO3衬底退火30分钟以上。该制备FeSe超导薄膜的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；将该SrTiO3衬底加热至900℃以上，对该SrTiO3衬底退火30分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10‑6mbar～1×10‑4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；以及在该补氧处理后的SrTiO3衬底表面生长FeSe高温超导薄膜。
超高真空处理 srtio base sub

[发明专利]约瑟夫森结器件及其制备方法-CN201811367576.6有效
发明人： 薛其坤;马旭村;张定;朱玉莹;廖孟涵 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种约瑟夫森结器件的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成间隔设置的第一电极和第二电极，在所述衬底表面形成间隔区域；分别提供第一超导材料薄膜和第二超导材料薄膜，所述第一超导材料薄膜和所述第二超导材料薄膜为层状超导材料，所述层状超导材料包括绝缘层和超导层；将所述第一超导材料薄膜转移至所述衬底表面，使所述第一超导材料薄膜同时覆盖部分所述间隔区域及部分所述第一电极；以及将所述第二超导材料薄膜转移至所述衬底表面，使所述第二超导材料薄膜同时覆盖部分所述第一超导材料薄膜、部分所述间隔区域及部分所述第二电极。本发明还公开了一种约瑟夫森结器件。
约瑟夫器件及其制备方法

[发明专利]具有原子级平整表面的SrTiO3-CN201910518122.2有效
发明人：王立莉;丁翠;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有原子级平整表面的SrTiO3多晶界衬底的制备方法，其包括以下步骤：将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，其中，该未处理的SrTiO3多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，相邻SrTiO3单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO3单晶衬底表面为非原子级平整；以及将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上。本发明还涉及一种采用上述方法制备的具有原子级平整表面的SrTiO3多晶界衬底，其包括：多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，其中，相邻SrTiO3单晶衬底之间的晶界完全愈合，形成原子级接触，且每个SrTiO3单晶衬底表面为原子级平整。
具有原子平整表面 srtio base sub

[发明专利]FeSe多晶界超导薄膜及其制备方法-CN201910517450.0有效
发明人：王立莉;丁翠;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其包括：将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，其中，该未处理的SrTiO3多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，相邻SrTiO3单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO3单晶衬底表面为非原子级平整；将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10‑6mbar～1×10‑4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；以及在该补氧处理后的SrTiO3多晶界衬底表面生长FeSe多晶界高温超导薄膜。本发明还涉及一种采用上述方法制备的FeSe多晶界超导薄膜。
fese 多晶超导薄膜及其制备方法

[发明专利]双通道拓扑绝缘体结构、制备方法及产生量子自旋霍尔效应的方法-CN201810113605.X有效
发明人：何珂;姜高源;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明共公开了一种双通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜，所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加，所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。本发明还公开了一种双通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种产生量子自旋霍尔效应的方法。
双通道拓扑绝缘体结构制备方法产生量子自旋霍尔效应

[发明专利]样品托夹持装置-CN201811404907.9在审
发明人：胡小鹏;薛其坤;李景雷 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种样品托夹持装置，包括样品托、外套筒、内套筒和夹持机构。样品托具有向外延伸的柄颈和柄头，外套筒的一端具有限位端面，限位端面上开设有限位开口，限位开口允许柄头以特定的角度通过。内套筒套设于外套筒内且与外套筒固定连接，内套筒与外套筒之间无相对运动。夹持机构套设于所述内套筒之中，对从限位开口中伸入的手柄进行限位以限制手柄相对于夹持机构旋转。顶压机构设置于内套筒之中，顶压机构通过顶压夹持机构能够使夹持机构将手柄抵紧在限位端面的内壁上。内套筒能够相对于夹持机构旋转，内套筒相对于夹持机构旋转至第一相对位置时，柄头能够从所述限位开口中进入或退出。
样品夹持装置

