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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200810176266.6无效
  • 金成茂 - 东部高科股份有限公司
  • 2008-11-19 - 2009-05-27 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，其可以在执行热处理以改善暗特性时，通过减小顶部金属线热应力的方式来避免保护层的损坏。该传感器包括：半导体衬底；多个光电二极管和多个晶体管，形成在半导体衬底的感测部中；绝缘层，形成在半导体衬底上方；至少一个下部层间绝缘层，形成在该绝缘层上方；至少一根下部金属线，形成在层间绝缘层上方；上部层间绝缘层，形成在半导体衬底上方；上部金属线，形成在上部层间绝缘层上方；聚合层，形成在上部层间绝缘层上方并且位于该上部金属线的至少一侧；以及保护层，形成在上部层间绝缘层上方。本发明可以通过形成在层间绝缘层中并且位于顶层的金属线的至少一侧的聚合层图案而避免保护层的损坏。
  • 图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]CMOS图像传感器的制造方法-CN200610156706.2无效
  • 金成茂 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-28 - 2007-07-04 - H01L21/822
  • 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，其能够在形成光电二极管时防止高能注入的掺杂剂渗透到栅电极的下部，从而防止晶体管的电流泄漏与阈值电压的变化。该方法包括步骤：在包括光电二极管区和晶体管区的第一导电型半导体衬底的晶体管区上形成栅电极；在该栅电极上形成自对准硅化物层；以及注入第二导电型掺杂剂以在该半导体衬底的光电二极管区内形成光电二极管。
  • cmos图像传感器制造方法
  •  1 
  • 共 4 条
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