[发明专利]多通道拓扑绝缘体结构、制备方法及电学器件-CN201810111325.5有效
发明人：何珂;姜高源;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘间隔层，所述多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘体间隔层交替的叠加在所述绝缘基底表面，相邻的两个所述拓扑绝缘体量子阱薄膜之间通过一个所述绝缘间隔层间隔。本发明还公开了一种多通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种电学器件。
通道拓扑绝缘体结构制备方法电学器件

[发明专利]显微镜探针固定组件-CN201810641943.0在审
发明人：胡小鹏;薛其坤;李景雷;刘松 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G01Q70/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种显微镜探针固定组件，针尖固定于针尖托上，所述针尖托上开设有凹槽，所述凹槽具有固定壁，所述固定壁上开设有通孔。针尖托底座包括支撑部和固定于所述支撑部上的凸台，所述凸台与所述凹槽相配合，所述凸台上开设有固定孔。所述凸台嵌入所述凹槽内时所述通孔与所述固定孔同轴，抓手手柄通过所述通孔与所述针尖托转动连接，所述抓手手柄通过所述固定孔与所述针尖托底座可拆卸固定连接。所述抓手手柄通过将所述针尖托安装于所述针尖托底座或者将所述针尖托从所述针尖托底座上拆卸下来实现换针。实现了安全快速地对针尖进行更换的目的。
针尖手柄固定孔通孔凸台抓手固定壁可拆卸固定连接显微镜探针安全快速固定组件转动连接换针同轴支撑拆卸嵌入配合

[发明专利]真空用平板样品架拓展结构-CN201810644266.8在审
发明人：胡小鹏;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空用平板样品架拓展结构，用于在真空环境下传递平板样品架。上述真空用平板样品架拓展结构，通过转接头与平板样品架托盘可拆卸固定连接，且所述转接头与所述平板样品架托盘之间具有容纳平板样品架的容纳空间，所述平板样品架可拆卸地固定于所述容纳空间内，圆柱形样品架抓手与所述转接头能够可拆卸连接。实现了圆柱样品架抓手将平板样品架及其样品传入到低温强磁场设备中进行真空环境下样品更换的目的。将使用上述两种类型样品架的设备统一起来，搭建了一套真空测量平台。
平板样品转接头托盘容纳空间真空环境抓手可拆卸固定连接真空测量平台低温强磁场可拆卸连接圆柱形样品设备统一样品更换圆柱样品可拆卸样品架拓展容纳传递

[发明专利]交流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法-CN201910790144.4在审
发明人：王立莉;丁翠;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其包括：将一未处理的SrTiO₃多晶界衬底置于一真空室中的加热元件表面，该真空室的压强低于10^‑9mbar；将该未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO₃多晶界衬底退火10分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10^‑6mbar～1×10^‑⁴mbar，对该退火后的SrTiO₃衬底进行补氧处理10分钟～30分钟在该补氧处理后的SrTiO₃多晶界衬底表面生长FeSe多晶界薄膜；以及向该加热元件通交流电从而对该FeSe多晶界高温超导薄膜进行交流退火，且交流退火的时间大于等于3小时。
多晶退火真空室未处理衬底补氧交流电高温超导薄膜加热元件表面压强真空室压强超导薄膜衬底表面衬底加热含氧气氛加热元件温度降薄膜制备交流生长

[发明专利]直流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法-CN201910789734.5在审
发明人：王立莉;丁翠;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种直流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法，其包括：将一未处理的SrTiO₃多晶界衬底置于一真空室中的加热元件表面，该真空室的压强低于10^‑9mbar；将该未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO₃多晶界衬底退火10分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10^‑6mbar～1×10^‑4mbar，对该退火后的SrTiO₃衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；在该补氧处理后的SrTiO₃多晶界衬底表面生长FeSe多晶界薄膜；以及向该加热元件通直流电从而对该FeSe多晶界薄膜进行直流退火，且单向连续直流退火的时间小于等于2小时。
多晶真空室直流退火未处理衬底退火补氧薄膜加热元件表面压强真空室压强直流电超导薄膜衬底表面衬底加热含氧气氛加热元件温度降制备生长

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